Q68000-A8000中文资料
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IRL 81 A
Semiconductor Group1
GaAlAs-Infrarot-SendediodeGaAlAs Infrared EmitterWesentliche MerkmaleqGaAIAs-Lumineszenzdiode im nahenInfrarotbereichqKlares Kunststoff-Miniaturgehäuse,seitliche AbstrahlungqPreisgünstigqLange Lebensdauer(Langzeitstabilität)qWeiter Öffnungskegel (±25°)qPassend zu Fototransistor LPT 80 AAnwendungenqFertigungs- und Kontrollanwendungender Industrie, die eine Unterbrechungdes Lichtstrahls erfordernqLichtschrankenFeaturesqGaAIAs infrared emitting diode in the nearinfrared rangeqClear plastic package with lateral emissionqCost-effectiveqLong-term stabilityqWide beam (±25°)qMatches phototransistor LPT 80 AApplicationsqFor a variety of manufacturing andmonitoring applications which require beaminterruptionqLight barriersTypTypeBestellnummerOrdering CodeIRL 81 AQ68000-A8000IRL 81 A
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
e
o
f
6
4
6
1
10.95
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Semiconductor Group2
IRL 81 A
Grenzwerte(TA = 25°C)
Maximum Ratings
1)
Ein Silizium-Empfänger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach
der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1)
A 1 cm2silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is
used.
BezeichnungDescriptionSymbolSymbolWertValueEinheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top;T
stg
– 40...+ 100°C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
100mA
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200mW
Verringerung der Verlustleistung,
T
A
> 25°CDerate above,TA > 25°C1.33mW/°C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
375K/W
Kennwerte(
T
A
= 25°C)
Characteristics
BezeichnungDescriptionSymbolSymbolWertValueEinheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung bei
I
maxWavelength of peak emissionλpeak
880nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
∆λ36...44nm
AbstrahlwinkelHalf angleϕ±25Grad
deg.
Durchlaßspannung,IF = 20 mAForward voltageVF1.5 (≤2.0)V
Strahlstärke
1)
,IF = 20 mARadiant intensityIe≥1.0mW/sr
Gesamtstrahlungsfluß,
I
F = 20 mATotal radiant fluxΦe
1.5mW
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IRL 81 A
Semiconductor Group3
Relative spectral emissionIrel=f(λ)Max. forward currentIF=f (TA)Forward current
I
F=f(VF
)
Directional characteristicsIrel=f (ϕ)
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