国家重点实验室自主研究课题

先进轨道交通自主运行全国重点实验室开放课题基金申
请指南
一、总则
1. 目的：为了促进先进轨道交通自主运行领域的研究，提高我国在该领域的国际竞争力，特设立先进轨道交通自主运行全国重点实验室开放课题基金。

2. 基金资助范围：面向全国，资助与先进轨道交通自主运行相关的创新性、探索性、交叉性课题研究。

3. 申请资格：具有博士学位，充分了解国内外相关研究领域发展现状与前沿的实验室固定人员自由申请，自主选题。

二、申请与评审
1. 申请材料：申请人需提交完整的申请书，包括研究内容、目标、方法、预期成果及经费预算等内容。

2. 评审标准：评审将主要依据申请书的研究内容是否具有创新性、是否符合实验室的研究方向和目标、是否具有可行性及预期成果等进行评估。

3. 评审流程：申请材料将由专家委员会进行初审和复审，通过者将进行现场答辩。

最终结果将由实验室主任批准。

三、资助与实施
1. 资助额度：根据课题的重要性和预期成果，资助额度将分为10-20万元不等，一般分三批拨付，中期经费的拨付以完成国家自然科学基金项目的申报或已投稿高水平论文为依据。

2. 实施年限：课题实施年限一般为1-2年。

3. 研究报告与论文：课题完成后，申请人需提交研究报告和至少2篇论文，论文需在实验室认定的本领域国内外有影响力的期刊上发表。

4. 经费使用：申请人需严格按照经费预算使用经费，并接受实验室的审计。

四、其他
1. 本指南的解释权归实验室所有。

2. 本指南自发布之日起生效。

希望这份指南对您有所帮助，如有任何疑问，请联系先进轨道交通自主运行全国重点实验室。

2023年重点实验室开放课题指南一、引言为推动我国科学技术的发展，提高国家创新能力，我实验室决定启动2023年重点实验室开放课题计划。

本指南旨在明确研究方向、研究内容和目标，鼓励各界科研人员积极参与，共同推动我国科技创新事业的发展。

二、研究领域与方向1. 人工智能与机器学习：鼓励在深度学习、自然语言处理、计算机视觉等领域开展创新性研究，探索人工智能技术在医疗、教育、工业等领域的应用。

2. 物联网与大数据技术：研究物联网技术在智能制造、智慧城市等领域的应用，探索大数据分析在商业预测、社会治理等方面的价值。

3. 生物技术与医药工程：开展基因编辑、生物药物、纳米医学等前沿领域的研究，为新药研发、疾病治疗及健康管理提供技术支持。

4. 新能源与环境科学：研究高效储能、光电转换、节能减排等技术，为解决全球环境问题和促进可持续发展提供解决方案。

5. 材料科学与工程：重点开展新材料、纳米材料等领域的研究，为新一代信息技术、生物技术、新能源等领域提供关键材料支撑。

6. 电子信息工程与技术：研究新型电子器件、集成电路设计、半导体技术等，为现代通信、智能制造等领域提供技术保障。

7. 交叉学科与新兴领域：鼓励跨学科研究，在人工智能与生物医药、新能源与新材料等交叉领域开展创新性研究。

三、研究内容与目标1. 人工智能与机器学习：针对医疗影像分析、智能语音识别、自动驾驶等领域开展深入研究，提高人工智能技术的准确性和可靠性。

2. 物联网与大数据技术：研究物联网在智能制造、智慧城市等领域的应用解决方案，提高数据采集、分析和利用效率。

3. 生物技术与医药工程：开展基因编辑技术、个性化治疗等研究，为新药研发和疾病治疗提供新的手段。

4. 新能源与环境科学：研究高效储能技术、光电转换材料及节能减排方案，为绿色能源和可持续发展提供支持。

5. 材料科学与工程：研究新型材料和纳米材料制备技术，开发具有高性能、低成本、环保等特点的新材料。

6. 电子信息工程与技术：研究新型电子器件和集成电路设计技术，提高电子产品的性能和可靠性。

环境模拟与污染控制国家重点联合实验室（清华大学）2014年度开放课题申请指南按照国家重点实验室“开放、流动、联合、竞争”的八字方针，环境模拟与污染控制国家重点联合实验室对外开放，接受国内外学者申请。

