(完整word版)量子点LED专题报告
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半导体量子点在LED照明中的应用研究近年来,随着照明技术的不断提升, LED 照明已经得到了广泛应用。
作为一种节能、环保、寿命长的照明方式,LED 照明在公共场所、办公室、家居等领域已经成为了主流。
而为了进一步提升 LED 照明的性能和效果,半导体量子点技术的应用研究引起了越来越多的关注。
半导体量子点是一种非常重要的纳米材料,它具有优异的光电性能和优良的物理化学性质。
量子点的主要特点就是其能够产生各种颜色的色度均匀的光线,从紫色到红色的全谱带宽,这是市面上传统的白光 LED 所不能匹敌的。
这意味着通过使用量子点材料,可以实现更加准确、纯净、高饱和度的白光。
目前,半导体量子点技术在 LED 照明中的应用主要是将量子点分散在或粘贴在照明设备的透明基底上,然后配合 LED 光源使用。
对比于传统的白光 LED,半导体量子点技术可以实现更加均匀的光谱分布,而且色温更加均匀,更加逼近自然光。
在实际应用中,半导体量子点技术的应用主要有以下几个方面:1. 调节颜色饱和度。
量子点可以很好地控制粉色和洋红等颜色的生成。
色彩更加饱和,使得颜色更加鲜艳,对于照片和画册等颜色要求较高的产品具有应用价值。
2. 增强色调。
能够为照明装置产生较高的色度。
可以产生具有独特效果的照明设备,可以吸引更多消费者,增加产品的销售额。
3. 提高色彩温度。
在不影响颜色品质的前提下,可以使用量子点技术实现更高的色彩温度。
这个对于那些有高要求且长时间使用的照明领域非常重要,如手术室、工厂车间、商场等场所。
在实际应用中,半导体量子点技术的优点体现在以下几个方面:1. 提高颜色品质。
在最广义的意义上,掺杂半导体量子点可以带来高质量的颜色。
这种颜色不仅具有色度和色温变化的控制能力,而且也具有可重现性和稳定性。
2. 为灯泡创造一个更大的市场。
量子点材料的应用让灯泡的颜色及光谱种类具有更多产品差异性,因而可以满足消费者的需求,因此市场也更加不可估量。
3. 减轻环境污染。
2022-2022年量子点发光二极管(QLED)行业前景分析及投资规划报告范文(研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网报告目录第一章量子点发光二极管(QLED)基本介绍第一节、QLED相关概述一、QLED概念界定二、QLED的结构及特点三、QLED的分类四、QLED的工作原理五、QLED的产品性能第二节、QLED的优势一、成像器件小二、制作过程简单三、成像效果好四、节能第二章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)上游材料——量子点分析第一节、量子点相关介绍一、量子点的概念及类型划分二、量子点的基本特性及构成三、量子点的能级结构及发光机理四、量子点的优点五、影响量子点发光效率的因素六、国内外制备的量子点材料第二节、量子点材料的应用分析研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网一、量子点技术在国防、航空航天和能源等方面的应用二、量子点在发光二极管中的应用分析三、量子点层厚度对QLED发光特性的影响第三节、量子点材料应用前景及趋势一、量子点材料的应用前景二、纳米量子点材料在LED中的应用展望三、未来量子点技术应用将更广泛第三章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)的制备与稳定性研究分析第一节、胶体量子点的制备与特性一、胶体量子点的化学合成二、胶体量子点的特性第二节、胶体量子点在发光上的应用一、量子点的色彩可调性和纯正性二、量子点的发光性能三、量子点的溶解性能四、量子点的稳定性第三节、电驱动量子点发光二极管的演变一、聚合物作为电荷传输层的QLED器件二、有机小分子作为电荷传输层的QLED器件三、全无机的QLED器件四、有机空穴传输层与无机电子传输层混合的QLED第四节、量子点发光二极管(QLED)性能影响研究分析一、电荷传输材料对QLED器件性能的影响二、量子点的短链配体交换对QLED的性能的影响研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网三、QLED中PEDOT-PSS膜的硫酸处理对器件空气发光稳定性的影响第四章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)发展现状分析第一节、全球QLED市场竞争现状一、英国二、德国三、美国四、中国第二节、QLED发展现状浅析一、QLED即将登陆市场二、QLED产业布局三、QLED的应用现状第三节、QLED研发状况分析一、QLED的研发现状二、OLED特性研究进展三、QLED显示屏研究进展第四节、QLED对市场的影响一、QLED促使显示市场竞争白热化二、QLED为广色域带来机遇三、QLED新型器件将颠覆显示及照明技术第五节、QLED存在的问题及发展策略一、QLED存在的不足二、QLED发展需构建全球供应链第五章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)下游应用市场发展现状第一节、电视机市场研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网一、中国彩色电视机产量分析二、中国电视剧市场销售现状三、中国液晶电视市场格局分析四、中国智能电视市场格局分析五、QLED将改变电视市场格局第二节、平板电脑市场一、全球平板电脑市场发展现状二、中国平板电脑市场格局分析