模拟电子技术课程习题 第一章 常用半导体器件

第一章 常用半导体器件

1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]

A. NPN型硅管

B. PNP型硅管

C. NPN型锗管 图1.1 e 2V 6V c

D. PNP型锗管 1.3V b

1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]

A. 饱和

B. 放大

C. 截止 图1.2

D. 已损坏

1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 [ ]

A.I=2mA B.I<2mA

C.I>2mA D.不能确定

图1.3

1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是

[ ]

A.仍等于0.7V B.大于0.7V

C. 小于0.7V D.不能确定

图1.4

1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]

A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]

A.ICBO B.ICES C.ICER D.ICEO

1.7二极管的主要特性是 [ ]

A.放大特性 B.恒温特性

C.单向导电特性 D.恒流特性 1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ ]

A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

1.9 下列选项中，不属三极管的参数是 [ ]

A.电流放大系数β B.最大整流电流IF

C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM

1.10 温度升高时，三极管的β值将

A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

1.11 在N型半导体中，多数载流子是 [ ]

A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质

1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ ]

A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小

C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大

1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 [ ]

A. 0.1 mA B. 2.5mA

C. 5mA D. 15 mA

图 1.13

1.14 在P型半导体中，多数载流子是 [ ]

A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质

1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ]

A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；

B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；

C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；

D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。

1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [ ]

A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区

1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是 [ ]

A.电流放大系数β B.跨导gm=ΔID/ΔUGS

C.开启电压UT D.直流输入电阻RGS 1.18 下列选项中，不属 场效应管直流参数的是 [ ]

A.饱和漏极电流IDSS B.低频跨导gm

C.开启电压UT D.夹断电压UP

1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是 [ ]

A 多子 B 少子 C 多子和少子 D 多子或少子

1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 [ ]

A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏

C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏

1.21 选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）

2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)

3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β ，反向饱和电流ICBO ，正向结电压UBE 。(a.变大，d.变小，c.不变)

4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)

1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空：

1、在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度；

2、在P型半导体中，电子浓度 空穴浓度；

3、在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度。

1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）

2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ）

3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）

4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）

5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ）

7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ）

8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ）

9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ）

10、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。 （ ）

11、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。 （ ）

12、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到

0.6060()100BEbeBUrkI （ ）

1.24 选择正确的答案填空：

1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出 最为方便。

a.中极间电阻 b.各极对地电位 c.各极电流

2、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%），则电流ID 。

a.约为11mA（也增加10%）； b.约为20mA（增大1倍）；

c.约为100mA（增大到原先的10倍）； d.仍为10mA（基本不变）。

3、设电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上升到40℃时，则UD的大小将是 。

a. I=2mA b. I<2mA c. I>2mA

1.25 填空：

1、半导体中载流子的基本运动形式有： 和 。

2、二极管的最主要特性是 ，它的两个主要参数是反映正向特性的

和反映反向的特性的 。 3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约

V。

4、场效应管从结构上分成 和 两大类型。它们的导电过程仅仅取决于 载流子。