霍尔效应及其应用实验报告
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学生物理实验报告
实验名称 霍尔效应及其应用 ___________________________
学院 ________________ 专 业 _________________ 班 级 ________________
报告人 ____________ 学号 ___________________
同组人 __________ 学 号 _________________
理论课任课教师__________________________
实验课指导教师__________________________
实验日期 ______________________________
报告日期 ______________________________
实验成绩 __________________________________
批改日期 __________________________________
实验目的
（1） 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器材对材料要求的知识
（2） 学习用“对称测量法”消除负效应的影响，测量试样Vh-ls和Vh-lm
曲线(4)
（3）确定试样的导电类型，载流子浓度以及迁移率
实验仪器
1. TH— H型霍尔效应实验仪，主要由规格为 >3.00kGS/A电磁铁、N型半导体硅单晶切薄片式 样、样品架、IS和|M换向开关、VH和V。（即VAC）测量选择开关组成。
2 . TH- H型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏表组成。
实验原理
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子
（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷
的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（ 1） （ a）所示的N型半导体试样，若
在X方向的电极D、E上通以电流Is,在Z方向加磁场B，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力：
在产生霍尔效应的同时， 因伴随着多种副效应， 以致实验测得的 A、A '两电极之间的电压并图（1）霍尔效应示意图
则在Y方向即试样A、A'电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场 ---霍尔电场。电场
的指向取决于试样的导电类型。对 N型试样，霍尔电场逆 Y方向，P型试样则沿Y方向，其一般 关系可表示为
IgCX),B(2)
显然，该霍尔电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力
与洛伦兹力FE相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，此时有 eEH
E=eEn (2)
其中EH为霍尔电场强度，I是载流子在电流方向上的平均漂移速率。
设试样的宽度为 b,厚度为d，载流子浓度为n,则
Is n evbd (3)
由（2）、（ 3）两式可得
VH E Hb 1 I SB
ned d RH I SB
d
不等于真实的VH值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产 生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中 消除，具体的做法是Is和B的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列
+1 s，-B ，V2
-I s，-B，V
根据RH可进一步确定以下参数
(1) 由RH的符号(或霍尔电压的正、负)判断试样的导电类型。判断的方法是按图( 1)所示
的Is和B的方向，若测得的 VH= VAA，V 0,(即点A的电位低于点 A '的电位)贝y RH为负，样品 属N型，反之则为P型。
子都具有相同的漂移速率得到的，如果考虑载流子的漂移速率服从统计分布规律，需引入修正因
子 3 n /8。
(3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率□。电导率b可以通过图( a)所示的AC电极
进行测量。设 A、C间的距离L=3.00mm,样品的横截面积为 S=bd,流经样品的电流为Is,在零磁场 下，若测得A、C间的电位差为 Vb,可由下式求得b,
IsL
V S
电导率b与载流子浓度 n以及迁移率□之间有如下关系：
(8)
根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大(即迁移率□高、电阻率P
亦较高)的材料。因|RH| = ^P,就金属导体而言，□和P均很低，而不良导体P虽高， 但卩极小, 因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体卩高，P适中，是制造霍
尔器件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔器件都采用 N型材料，又
由于霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此，薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状要高得多。 就霍尔元件而言，其厚度是一定的，所以实用上采用 四组不同方向的 Is和B组合的两点之间的电压 VI、V2、V3、和 V4，即 +1 S, +B，VI
-I s， +B，
然后求上述四组数据
V1 V2 VH ------------------- V4
VI、V2、V3和V4的代数平均值，可得：
------------ (mV) ( 5)
4
通过对称测量法求得的 VH,虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可以略而
不计。
由式(4)可知霍尔电压 VH (A、A '电极之间的电压)与IsB乘积成正比，与试样厚度 d成
反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
以及知道Is (A)、B(T) 和 d (nr)可按下式计算 RH霍尔系数
n e 只要测出VH(V)
VHd
IsB (6)
(2)求载流子浓度。 可求出载流子浓度。 应该指出，这个关系式是假定所有的载流
(7)
(r= n e
b,通过实验测出b值即可求出卩。 即卩=|RH|
n e d
(9) 来表示霍尔元件的灵敏度， KH称为霍尔元件灵敏度。单位为 mV/
( mA- T)或mV/ (mA kGs)
(10) 电导率c的测量，0可以通过图 2-21所示的A、C间的距离为I, 样品的横截面积为S=bd，流经样品的电流为Is，在零磁场下，若测得 A、 C
(A '、C‘)间的电位差为 V c(Vac),可由下式求得c
(T =Isl/V c S
实验步骤
按图(2)连接测试仪和实验仪之间相应的 Is、VH和IM各组连线，Is及IM换向开关投向上方，表 明Is及IM均为正值(即Is沿X方向，B沿Z方向)，反之为负值。 VH、Vc切换开关投向上方测 VH,投向下方测Vc (样品各电极及线包引线与对应的双刀开关之间连线已由制造厂家连接好)。
I.
