ZX5T953G中文资料(Zetex Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

The wide input voltage range of 20V down to as low as 2.5V make it suitable for a range of applications. A minimum operating current of just 4µA, combined with a SOT23 package make it a unique solution for portable battery equipment. The SM8 device offers an alternative package option.
RLIM(MAX) = R OUT [VIN(MIN) - （VDP + V OUT(MAX) )]/V OUT(MAX)
VIN(MIN) =最低电源工作电压 VDP =压差 VOUT(MAX) =最大工作输出电压
该器件的功耗,P PD = IOUT (V IN -V OUT ) W
D 是由下式给出：
应用信息
以下文本描述了如何扩展到的输出电压的负载电流.
VSENSE = V IN - V LOAD VOUT = 0.01 x V SENSE x ROUT 1
E.g.
1A的电流通过一个100mV的输出代表
电压：
重新排列
1 对于溃败给：
ROUT = V OUT /(V SENSE x 0.01) ROUT = 0.1 / (0.1 x 0.01) = 100Ω
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应用信息
锂离子电池充电器电路
（续）
上图显示支持的ZXCT1009 Benchmarq bq2954充电管理IC.大多数支持组件为bq2954 的为了清楚而省略. 这种设计还采用了发光二极管FZT789A高电流 超ßPNP作为在DC-DC升压开关晶体管 升降压转换器和FMMT451作为驱动NPN为 FZT789A.该电路可以被配置充电到4 锂离子电池在1.25A的充电电流.充电可 端接在最大电压,可选的最低 电流,或最大超时.开关的频率 PWM循环大约为120kHz.

Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
IH
防护持电流
Z0103MA/MN/NA/NN
Z0107MA/MN/NA/NN
Z0109MA/MN/NA/NN
VT
通态电压
VGT
门极触发电压
ID
动态特性
dV D/dt
dV com/dt
断态泄漏电流
崛起临界率 断态电压
Min Max 单元
-
600 V
-
800 V
-
600 V
-
800 V
-
8
A
-
8.5
A
-
1
A
-
1
A
-
0.35 A2s
-
20
A/µs
-
1.0
A
-
2.0
W
-
0.1
W
40 +150 °C
40 +125 °C
芯片中文手册,看全文,戳 飞利浦半导体
Z0103/07/09系列
双向可控硅
1.6
Ptot
1.2产品特点
s 阻断电压为800 V（NA和NN
类型）
s A对状态RMS电流1.
1.3应用
s 家用电器 s 风扇控制器
s 小型马达控制器 s 小负荷在工业过程控制.
2.管脚信息
表格 1： 钢钉 - SOT54B（ TO-92） ,SOT223,简化外形和符号
针
描述
简化外形
1
终端2（T2）
2
栅极（G）
点SOT223
从交界处领导热电阻

A C
B D
F HG E
SMA/DO-214AC
Dim
Min
A
2.50
B
4.00
C
1.20
D
0.152
E
4.80
F
2.00
G
0.051
H
0.76
在毫米所有尺寸
Max 2.90 4.60 1.60 0.305 5.28 2.44 0.203 1.52
最大额定值和电气特性
@TA = 25°C除非另有说明
100
1.0 1.2 1.4
Tj = 25 °C f = 1.0MHz
20 10
10 C,电j 容（pF）
,峰FS值M 正向浪涌电流（A）
I0
1
1
10
100
1
10
100
循环次数在60Hz
VR,反向电压（V）
图. 3峰值正向浪涌电流
图. 4典型结电容
50Ω NI（非感性）
10Ω NI
trr +0.5A
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T L ,焊接温度 图. 1正向电流降额曲线
( ° C)
30
Pulse width 8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
,正F 向电流（A） I 0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VF,正向电压（V） 图. 2典型正向特性
出货数量
7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴

tr 10µs
值 （％）
50
半值 - RSM I 2
tP
0.1 0.1
µs
1 µs
10 µs 100µs
0
1毫秒 10毫秒
0
1
2
3
4
总磷,脉冲宽度
T,时间（ms）
160 C ° 140
A 120
图 1.脉冲额定值 Curve
图 2.脉冲波形 典型防护护电路
Zin
100
80
Vin
LOAD
VL
60
峰值脉冲4降0 容％ 峰值功20率或电流@ T = 25
性,如图4.
该装置中感应作用是由于实际导通 所需设备时间（时间去从零电流到全
电流）和引线电感.这种诱导效应产生
在两端电压设备过冲或
部件防护护,如图5最小化 这种过冲是在应用非常重要,因为
用于添加瞬变抑制器主要目是夹紧
电压尖峰.在SMB系列有一个很好反响 时间,通常为1纳秒和可以忽略不计电感.然而,
外部感应影响可能产生不能接受过
IPP
峰值脉冲电流 - 见图2
PP
峰值脉冲功率
IR
反向漏
600瓦峰值功率数据表 5-2
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一般数据 - 600瓦峰值功率
100 10 PP,峰值1 功率（KW）
非重复 脉冲波形
如图2中所示
tr 100
峰值 - IRSM
脉冲宽度（TP）定义 因为这地步PEAK 电流衰减到50％ IRSM.作者：
(Refer to Section 10 for more information on Packaging Specifications.)
0.089 2.261