三、中国平板电脑市场销售现状四、中国平板电脑消费者行为解析五、中国平板电脑市场前景及趋势分析第三节、智能手机市场一、全球智能手机市场现状分析二、中国智能手机产品产量分析三、中国智能手机市场竞争状况四、中国智能手机行业SWOT分析五、中国智能手机行业投资潜力分析六、中国智能手机发展趋势分析第六章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)替代品——LED的发展第一节、全球LED产业发展状况分析一、市场基本格局二、产业发展动态三、全球市场规模四、区域发展格局研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网五、欧盟白炽灯禁令生效六、LED户外照明换装潮第二节、中国LED产业发展综述一、LED改变照明产业格局二、我国LED产业发展特征三、LED政策发布实施状况四、LED产业发展的驱动因素五、本土企业发力LED定价权六、各地积极发展LED照明第三节、2022-2022年中国LED产业分析一、2022年LED产业规模二、2022年LED市场态势三、2022年LED产业规模四、2022年LED市场态势五、2022年LED产业规模六、2022年LED并购动态第四节、中国LED行业SWOT分析一、优势(Strength)二、劣势(Weaknee)三、机会(Opportunitie)四、威胁(Threat)第五节、中国LED产业存在的问题一、LED产业发展存在的不足二、制约LED发展的瓶颈研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网三、本土LED照明企业的顽疾五、国内LED市场混乱亟待规范第六节、中国LED产业发展的对策及建议一、LED产业发展对策二、推动LED产业发展的措施三、LED产业跨越式发展策略四、加速LED技术进步的思路五、发展家用LED照明市场第七节、中国LED行业发展前景及趋势预测一、中国LED产业发展潜力广阔二、中国LED产业发展前景乐观三、未来我国LED产业规模预测四、我国LED行业智能化发展趋势分析第七章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)替代品——OLED的发展第一节、全球OLED产业的发展分析一、全球OLED产业发展综述二、全球OLED产业技术研发状况三、全球OLED产业链企业分析四、全球OLED产业竞争格局分析六、全球OLED产业发展预测分析第二节、中国OLED产业发展分析一、中国OLED产业发展综述研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网二、中国OLED产业发展现状三、中国OLED领域专利分析四、OLED照明发展策略分析五、我国OLED企业发展策略六、中国OLED市场发展前景第三节、中国OLED产业面临的挑战与发展一、影响OLED产业化进程的主要因素二、OLED产业发展的制约瓶颈分析三、我国OLED产业存在的问题四、我国OLED显示器市场面临重重考验五、推动我国OLED产业发展的对策第四节、中国OLED产业发展前景分析一、中国OLED产业的发展机遇二、中国OLED产业发展潜力分析三、未来OLED技术发展的侧重点第八章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)相关进出口数据分析第一节、2022-2022年中国发光二极管进出口数据分析一、进出口总量数据分析二、主要贸易国进出口情况分析三、主要省市进出口情况分析第二节、2022-2022年中国装有液晶装置或发光二极管的显示板进出口数据分析一、进出口总量数据分析二、主要贸易国进出口情况分析研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网三、主要省市进出口情况分析第九章2022-2022年量子点发光二极管(QLED)重点企业分析第一节、苹果公司一、公司发展概况二、2022财年经营状况三、2022财年经营状况四、2022财年经营状况五、公司QLED领域发展现状六、公司发展前景展望第二节、三星电子一、公司发展概况二、2022年经营状况三、2022年经营状况四、2022年经营状况五、公司QLED领域发展现状六、公司发展前景展望第三节、LG集团一、公司发展概况二、2022年经营状况三、2022年经营状况四、2022年经营状况五、公司QLED领域发展现状六、公司发展前景展望第四节、TCL集团研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网一、公司发展概况二、经营效益分析三、业务经营分析四、财务状况分析五、未来前景展望六、公司QLED领域发展七、公司发展前景展望第十章量子点发光二极管(QLED)发展前景及预测第一节、中国QLED发展前景展望一、QLED发展前景分析二、未来量子点显示产品产值预测第二节、2022-2022年中国QLED市场预测分析一、中国QLED市场发展因素分析二、2022-2022年中国发光二极管进出口总额预测三、2022-2022年中国装有液晶装置或发光二极管的显示板进出口总额预测图表目录图表1微接触印刷技术的流程示意图图表2TypeVIQLED结构示意图(a)和能带示意图(b)图表3QDViion公司生产的TypeVIQLED图表4QLED显示器显示和发光的数码照片图表5量子点的工作原理图研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网图表6不同尺寸纳米晶体的能级结构示意图图表7不同尺寸CdSe/ZnS量子点的发光光谱图表8量子点结构示意图图表9量子点能级结构图