不同温度下制备的SIO2 XRD图

溶胶凝胶法制备SiO2工艺

溶胶凝胶法是一种常见的材料制备方法，具有制备过程简单、产物纯度高、粒度均匀等优点。在溶胶凝胶法制备SiO2工艺中，通过控制反应条件，可以制备出具有特定形貌、结构和性能的SiO2材料。本文主要探讨了溶胶凝胶法制备SiO2工艺的过程、实验结果及其应用，分析了该方法的优势和不足，并提出了改进意见。

实验主要采用了硅酸酯、氢氧化钠、去离子水等原料，将硅酸酯和氢氧化钠按一定比例混合，搅拌均匀后加入去离子水，继续搅拌得到溶胶。将溶胶在一定温度下干燥，得到干凝胶。将干凝胶在高温下焙烧，去除有机物，得到最终的SiO2产物。

实验过程中，通过控制溶胶时间、固化温度等因素，制备了一系列不同工艺参数的SiO2样品。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等手段对样品的物相、形貌和粒度进行了表征。

实验结果表明，通过控制溶胶时间、固化温度等因素，可以制备出具有不同形貌和粒度的SiO2材料。当溶胶时间为60分钟、固化温度为400℃时，制备出的SiO2样品具有较高的纯度和良好的分散性。

XRD结果表明，制备的SiO2为结晶度良好的α-石英相。SEM表征显示，该条件下制备的SiO2粒子呈球形，粒度分布较窄。通过控制原料浓度、水解速率等因素，可以进一步调节SiO2的粒度和形貌。

通过溶胶凝胶法制备SiO2工艺，可以获得具有高纯度和良好分散性的SiO2材料。实验结果表明，溶胶时间和固化温度是影响SiO2形貌和粒度的关键因素。当溶胶时间为60分钟、固化温度为400℃时，制备出的SiO2样品具有最佳的性能。

然而，在实验过程中也发现了一些不足之处，如制备过程中有机物的挥发和残留可能会影响产品的纯度和性能。为了提高制备效率和产品质量，建议在后续研究中可以对原料浓度、水解速率等参数进行更加深入的探讨，并尝试通过优化工艺流程和添加剂的使用来改善产品的性能。

还可以进一步拓展溶胶凝胶法制备SiO2工艺的应用领域。由于SiO2具有优异的物理化学性能，如高透明度、低热膨胀系数等，可以将其应用于光学、电子、催化剂等领域。因此，对不同领域所需的SiO2材料的特定性能和要求进行深入研究，有助于推动溶胶凝胶法制备SiO2工艺的发展和应用。

收稿日期：2009-04-08。收修改稿日期：2009-05-13。国家自然科学基金(No.20674041)和宁波大学王宽诚基金资助项目。＊通讯联系人。E-mail：zhangruifeng@第一作者：龙能兵，男，24岁，硕士研究生；研究方向：功能材料。大尺寸TiO2/SiO2大孔材料的制备及光降解性能

龙能兵张瑞丰＊(宁波大学材料科学与化学工程学院，宁波315211)摘要：先以三维骨架聚合物为整体型模板，利用硅酸酯原位溶胶-凝胶过程并结合高温烧结的方法制备出大尺寸大孔径的SiO2载体，然后通过钛酸丁酯溶液浸渍、原位水解、煅烧制备出大尺寸的TiO2/SiO2大孔材料并用SEM、TEM、FTIR、XRD和XPS对其表征，结果表明SiO2载体具有三维连续的超薄层，TiO2以纳米薄层方式均匀地沉积在SiO2的三维超薄层上，形成TiO2/SiO2/TiO2三层夹心结构，层与层界面存在Si-O-Ti键，同时复合结构提高了TiO2由锐钛矿相向金红石相的转变温度。以甲基橙为目标降解物考察不同条件下制备的复合材料的光催化活性，采用复合材料吸入甲基橙溶液的方式，并借助甲醇萃取手段研究光降解动力学过程。结果表明，该复合材料具有较好的光降解催化活性，当焙烧温度为600℃和TiO2的负载量为54.5wt%时，其活性最大且降解速率常数达到1.78h-1。关键词：二氧化硅载体；纳米二氧化钛；光催化降解中图分类号：O611.2;O611.3;O611.62文献标识码：A文章编号：1001-4861(2009)07-1153-06PreparationandPhoto-degradationofLarge-sizedTiO2/SiO2MacroporousMaterials

