太阳能电池片的分类

  • 格式:doc
  • 大小:136.50 KB
  • 文档页数:7

太阳能电池片的分类

国内常用的太阳能晶硅电池片根据尺寸和单多晶可分为:

太阳能单晶电池片

单晶125*125

单晶156*156

多晶156*156

单晶150*150

单晶103*103

多晶125*125

编辑本段太阳能电池片的技术参数

125S晶体硅太阳电池技术参数

档次 转换效率 最大功率 最大功率点电流 最小功率点电流 最大功率点电压 短路电流 开路电压

Pm(Wp) Im(A)max Im(A)min Vm(V) Isc(A) Voc(V)

A 18.00% 2.674-2.696 5.135 5.093 0.525 5.440 0.630

B 17.80% 2.645-2.673 5.111 5.057 0.523 5.410 0.628

C 17.60% 2.615-2.644 5.075 5.019 0.521 5.380 0.627

D 17.45% 2.593-2.614 5.027 4.987 0.520 5.350 0.627

E 17.30% 2.570-2.592 5.004 4.961 0.518 5.330 0.626

F 17.15% 2.548-2.569 4.988 4.948 0.515 5.320 0.620

G 17.00% 2.526-2.547 4.975 4.933 0.512 5.300 0.620

H 16.85% 2.504-2.525 4.949 4.910 0.510 5.280 0.615

I 16.70% 2.481-2.503 4.956 4.913 0.505 5.260 0.615

J 16.50% 2.452-2.480 4.911 4.850 0.505 5.240 0.615

K 16.25% 2.414-2.451 4.853 4.780 0.505 5.200 0.615

L 16.00% 2.377-2.413 4.778 4.707 0.505 5.160 0.610

M 15.75% 2.340-2.376 4.752 4.680 0.500 5.000 0.610

N 15.50% 2.303-2.339 4.678 4.606 0.500 4.980 0.605

O 15.25% 2.266-2.302 4.604 4.578 0.495 4.960 0.605

P 15.00% 2.229-2.265 4.576 4.503 0.495 4.940 0.600 SF156M多晶体硅太阳电池技术参数

档次 转换效率 最大功率 最大功率点电流 最大功率点电压 短路电流 开路电压

Pm(Wp) Im(A) Vm(mV) Isc(A) Voc(mV)

A 17.50% 4.258 8.189 520 9.30±5% 625±5%

B 17.25% 4.198 8.072 520 9.22±5% 625±5%

C 17.00% 4.137 7.955 520 9.11±5% 625±5%

D 16.75% 4.076 7.914 515 9.01±5% 620±5%

E 16.50% 4.015 7.796 515 8.89±5% 620±5%

F 16.25% 3.954 7.678 515 8.78±5% 620±5%

G 16.00% 3.893 7.560 515 8.67±5% 620±5%

H 15.75% 3.833 7.515 510 8.56±5% 615±5%

I 15.50% 3.772 7.396 510 8.45±5% 615±5%

J 15.25% 3.711 7.348 505 8.30±5% 615±5%

K 15.00% 3.650 7.228 505 8.16±5% 615±5%

L 14.75% 3.589 7.107 505 8.01±5% 615±5%

M 14.50% 3.528 6.987 505 7.87±5% 615±5%

N 14.25% 3.468 6.935 500 7.75±5% 610±5%

O 14.00% 3.407 6.814 500 7.61±5% 610±5%

P 13.50% 3.285 6.637 495 7.38±5% 610±5%

Q 13.00% 3.163 6.456 490 7.12±5% 610±5%

R 12.50% 3.042 6.272 485 7.86±5% 610±5%

S 12.00% 2.920 6.084 480 6.56±5% 605±5%

T 11.50% 2.798 5.891 475 6.34±5% 600±5%

U 11.00% 2.677 5.695 470 6.08±5% 590±5%

V 10.50% 2.555 5.495 465 5.82±5% 580±5%

W <10.5%

编辑本段太阳能电池片及相关组件的相关性

125*125单晶

电池片

晶体硅太阳电池的优良性能简介:

·高效率,低衰减,可靠性强;

·先进的扩散技术,保证了片间片内的良好均匀性,降低了电池片之间的匹配损失;

·运用先进的管式PECVD成膜技术,使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观; ·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性;

·高精度的丝网印刷图形,使得电池片易于自动焊接。

156*156多晶

电池片

晶体硅太阳电池的优良性能简介:

·高效率,低衰减,可靠性强;

·先进的扩散技术,保证了片间片内的良好均匀性,降低了电池片之间的匹配损失;

·运用先进的管式PECVD成膜技术,使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观;

·应用高品质的金属浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性;

·高精度的丝网印刷图形,使得电池片易于自动焊接。

125单晶电池组件

晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介:

·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次

·使用高效率的硅太阳能电池

·组件标称电压24/12V DC

·3.2mm厚的钢化玻璃

·为提高抗风能力和抗积雪压力,使用耐用的铝合金框架以方便装配,

·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形

·电缆线使用快速连接头来装配

·满足顾客要求的包装

·保证25年的使用年限

156多晶电池组件

晶体硅太阳能电池组件的优良性能简介:

·SF-PV的组件可以满足不同的消费层次

·使用高效率的硅太阳能电池

·组件标称电压24/12V DC

·3.2mm厚的钢化玻璃

·为提高风的压力和雪的负载,使用耐用的铝框架以方便装配,

·组件边框设计有用于排水的漏水孔消除了在冬天雨或雪水长期积累在框架内造成结冰甚至使框架变形

·电缆线使用快速连接头来装配

·满足顾客要求的包装

·保证25年的使用年 编辑本段太阳能电池片生产制造工艺

太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。具体介绍如下:

一、硅片检测

硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。

二、表面制绒

单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结。

三、扩散制结

太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成,才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。

四、去磷硅玻璃

该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中,POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子,