表10RGB三基色对应的CdSe粒径尺寸图表11体相半导体(左)与量子点(右)发光原理示意图图表12Nanoco公司不同型号CdSe量子点材料特性图表13中科物源生物技术有限公司油溶性CdSe量子点材料特性图表14中科物源生物技术有限公司水溶性羧基CdTe量子点材料特性图表15量子点在军事和情报中的应用图表16量子点发光二极管的结构图图表17不同层的能级图图表18TiO2薄膜某RD图谱图表19量子点层的旋涂转速与电致发光强度和J-V曲线关系图图表20不同旋涂转速对应的量子点层厚度图表21量子点层在不同旋涂转速下制备的量子点发光二极管的发光照片图表22胶体量子点的结构模拟图以及核量子点和核壳结构的量子点的形貌图图表23Lamer“成核扩散控制模型”图表24连续离子层吸附反应法合成核CdSe量子点的壳的过程图图表25胶体量子点发光的可调性(a)和色纯度(b)图表26胶体量子点的在显示器和SSL应用中的光学优势图图表27橙色/红色量子点发光二极管的峰值EQE和峰值亮度随时间的发研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网展趋势图表28类型Ⅰ的QD-LED的发光机理图表29类型Ⅱ的QD-LED的结构示意图和与之对应的可见光范围的发光光谱图表30结构类型Ⅲ的QD-LED在高交流电压驱动下的发光机理图表31第一个用ZnO作为电子传输层的类型Ⅳ结构的QD-LED的能级结构图图表32二氧化钛溶胶作为电子传输层的QD-LED器件的能级结构图图表33电流密度(J)随电压变化的曲线图表34发光效率、外量子效率以及发光功率效率随亮度的变化曲线图表354英寸的像素为320某240的使用交联QD-LED作为无定形硅薄膜晶体管背板的显示图像图表36ZnO纳米晶作为电子传输层的类型ⅣQD-LED器件的能级结构图图表37基于ZnO纳米晶的(橙)红绿蓝三种颜色的类型ⅣQD-LED器件的电致发光光谱图表38三个器件的发光亮度随电压的变化曲线图表39三个器件的发光效率和发光功率效率随亮度的变化曲线图表40采用微接触印刷技术制备的第一个由红绿蓝色的类型ⅡQD-LED发光点组成的图案实例图表41使用相同技术制备的类型Ⅳ结构的红绿蓝QD-LED的全色有源矩阵显示器图表42空穴传输材料Poly-TPD与TFB在基本器件上的结构对比图图表43两个对比器件a和b的EL光谱(黑色和红色实线)以及器件中研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网的有机聚合物Poly-TPD(品红色虚线)和TFB(深黄色虚线)及发光量子点(蓝色虚线)的PL光谱图表44器件a和b的J-V曲线图表45器件a和b的发光效率(虚线)和亮度(虚线)与电流密度的关系图图表46器件的能级结构示意图图表47不同Poly-TPD的QD-LED基本器件的发光亮度的稳定性图表48两个厂家的Poly-TPD的吸收与荧光对比(a)以及红外对比图(b)图表49引进ZnO纳米晶后的器件结构示意图图表50不同配比下生成的ZnO溶胶的紫外-可见吸收光谱(a)和荧光光谱(b)图表51不同提纯方法下获得的ZnO纳米晶的TEM图图表52不同反应温度下获得的ZnO的紫外-可见吸收光谱(a)和荧光光谱(b)图表53器件的EL光谱(实线)与器件中的有机聚合物Poly-TPD及量子点的PL光谱(虚线)图表54不同反应温度(20-8℃,20℃和30℃)下制备的ZnO纳米晶对应QD-LED器件的电流密度和发光亮度(a)以及发光效率和发光功率效率(b)随电压的变化曲线图表55放置不同时间的ZnO纳米晶对器件的EL性能影响图表56在冰箱中放置小于15天(a)与大于15后(b)的ZnO纳米晶的HTEM图图表57通过热蒸发制备的Al阴极薄膜的AFM图研究报告,行业研究报告,市场调研报告,咨询报告,产业研究,中国商业数据网图表58红绿蓝三种QD-LED的发光亮度和发光效率随电压的变化曲线(左)及相应发光照片(右)图表59不同链长(十二、八、四烷基)的硫醇对量子点的配体交换后的红外图谱图表60不同链长配体交换后的量子点的吸收与荧光对比图表61不同链长配体交换后的量子点的QD-LED的性能对比图表62不同链长配体交换后的量子点的QD-LED的开启电压对比图表63不同反应溶剂下用八烷基硫醇对量子点进行配体修饰后的对应器件的性能对比图表64不同反应时间下的量子点的发光二极管的性能对比图表65不同反应温度下的量子点的发光二极管的性能对比图表66基本器件的结构示意图图表67不同硫酸处理次数(1次,2次和3次)的器件性能对比图表68不同硫酸浓度对应的器件的电流密度(a)和亮度(b)对比图表69不同硫酸处理温度对应的器件的电流密度(a)和亮度(b)对比图表70Poly-TPD(品红色虚线)和CdSe/ZnS纳米晶(蓝色虚线)的溶液的PL光谱及两个对比器件的电致发光光谱(EL)图表71酸处理和无酸处理对应的两个器件的开启电压对比图图表72硫酸处理和无酸处理的两个器件的最大电流密度(J)和流明亮度(L)图表73硫酸处理和无酸处理的两个器件的最大流明亮度值对应电压(L-V)随时间的变化图表74PEDOT:PSS膜与构建在空穴传输层之上的量子点层的SEM图。
LED用ZnO/CdS量子点的制备及其光学性能的研究的开题报告题目:LED用ZnO/CdS量子点的制备及其光学性能的研究一、研究背景随着LED技术的不断发展,高效、稳定、低成本的LED材料的研究日益受到人们的关注。
量子点材料具有优异的光学性能,被认为是一种很有前途的LED材料之一。
在量子点材料中,ZnO/CdS量子点由于其优秀的光学性能,尤其是其高的荧光量子产率以及可调控的荧光发射波长,受到了广泛关注。
因此,探究LED用ZnO/CdS量子点的制备及其光学性能对于提高LED材料的性能和开发新型LED材料具有重要的意义和价值。
二、研究目的本研究将对LED用ZnO/CdS量子点的制备方法进行优化研究,探究不同制备条件对量子点荧光性能、量子点电子传输性能的影响,并通过光电特性测试手段对其光学性能进行评估,为LED材料的研发提供参考和指导。
三、研究内容1.制备ZnO/CdS量子点材料;2.通过优化制备条件探究不同制备条件对量子点荧光性能、量子点电子传输性能的影响;3.利用光电特性测试手段对其光学性能进行评估。
四、研究方法1.制备ZnO/CdS量子点材料:采用溶剂热法进行制备,并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等手段对样品进行表征;2.探究不同制备条件对量子点荧光性能、量子点电子传输性能的影响:通过改变制备过程中的反应条件、反应时间等因素,探究不同制备条件对ZnO/CdS量子点的光学性质、电学性质的影响,利用荧光光谱、紫外可见吸收光谱等手段对量子点的光学性质进行评估;3.对其光学性能进行评估:通过荧光光谱、紫外可见吸收光谱、电化学阻抗光谱等光电特性测试手段对其光学性能进行评估。
五、预期结果通过对LED用ZnO/CdS量子点的制备方法进行优化研究,本研究将得到制备高品质ZnO/CdS量子点材料的工艺流程,探究不同制备条件对其光学性能的影响,并对其光学性能进行评估。
预期结果将为进一步提高LED材料的性能和开发新型LED材料提供参考和指导。
量子点发光二极管1 什么是量子点发光二极管量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,QLED)是一种新型纳米光电材料,它的发光原理是通过半导体量子点的电子跃迁来实现的。
量子点是介于原子和微观晶体之间的纳米结构,具有非常优异的光学和电学特性。
相对于传统LED和OLED,QLED具有更高的色彩饱和度、更低的电压驱动、更高的亮度和更长的使用寿命。
2 量子点发光二极管的工作原理量子点发光二极管的工作原理与传统LED类似,都是利用PN结的正反向偏置引导电流通过半导体材料中的载流子,从而发光。
但是,QLED在半导体材料中加入了具有禁带宽度的半导体量子点,当载流子通过量子点时,会发生能带突跃,释放出与其禁带宽度相对应的能量差,从而产生了纳米级别的发光。
3 量子点发光二极管的优势相对于传统LED和OLED,量子点发光二极管有以下优势:1. 色彩饱和度更高:QD材料具有窄的发光光谱,能够渲染更饱和、更接近真实颜色的光线。
2. 电压驱动更低:相对于OLED,量子点发光二极管需要更低的电压才能发光,有望节省能源。
3. 亮度更高:经过优化的QD材料具有更高的光量子效率,发光效率更高。
4. 寿命更长:经过优化的QD材料寿命达到了数千小时,比OLED 更长。
4 量子点发光二极管的应用前景量子点发光二极管的应用前景非常广泛。
它可以用于智能手机、电视、车载显示屏等各种显示设备,和LED灯具一样,可以大幅降低照明系统能耗。
此外,由于QD材料可以制备成非常细小的微球,可以应用于制备高效染料敏化太阳能电池、生物成像等医学领域。
总体来说,量子点发光二极管是一种具有广泛应用前景的重要纳米光电材料,将在未来的科技领域中发挥越来越重要的作用。
LED研究报告范文
信息
摘要
LED是一种发光二极管,它是一种非常受欢迎的光源,有许多优点,
包括:更高效的能量转换率,更长的使用寿命,更低的热产量,和更强的
耐压能力等。
本文重点介绍了LED的特性,结构和制造工艺,以及LED的
应用。
其中,介绍了LED在照明、显示和检测方面的广泛应用。
最后,关
于LED技术未来的展望也作了简要的讨论。
关键词:LED,发光二极管,照明,显示,检测
一、LED的特性
LED(Light-Emitting Diode,发光二极管)的特性是,它是一种半
导体发光元件,具有高效、高光亮度、长寿命、可定制、可控制、安全可
靠等特点。
它的结构简单,仅仅由PN结和少量的电子及电路组成,而且
具有高密度和高灵活性的特点,使它在光学、电子学及信息科学中有着广
泛的应用。
LED的光通量高,由于其结构的特殊性,内部释放的光被很好地收集,所以它的光通量比传统灯泡更高,其光效可达85~90%,比普通灯泡的
20~30%要高出士数量级。
此外,LED的输出功率和效率都比传统光源高,其功率反应效率可达80~90%。
白光量子点技术
(最新版)
目录
1.白光量子点的定义和特点
2.白光量子点的应用领域
3.白光量子点的发展前景
正文
白光量子点技术是一种基于量子物理学的先进技术,它利用量子点的特殊性质来产生和调控白光。
白光量子点是一种半导体纳米颗粒,其直径在 2-10 纳米之间。
这些纳米颗粒在受到光的激发后,会发出特定波长的光,其颜色取决于颗粒的直径。
白光量子点的独特之处在于,它们可以发出多种颜色的光,从而形成白光。
白光量子点技术在多个领域都有广泛的应用。
其中,最主要的应用领域是显示器和照明设备。
白光量子点技术可以用于制造超高清的显示器,提供更真实、更丰富的色彩表现。
此外,白光量子点技术还可以用于制造高效、节能的照明设备,如白光 LED 灯。
白光量子点 LED 灯具有更高的光效、更低的能耗、更长的寿命和更小的体积,是未来照明市场的主流产品。
除了显示器和照明设备,白光量子点技术还在生物医学、能源转换和量子计算等领域有潜在的应用。
例如,白光量子点可以作为生物标记物,用于疾病诊断和治疗;白光量子点还可以作为高效的光催化剂,用于太阳能电池和水解制氢等能源转换过程。
总的来说,白光量子点技术是一种具有广泛应用前景的先进技术。
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荧光量子点 micro-led