LONGNeng-BingZHANGRui-Feng＊(FacultyofMaterialScienceandChemicalEngineering,NingboUniversity,Ningbo,Zhejiang315211)Abstract:AlargesizedmacroporousSiO2supportwaspreparedbyusingathree-dimensional(3D)skeletalpoly-merastemplatethroughaninsitusol-gelprocessofethylsilicateandasubsequentcalcinationathightempera-ture.Byimmersingthesupportinasolutionoftetrabutyltitanateincyclohexanefollowedbyinsituhydrolysisinairandafinalcalcination,TiO2wasloadedonthesurfaceofthesupporttoprovideTiO2/SiO2complexes.ThematerialwascharacterizedbySEM,TEM,FTIR,XRDandXPS.Theresultsshow3DultrathinlayerintheSiO2support,Si-O-TibondsformationintheinterfacebetweenthinlayersofSiO2andTiO2,andahighertempraturefortransitionofanatasetorutile.Methylorangewasusedtoinvestigatethephoto-degradationactivityofthecata-lystsobtainedunderdifferentconditions.Thekineticprocesswasstudiedbyinfiltratingaqueoussolutionofmethylorangeoverthelargesizedcatalyst.TheTiO2/SiO2catalystexhibitesabetteractivityforphoto-degradationofmethylorangeandthehighstrateconstantof1.78h-1wasobtainedfromthecatalystcontaining54.5wt%ofTiO2calcinedat600℃.

BaAl2Si2O8蜂窝多孔陶瓷的制备及性能研究*

钟文升 詹文俊 熊必陈 廖红卫

(长沙理工大学材料科学与工程学院 长沙 410000)

摘 要 蜂窝多孔陶瓷因其比表面积大,气孔率高等特点,被广泛应用于车用三元催化剂载体、蓄热体等领域。目前广泛

应用的堇青石蜂窝陶瓷存在烧成温度高,烧成温度段较窄等问题。笔者提出一种利用BaAl2Si2O8(BAS)组成的玻璃粉掺

加到氧化物原料中烧制BAS蜂窝多孔陶瓷的方法,具有成本低,烧成温度低,方法简单等特点。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、压汞仪、热膨胀系数测试仪等方法进行表征。结果表明,掺加玻璃粉的样品具有较高的

孔隙率(42.8%)和比表面积,抗热震性能好。同时,在950℃下就能合成较纯的性能较为优异的单斜晶相,晶粒细小且均

匀。研究为车用蜂窝多孔陶瓷等领域提供了一种新的可能。

关键词 BAS陶瓷 蜂窝陶瓷 研究

中图分类号:TQ174.7 文献标识码:A 文章编号:1002-2872(2021)08-0024-05

PreparationandPropertiesofMonoclinicBaAl2Si2O8HoneycombPorousCeramics

WenshengZhong,WenjunZhan,BichenXiong,HongweiLiao(MaterialsScienceandEngineeringSchool,ChangshaUniver-

sityofScience&Technology,Hunan,Changsha,410000,China)

Abstract:Becauseofitslargespecificsurfaceareaandhighporosity,honeycombporousceramicsarewidelyusedinvehicle

ternarycatalystsupport,regeneratorandotherfields.Atpresent,cordieritehoneycombceramicsarewidelyusedinhigh

收稿日期

:20062

092

05;　定稿日期

:20062

112

08

基金项目

:国家自然科学基金资助项目(

60476010)

;天津市高校科技发展基金资助项目(

20060605)LPCVD2

SiGe薄膜的物理及电学特性

王光伟1

,屈新萍2

,茹国平2

,郑宏兴1

,李炳宗2

(

1.天津工程师范大学电子工程系

,天津　

300222;2.复旦大学微电子学系

,上海　

201203)

摘　要

:　采用低压化学气相沉积法(

LPCVD)

,分别在

n2

Si和

SiO

2衬底上制备

Si

1-xGe

x薄膜。

Ge的组分比由俄歇电子谱(

AES)测定。对

n2

Si和

SiO

2衬底上的

Si

1-xGe

x分别进行热扩散和热

退火处理

,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由

X射线衍射

(

XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于

XRD

图谱

,根据

Scherer公式

,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似

的线性关系

,从而得出

LPCVD2

Si

1-xGe

x薄膜的电输运特性基本符合

Seto模型的结论。

关键词

:　锗硅薄膜

;LPCVD;热扩散

;热退火

;固相结晶

中图分类号

:　

TN305.4;TN304.055 文献标识码

:　

A 文章编号

:10042

3365(

2007)

022

01682

05

PhysicalandElectricalPropertiesofLPCVD2

SiGeThinFilms

WANGGuang2

wei1

,QUXin2

ping2

,RUGuo2

ping2

,ZHENGHong2

xing1

,LIBing2

zong2

(1

.Dept.ofElec.Engineer.,TianjinUniv.ofTechnol.andEduc.,Tianjin300222

,P.R.China;

2

.Dept.ofMicroelec.,FudanUniversity,Shanghai201203

,P.R.China)

Abstract: