电容充电放电时间计算公式

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(转)电容充电放电时间计算公式 RC电路
注:exp()表示以e为底的指数函数;Ln()是e为底的对数函数
设,V0 为电容上的初始电压值;V1 为电容最终可充到或放到的电压值; Vt 为t时刻电容上的电压值。
则,
Vt="V0"+(V1-V0)* [1-exp(-t/RC)]
或,
t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]

例如,电压为E的电池通过R向初值为0的电容C充电
V0=0,V1=E,故充到t时刻电容上的电压为:
Vt="E"*[1-exp(-t/RC)]

再如,初始电压为E的电容C通过R放电
V0=E,V1=0,故放到t时刻电容上的电压为:
Vt="E"*exp(-t/RC)

又如,初值为1/3Vcc的电容C通过R充电,充电终值为
Vcc,问充到2/3Vcc需要的时间是多少?
V0=Vcc/3,V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3,故
t="RC"*Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC*Ln2
=0.693RC
Q值
如何理解Q值和ESR值评估高频贴片电容器的一个重要性能指标是品质因素Q,或者是与其相关的等效串联电阻(ES
R)。本公司除了提供性能卓越的射频RF 元器件外,还致力于为客户提供精确和完整的性能资料。为了达到这个目标,
这篇文章里我们详细的讨论Q和ESR的测量方法和理解。理论上,一个“完美”的电容器应该表现为ESR为零欧姆、
纯容抗性的无阻抗元件。不论何种频率,电流通过电容时都会比电压提前正好90度的相位。实际上,电容是不完美的,
会或多或少存在一定值的ESR。一个特定电容的ESR随着频率的变化而变化,并且是有等式关系的。这是由于ESR的
来源是导电电极结构的特性和绝缘介质的结构特性。为了模型化分析,把ESR当成单个的串联寄生元。过去,所有的
电容参数都是在1MHz的标准频率下测得,但当今是一个更高频的世界,1MHz的条件是远远不够的。一个性能优秀的
高频电容给出的典型参数值应该为:200MHz ,ESR=0.04;900MHz, ESR=0.10;2000MHz,ESR=0.
13。 Q值是一个无量纲数,数值上等于电容的电抗除以寄生电阻(ESR)。 Q值随频率变化而有很大的变化,这
是由于电抗和电阻都随着频率而变。频率或者容量的改变会使电抗有着非常大的变化,因此Q值也会跟着发生很大的变
化。从公式一和二上可以体现出来:公式一:|Z| = 1 / ( 2πf C)其中,|Z|为电抗的绝对值,单位;f为频率,单
位Hz;C为容量,单位元F。公式二:Q = |Z| / ESR其中,Q代表“品质因素”,无量纲;|Z|为电抗的绝对值,
单位;ESR为等效串联电阻,单位。用从向量网路分析器收集而得的S参数去推导ESR是不可信的。主要原因是
这个资料的精度受限于网路分析器在50系统中的精度(典型的± 0.05 dB测量精度在电容低到±0.01 dB低损耗
区是精度不足的)。同样,用LCR仪表去测量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。这是由于当元件的Q 值非常高时,
LCR 仪表不能正确地分辨出非常小的电阻(R)和非常大的电抗(Z)。因此,高Q电容器的ESR和Q的测量方法,
一般使用作为行业标准的谐振线路测试法。这种测试方法作为在射频RF上测量Q和ESR 的行业标准而长期存在。因
为该方法依赖于信号发生器的频率精确度(该频率可以非常精确的测量),所以该资料的采样方式是十分精确的。现代
的电容ESR非常之小,以至于这个测量方法的精度也只能达到接近±10%。但不管如何,这仍然是目前最精确的在射
频RF方面有效测量Q和ESR的方法