荧光量子点 Micro-LED 是一种新型的显示技术,它结合了量子点和 Micro-LED 的优势,具有高亮度、高对比度、高色域和长寿命等特点。
荧光量子点是一种纳米级别的半导体材料,它能够吸收特定波长的光并发出不同颜色的光。
当荧光量子点与 Micro-LED 结合时,可以通过调整量子点的大小和组成来实现不同的颜色显示。
相比传统的液晶显示和有机发光二极管(OLED)显示,荧光量子点 Micro-LED 具有更高的亮度和对比度,可以在阳光下清晰显示图像。
同时,它还具有更高的色域,可以呈现更加鲜艳和真实的颜色。
此外,由于 Micro-LED 的尺寸非常小,可以实现高分辨率的显示,从而提供更加细腻和清晰的图像。
荧光量子点 Micro-LED 的长寿命也是其优势之一。
相比 OLED 显示,它的寿命更长,不容易出现烧屏和颜色衰减等问题。
这使得它在商业显示、车载显示和虚拟现实等领域具有广阔的应用前景。
然而,荧光量子点 Micro-LED 技术仍面临一些挑战,如成本较高、制备工艺复杂等。
但随着技术的不断进步和研究的深入,相信这些问题将逐渐得到解决,荧光量子点Micro-LED 将会成为未来显示技术的重要发展方向之一。
硅量子点led
硅量子点LED(Light Emitting Diode)简称"QD LED",是一种具有显著优越
性能的发光二极管,是利用硅量子点做成的一种微型结构。
它与传统的LED最大的不同之处在于相对于传统LED,硅量子点LED更加紧凑,对光照射精度有更好的控
制和弹性,而且能够更好的限制不良反射的现象,使光照能量更少的流失。
同时,硅量子点LED能够更高效的运作,并且拥有更高的发电效率,在有限的电源上它可以产生更大的发光能量。
此外,硅量子点LED还具有更高的灵活性,例如可以按照不同的色调来改变光
照质量,使得更易于创作出多种不同的照明效果。
另外,它还可以高效地抑制辐射,从而有效地保护人体免受照射造成的损伤。
总之,硅量子点LED不仅具有更高的灵活性,还能够更有效的利用资源,为环
保提供贡献,是未来发展的趋势之一。
因此,本文给出的结论是,硅量子点LED具有显著的增强性能及独特优势,可以有效满足更高要求的应用场景,可以大大提升照明照度及提高能效。
InGaN自组装量子点的制备,光电特性分析及其在长波长发光二极管中的应用的开题报告一、研究背景与意义红黄绿光发光二极管(LED)已经被广泛应用,但研究人员还需要在物理上和技术上进一步拓展这个领域。
随着新型发光材料的研发和应用,氮化物类发光二极管已经成为研究的热点。
氮化铝镓铁(AlGaN)和铝镓氮(AlN)半导体材料因其优异的光学、电学和热学特性而被广泛研究。
此外,氮化铟镓(GaN)材料具有良好的物理特性,并可用来制造紫外、蓝色和绿色LED。
这些材料的光谱范围很窄,需要研究新型的发光材料以扩展光谱范围。
在氮化物LED中,自组装量子点 (QDs) 是研究的一个焦点,因为它们可以增加LED产生的光谱范围,从而满足更多的应用需求。
QDs 的制备方法有许多种类,其中自组装是制备InGaN QDs的主要方法之一。
因此,研究InGaN自组装量子点的制备和光电特性对扩展发光材料的光谱范围以及长波长发光二极管的开发具有重要的意义。
二、主要研究内容本研究主要针对InGaN自组装量子点的制备、光电特性分析和在长波长发光二极管中的应用进行研究。
具体包括以下三个方面:1. InGaN自组装量子点的制备研究InGaN自组装量子点的制备工艺,探讨影响自组装量子点制备的关键因素和优化方法。
2. InGaN自组装量子点的光电特性分析研究InGaN自组装量子点在不同条件下的光电特性,包括荧光光谱、时序荧光衰减等。
通过表征InGaN自组装量子点的光电特性,分析制备条件对其性能的影响,为后续制备和应用提供参考。
3. InGaN自组装量子点在长波长发光二极管中的应用研究InGaN自组装量子点在长波长发光二极管中的应用,分析其在长波长发光二极管中的性能和特点,并探讨其在实际应用中的优缺点。
三、研究方法1.在制备InGaN自组装量子点方面,可采用分子束外延、气相外延等方法。
2.在对InGaN自组装量子点的光电特性进行分析方面,可利用荧光光谱、时间分辨荧光测量等手段。
led报告
LED报告是一份关于LED技术应用和市场发展的综合性报告。
报告通常包含LED市场规模、市场趋势、应用领域、技术改
进和未来发展等方面的内容。
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种半导体器件,具有高效、节能和长寿命等特点,被广泛应用于照明、显示、信息通信等领域。
LED报告旨在对LED技术的应用和市场情
况进行全面评估和分析,为投资者、企业和政府等相关方提供科学、准确的信息和决策依据。
LED报告通常包含以下内容:
1. 市场规模与趋势:报告会分析全球LED市场的规模和趋势,包括市场份额、增长率、发展趋势等。
2. 应用领域:报告会介绍LED在照明、显示、信息通信等领
域的应用情况,包括市场规模、技术革新和未来发展趋势等。
3. 技术改进和创新:报告会评估LED技术的改进和创新,包
括新材料、新结构、高效率等方面的进展。
4. 市场竞争情况:报告会分析LED市场的竞争格局,包括主
要竞争者、市场份额、产品价格等方面的情况。
5. 政策和法规:报告会对LED相关的政策和法规进行分析,
包括政府支持、行业标准等方面的内容。
6. 市场商机和挑战:报告会探讨LED市场的商机和挑战,为投资者和企业提供有关风险和机会的信息。
7. 发展趋势和展望:报告会对LED市场的未来发展趋势进行预测和展望,包括技术发展、市场规模和应用领域等方面的预测。