口
I
图(2) 霍尔效应实验仪示意图
接线时严禁将测试仪的励磁电源“ IM输出”误接到实验仪的“ Is
否则一旦通电，霍尔元件即遭损坏！
(2) 对测试仪进行调零。将测试仪的“ Is调节”和“ I M调节”
钟后若VH显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零，
(3) 测绘VH— Is曲线。将实验仪的“ VH、Vc”切换开关投向VH侧，测试仪的“功能切换”置
VH。保持IM值不变(取IM= 0.6A)，测绘VH— Is曲线。
(4) 测绘VH— Is曲线。实验仪及测试仪各开关位置同上。 保持Is值不变，(取Is = 3.00mA),
测绘VH— Is曲线。
(5) 测量仏值。将“ M、Vc”切换开关投向V。侧，测试仪的“功能切换”置在零磁场下，取 Is =
2.00mA,测量V&。注意：Is取值不要过大，以免 Vc太大，毫伏表超量程(此时首位数码显示 为1,后三位数输入”或“ VH、Vc输出”处,
旋钮均置零位，待开机数分
即“ 0.00 ”。
码熄灭)。
(6) 确定样品的导电类型。 将实验仪三组双刀开关均投向上方， 即Is沿X方向，B沿Z方向, 毫伏表测量电压为 VAA。取Is = 2mA I M= 0.6A，测量VH大小及极性，判断样品导电类型。
(7) 求样品的RH、n、c和 卩值。
实验数据与结果
(1 )测绘VH- Is曲线，数据记录如下
Is
(mA) V1 (mV V2 (mV V3 (mV V4 (mV V1 W V3 V4 VH (mV) 4 + Is 、+B +Is、-B -Is 、-B -Is、+B
1.00 3.21 -3.01 2.80 -3.42 14.11
1.50 4.88 -4.47 4.26 -5.09 20.36
2.00 6.54 -5.93 5.72 -6.75 26.57
2.50 8.17 -7.36 7.15 -8.38 32.74
3.00 9.85 -8.83 8.62 -10.06 40.68
4.00 13.17 -11.74 11.52 -13.38 36.43
其中电流范围：IM= 0.6A ; Is取值：1.00-4.00 mA。
图形如下(横坐标为I s/mA,纵坐标为WmV)
Vh
(2)绘测VH- IM曲线，数据记录如下
I M
(A) V1(mV) V2 (mV V3 (mV V4 (mV V； - V: - Vt
嗟= W)
4 + Is、+B +Is、-B -Is 、-B -Is、+B
0.300 5.19 -4.15 3.94 -5.41 4.6725
0.400 6. 75 -5.72 5.50 -6.97 6. 235
0.500 8.30 -7.28 7.07 -8.53 7.795
0.600 9.87 -8.85 8.64 -10.08 9.36
0.700 11.40 -10.40 10. 18 -11.63 10.902
0.800 12.95 -11.95 11.73 -13.16 12.44
