第5章 半导体中的辐射和吸收-1

半导体外延层晶格失配度的计算(精)

32.82.62.4光子能量 E/eV直接(Γ ) 2.2 Ec=1.99eV xc=0.46 2.0 间接(Χ ) 直接(Γ ) 1.8 间接(Χ )图 示 出 了 GaAs1-

（2-6）光电材料与半导体器件对于GexSi1-x系统，取b=0.4nm，则式（2-6）可近似为：hc 1.9 10 3 hc ln( ) 2 0.4 fm上式中hc以nm为单

超晶格第四章半导体超晶格

晶格能计算方法

第6章--异质结.

第6章异质结2011

第9章半导体异质结构第6章讨论的是由同一种半导体材料构成的p-n结，结两侧禁带宽度相同，通常称之为同质结。本章介绍异质结，即两种不同半导体单晶材料的结合。虽然早在1951年就已经提出了异质结的概念，并进行了一定的理论分析工作，但是由于工艺水平的限制，一直没有实际制成。直到气相外延生长技术开发成功，异质结才在1960年得以实现。1969年发表了第一个用异质结制

10章-低维半导体材料

金属化与多层互连解析

第三章 硅基光电子材料与器件 part2

光电材料与半导体器件23GeSi合金的等离子色散效应掺杂或注入都可

晶体应变技术讲述了晶体应变技术的含义。并且用文字详尽的描述了晶体应变技术的应用并分为晶格失配异质结的制作、晶格失配异质结的外延生长可以有两种情况、晶格应变可以提高载流子迁移率进行分析。目录1基本概念2应用1基本概念晶体应变技术就是在晶体中人为地引入应力、使晶格发生一定畸变的一种现代科学技术。2应用对于电子科学技术而言，晶体应变技术主要是在两个方面有着重要的应

第9章半导体异质结构第6章讨论的是由同一种半导体材料构成的p-n结，结两侧禁带宽度相同，通常称之为同质结。本章介绍异质结，即两种不同半导体单晶材料的结合。虽然早在1951年就已经提出了异质结的概念，并进行了一定的理论分析工作，但是由于工艺水平的限制，一直没有实际制成。直到气相外延生长技术开发成功，异质结才在1960年得以实现。1969年发表了第一个用异质结制

科技信息2011年第29期SCIENCE&TECHNOLOGY INFORMATION0引言近年来半导体材料科学主要朝两个方向发展:一方面是不断探索扩展新的半导体材料,即所谓材料工程;另一方面是逐步从高维到低维深入研究己知半导体材料体系,这就是能带工程。半导体量子点就是通过改变其尺寸实现能级的改变,达到应用的目的,这就是半导体量子点能带工程。半导体量子点是由

半导体能带工程

超晶格

第6章 异质结2011.

晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响