总之,LED报告通过对LED技术的市场应用和发展状况进行全面评估和分析,为相关方提供决策依据和行业洞察,促进该领域的可持续发展。
量子点1.量子点简介1.1量子点的概述量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。
纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料,而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。
更进一步的规定指出,量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径,其尺寸通常在1-10nm左右[2]。
由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径,量子点能表现出明显的量子点限域效应,此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束,这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。
量子点中的电子和空穴被限域,使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。
这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。
1.2量子点的特性由于量子点中载流子运动受限,使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构,表现出与对应体材料完全不同的光电特性。
1.2.1 量子尺寸效应纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制,能量发生量子化,连续能带变为分立的能级结构,带隙展宽,从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。
这种现象就是典型的量子尺寸效应。
研究表明,随着量子点尺寸的缩小,其荧光将会发生蓝移,且尺寸越小效果越显著[4]。
1.2.2 表面效应纳米颗粒的比表面积为,也就是说量子点比表面积随着颗粒半径的减小而增大。
量子点尺寸很小,拥有极大的比表面积,其性质很大程度上由其表面原子决定。
当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时,会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。
1.2.3 量子隧道效应量子隧道效应是基本的量子现象之一。
简单来说,即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时,该微观粒子仍然能越过势垒。
当多个量子点形成有序阵列,载流子共同越过多个势垒时,在宏观上表现为导通状态。
因此这种现象又称为宏观量子隧道效应[6][7]。
1.2.4 介电限域效应上世纪七十年代Keldysh等人首先发现了介电限域效应[8]。
电致发光量子点-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容:电致发光量子点是一种具有广泛应用前景的新型光电材料。
它能够将电能转化为可见光,具有发光效率高、色彩纯净、光稳定性好等优势。
因此,电致发光量子点被广泛应用于显示技术、照明、生物标记、光催化等领域。
本文旨在探讨电致发光量子点的基本原理、特性和应用,以及相关的制备方法。
首先,我们将介绍电致发光的基本原理,包括电子激发和光子发射的过程。
然后,我们将详细讨论量子点的特性和应用,例如其尺寸和形状对光学性质的影响,以及在显示技术和生物医学领域的应用。
最后,我们将介绍目前常用的电致发光量子点的制备方法,包括溶液法、气相法和固相法等。
通过对电致发光量子点的研究,我们可以更好地了解其优势和前景。
其高发光效率和色彩纯净的特性使其在显示技术中具有巨大的潜力。
同时,电致发光量子点的应用也可以拓展到生物医学领域,例如用于体内荧光成像和药物传输等方面。
因此,电致发光量子点的研究具有重要的科学意义和应用价值。
展望未来,我们认为电致发光量子点的研究仍有待深入。
首先,我们需要进一步探索量子点的制备方法,以提高其制备效率和光学性能。
其次,我们可以将电致发光量子点与其他材料相结合,以开发新的功能材料和器件。
最后,我们可以研究电致发光量子点在能源转换、传感器等领域的应用,以探索其更广泛的应用前景。
综上所述,电致发光量子点作为一种新型光电材料,具有许多优势和应用前景。
通过深入研究其基本原理、特性和制备方法,我们可以进一步发掘其潜力,为未来的研究和应用提供新的思路和方向。
1.2文章结构文章结构:本文分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分主要概述了电致发光量子点的研究背景和意义。
通过对电致发光和量子点的基本概念进行介绍,引出了本文要探讨的主题和目的。
正文部分将分为三个小节。
第一小节将详细阐述电致发光的基本原理,包括从电能到光能的转化过程以及与之相关的关键因素和物理原理。
第二小节将介绍量子点的特性和应用,包括其独特的能带结构、尺寸效应、量子限制效应以及在显示技术、生物医学等领域的广泛应用。
点阵led设计实验实验报告一、实验目的本实验旨在通过设计和搭建一个点阵LED 系统,掌握点阵LED 的基本工作原理和电路设计方法,并了解如何通过编程控制点阵LED 实现各种图案显示。
二、实验材料和器件实验所用材料和器件包括:- 点阵LED 模块:用于显示图案和文字。