依据《国家重点实验室建设与管理暂行办法》、财政部《关于下达国家（重点）实验室专项经费的通知》和科技部《关于组织制定国家重点实验室工作计划的通知》，现发布《环境模拟与污染控制国家重点联合实验室（清华大学）2014年度开放课题申请指南》如下：1. 2014年度支持的研究方向：方向一：环境监测与系统模拟（1）环境监测（2）系统模拟方向二：污染物迁移转化及环境效应（3）污染物迁移转化（4）环境生态与健康方向三：水质安全保障理论与技术（5）化学风险控制（6）生物风险控制（7）能源与资源回收方向四：大气复合污染及控制理论与技术（8）区域大气复合污染机制（9）大气污染物的来源解析与控制对策（10）大气污染控制技术方向五：生态过程与管理（11）流域生态过程与环境修复（12）全球变化及其响应（13）区域与城市生态2. 经费支持额度：开放基金课题10项, 每个课题8万元，资助期限2年。

3. 申请时间：申请时间从发布通知之日开始，截止日期为：2014年4月30日4. 申请条件：(1) 开放基金课题的申请面向非本国家重点实验室研究人员。

(2) 申请的课题应符合申请指南，有创新性和探索性，学术思想新颖，目标明确，研究方案切实可行。

(3) 课题组以中青年科技人员为主，学风正派，工作勤奋。

5．课题结题及成果标注(1) 课题结题时要求至少在国内核心期刊上发表文章2篇，发表论文时，需注明获本基金资助。

标注如下：国家重点实验室专项基金课题×××（课题编号），本课题得到环境模拟与污染控制国家重点联合实验室专项经费的资助。

（This project is supported by special fund of State Key Joint Laboratory of Environment Simulation and Pollution Control）(2) 分别在课题执行一年和两年时做中期汇报和结题汇报。

宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室2017-2018年开放基金课题指南碳化硅(SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、导热能力好等性能优势，以此加工制造的宽禁带电力电子器件具有高频、高压、高效、耐高温、抗辐照、高可靠和大功率的优势和特性,被誉为带动“新能源革命"的“绿色能源”器件，对国民经济和国防领域有着十分巨大的牵拉带动作用.宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室瞄准国际技术研究前沿和我国重大应用需求，将开展一系列关键技术及专项研究攻关.为支撑实验室研究工作，提升自主创新能力,促进学科交叉和高水平学术交流，实验室发布2017-2018年开放基金课题如下:(一)SiC沟槽MOSFET器件关键技术研究1、研究目标针对高电流密度、高可靠SiC功率MOSFET研制要求，开展沟槽结构SiC MOSFET的结构设计和工艺技术研究.探索SiC沟槽MOSFET芯片的设计仿真方法，建立器件物理结构形式对沟槽底部电场分布的作用规律，阐明强电场引起栅介质失效的机理,提出并实现增强栅介质可靠性的加固新结构。

开展高质量SiC沟槽形成工艺与栅介质形成技术研究，建立U型槽刻蚀工艺、槽侧壁离子注入和栅介质形成等关键工艺技术，研制出具有高栅介质可靠性、高电流密度的SiC功率MOSFET器件样品。

2、主要研究内容1）高电流密度SiC沟槽MOSFET芯片结构设计；2）S iC沟槽MOSFET栅介质可靠性加固技术研究;3）高质量SiC沟槽与栅介质形成工艺技术研究。

3、技术指标1200V SiC沟槽MOSFET样品:1）单芯片导通电阻80mΩ;2）比导通电阻 4.5mΩ∙cm2；3）最大工作栅压下栅介质电场强度<3MV/cm。

4、进度要求18个月。

5、经费要求建议不超过30万元。

6、成果形式1）S iC沟槽MOSFET样品；2）发表高水平论文3篇；3）申请发明专利2项；4）技术研究报告3份。