- Arduino 控制板:用于控制点阵LED 模块。
- 杜邦线:用于连接点阵LED 模块和Arduino 控制板。
三、实验步骤1. 硬件搭建首先,将点阵LED 模块连接到Arduino 控制板上。
具体的连接方式可以参考Arduino 官方文档或点阵LED 模块的说明书。
2. 软件设置接下来,需要在计算机上安装并配置Arduino 开发环境。
之后,通过Arduino 开发环境中的代码编辑器编写控制点阵LED 的代码。
3. 编写程序编写程序的主要步骤如下:- 导入所需的库文件:根据点阵LED 模块的型号和控制方式,导入相应的库文件。
- 设置引脚模式:设置Arduino 控制板的引脚模式,以便与点阵LED 模块进行通信。
- 定义图案:根据需要显示的图案或文字,定义相应的数组或变量。
- 初始化点阵LED 模块:根据模块的特性和控制方式,初始化点阵LED 模块。
- 显示图案:根据定义的图案,通过控制点阵LED 模块的引脚,实现图案的显示。
4. 上传程序编写完程序后,将Arduino 控制板通过USB 连接到计算机,并通过Arduino 开发环境将程序上传到控制板中。
5. 测试和调试上传完程序后,点阵LED 模块将开始显示所定义的图案。
可以通过修改程序中的图案定义部分来实现不同的显示效果,并进行测试和调试。
四、实验结果和分析经过编程和调试,我们成功实现了点阵LED 模块的图案显示功能。
通过修改程序中的图案定义,我们可以显示不同的图案、文字甚至动画效果。
点阵LED 的显示效果清晰且亮度可调,能够满足我们的需求。
在实验过程中,我们也遇到了一些问题。
量子点(QDs)课题开题工作-开题报告1.本课题的研究目的及意义量子点(QDs)是一种半径小于或接近于激子波尔半径的新型半导体纳米材料,由第二副族和第六主族元素组成的QDs,具有比传统染料更为优越的磷光性质,如磷光强而且稳定,激发光谱宽且连续分布,发射光谱窄,且几乎对称等。
微囊藻毒素是藻类分泌的一种次级代谢产物,具有水溶性和耐热性,易于溶于水,甲醇或丙酮等特性,而其中最常见,毒性最高的为MC-LR。
水体中MC-LR的检测问题日益受到人们关注。
利用量子点的优点,研发一种更简单快捷的新型检测藻毒素的方法,使现有的标记检测技术在环境中适应更广,也将进一步扩大量子点在分析化学和分析领域的应用范围。
本课题制备的QDs-MC-LR抗体,利用其作磷光特异性识别微囊藻毒素。
提供一种操作简单、检测速度快、高选择性、检出限低的检测方法,提高了对水体中藻毒素的检测技术研究。
本研究结果可被广泛应用于检测方面。
2、已了解的本课题国内外研究现状近年来,国际权威刊物如《Science》.《Nature》等均在不断报道QDs在生物医药领域中应用的重大研究成果。
然而QDs在环境分析中应用报道较少。
而且目前对水体中藻毒素的检测技术研究还比较落后,大多数藻毒素使用价格昂贵,体积庞大的HPLC-MC或GC-MS检测,样品制备过程负责,耗时长,需要专业技术人员操作,检测费用很高,因此限制了常规检测次数。
3.本课题的研究内容本课题以利用相界面热辅助法成功的合成了水溶性的ZnSe:Mn/ZnS核壳式磷光量子点,并通过TEM,THEM等检测手段对ZnSe:Mn/ZnS核壳式量子点进行表征。
并将水溶性的QDs 与MC-LR抗体在EDC的活化下共价连接,获得QDs-MC-LR抗体本论文的研究思路主要包括以下六个方面:(1)测得ZnSe:Mn/ZnS量子点的磷光光谱,采用345nm激发波长,进行试验。
(2)测定ZnS壳层数对量子点磷光强度的影响。
(3)测定量子点浓度,反应时间,加入抗体的量等条件对QDs-MC-LR抗体磷光强度的影响。
led研究报告LED是一种发光二极管,具有高亮度、高工作寿命、低能耗等特点,被广泛应用于照明、显示、通信等领域。
本文将对LED的研究进行探讨,并分析其面临的挑战和未来发展方向。
首先,LED研究的重要性愈发凸显。
传统的白炽灯照明方式存在能源浪费和环境污染等问题,而LED照明具有节能环保的特点,因此被认为是照明行业的未来发展方向。
此外,LED 还广泛应用于显示屏、汽车照明等领域,对市场需求也起到了重要的推动作用。
其次,目前的LED研究主要集中在提高其亮度和效率。
亮度是LED的一个重要指标,其决定了LED在照明和显示领域的应用范围。
目前,研究人员通过改进材料的组分和结构,提高了LED的亮度和发光效率,使LED逐渐成为传统照明的替代品。
然而,LED研究仍面临许多挑战。
一方面,LED的成本较高,限制了其在大规模应用中的推广。
另一方面,现有的LED技术还不能完全满足人们对亮度、色彩和光照效果的需求,例如,LED的光色性能仍需要进一步提高。
此外,由于在长时间使用过程中,LED灯的色温和亮度会产生衰减,因此需要进行长时间的稳定性测试。
未来,LED研究的方向主要包括提高亮度和效率、降低成本、改进光色性能等方面。
研究人员可以通过开发新的材料,改进LED的结构和工艺,提高LED的亮度和效率。
此外,应加强与其他领域的跨学科合作,推动LED技术的创新。
另外,LED的成本是限制其大规模应用的主要因素之一,因此,降低成本也是未来研究的重要方向之一。
总之,LED的研究对于推动照明、显示等领域的发展具有重要意义。
通过不断改进LED的亮度和效率、降低成本和提高光色性能,LED有望成为未来照明行业的主导技术,并实现更广泛的应用。
然而,LED研究仍面临着许多挑战,需要不断努力和创新。
希望在未来的研究中能够取得更大的突破,为人类提供更好的光照环境。
量⼦点钙钛矿LED的研究概述注:参考⽂献和⽂章尚在整理ing...⼀常⽤术语1.(External quantum efficiency,EQE) 这是LED最重要的参数,它的定义为:因此,EQE越⼤,发射到外部的光⼦数越多,即LED越亮2 (Internal Quantum Efficiency, IQE)通俗的来说,外部量⼦效率是产⽣的电⼦数与所有⼊射的光⼦数之⽐;内部量⼦效率是产⽣的电⼦数与所有已经吸收的光⼦数之⽐。
3.量⼦点:量⼦点是⼀种低维半导体材料,⼀般为球形或类球形,直径常在2-20 nm之间,通过对这种纳⽶半导体材料施加⼀定的电场或光压,它们便会发出特定频率的光,量⼦点⼤⼩和颜⾊之间也存在相互关系4.钙钛矿:钙钛矿是指⼀类陶瓷氧化物,其分⼦通式为ABO3,由于晶体具有特殊的结构,在⾼温催化及光催化⽅⾯具有潜在的应⽤前景5. 钙钛矿量⼦点最先成熟的量⼦点材料为重⾦属,2015年兴起的钙钛矿材料称为下⼀代量⼦点材料6. 电流体喷印设备传统喷墨打印通过给溶液添加驱动⼒,把墨⽔从针头⾥推出来,电流体动⼒喷印通过电场⼒,把墨⽔从喷嘴处拉下来。
⼆、量⼦点1.概念 量⼦点是纳⽶⼤⼩的⼩型球形状半导体粒⼦,也被称为纳⽶半导体粒⼦或纳⽶晶体,通常有⽐激⼦波尔半径更⼩或接近的半径,仅仅由数个或数⼗个原⼦组成,施加电压会产⽣⾃发光,吸收并再释放同样波长的光。
另外,量⼦点还有⼀个特点:当受到光或电的刺激,量⼦点会发出有⾊光线,光线的颜⾊由量⼦点的组成材料和⼤⼩形状决定,这就意味着量⼦点能够改变光源发出的光线颜⾊。
它可由半导体材料组成,譬如:Ⅲ、Ⅴ族元素(如GaAs InP InGaAs InAs 、、、等)或Ⅱ、Ⅵ族元素(如CdTe CdS 、、 ZnSe CdSe 、等)。
同时,其组成也可是多种数种核/壳结构的半导体材料,如 CdSe/ZnS 量⼦点的尺⼨/电学/光学特性可以⽤在不寻常的电⼦和光电设备类别中,并有可能⽤于固态照明,信息显⽰,成像探测器和其他系统。
量子点(Quantum Dots,QDs)是一种新型的半导体纳米材料,具有尺寸量子效应、宽带特性和优异的光电性能。
由于其在显示技术、光电器件、生物成像等领域的广泛应用前景,量子点技术一直备受关注。
而Micro LED技术是一种新兴的显示技术,具有高亮度、高对比度、高刷新率等优点,被认为是未来显示技术的发展方向。
将量子点与Micro LED集成,可以实现量子点薄膜式显示器的制备,具有色彩饱和度高、能效高、色温范围广等优势。
量子点与Micro LED集成的方法备受关注,并且在技术研究和产业化方面有重要意义。
一、量子点与Micro LED技术概述1. 量子点技术1.1 量子点的定义和特性1.2 量子点的制备方法1.3 量子点在显示技术、光电器件中的应用2. Micro LED技术2.1 Micro LED的定义和特性2.2 Micro LED的制备方法2.3 Micro LED在显示技术中的应用二、量子点与Micro LED集成的意义和应用1. 实现高质量的色彩显示1.1 量子点技术提升显示色域1.2 Micro LED技术提升显示亮度和对比度1.3 量子点与Micro LED集成的优势2. 提升显示器能效和色彩品质2.1 量子点与Micro LED集成的能效优势2.2 量子点与Micro LED集成的色彩品质优势2.3 量子点与Micro LED集成在显示器中的应用前景三、量子点与Micro LED集成的方法1. 量子点薄膜的制备1.1 量子点薄膜的材料选择1.2 量子点薄膜的制备工艺2. Micro LED的制备2.1 Micro LED芯片的制备工艺2.2 Micro LED芯片的结构设计3. 量子点与Micro LED的集成3.1 量子点薄膜和Micro LED芯片的组装3.2 量子点与Micro LED集成显示器的封装工艺四、量子点与Micro LED集成的研究进展1. 国内外相关研究现状1.1 国内量子点与Micro LED集成技术研究1.2 国外量子点与Micro LED集成技术研究2. 技术发展趋势2.1 量子点与Micro LED集成技术的发展方向2.2 量子点与Micro LED集成技术在显示行业中的应用前景五、结论量子点与Micro LED集成技术的研究和应用对于推动显示技术的发展具有重要意义。
量子点LED专题报告 一、什么是量子点LED? 量子点LED是把有机材料或者LED芯片和高效发光无机纳米晶体结合在一起而产生的具有新型结构的量子点有机发光器件。相对于传统的有机荧光粉,量子点具有发光波长可调(可覆盖可见和近红外波段)、荧光量子效率高(可大于90%)、颗粒尺寸小、色彩饱和度高、可低价溶液加工、稳定性高等优点,尤其值得注意的是高色纯度的发光使得其色域已经可以超过HDTV标准色三角。因此基于量子点的发光二极管,有望应用于下一代平板显示和照明。 表征量子点的光电参数: 1、光致发光谱(PL谱):光致发光谱反映的是发射光波长与发光强度的关系。从PL谱上可以得到发光颜色的单色性、复合发光的机制、量子点的颗粒尺寸大小及分布均匀性、本征发射峰波长等基本光学信息。量子点光致发光谱的半高宽越窄,说明量子点的发光单色性越好,器件的缺陷和杂质复合发光越少。 2、紫外可见吸收谱:量子点的紫外可见吸收谱反映的是量子点对不同波长光的吸收程度,从谱中吸收峰的位置可计算出量子点的禁带宽度。量子点吸收谱的第一吸收峰与光致发光谱的发射峰的偏移是斯托克斯位移,斯托克斯位移越大,量子点的自吸收越弱,量子点的荧光强度越高。 3、光致发光量子产率:量子点溶液的光致发光量子产率是通过与标准荧光物质(一般用罗丹明6G)的荧光强度对比而测出。量子点高的量子产率能有效提升器件的发光效率,但纯核量子点沉积成薄膜后量子产率将比在溶液中的量子产率下降1到2个数量级。量子点也存在荧光自淬灭现象,这是由存在于不均匀尺寸分布的量子点中的激子通过福斯特能量转移到非发光点进行非辐射复合所引起。 二、量子点LED在照明显示中的应用方案量子点的发射峰窄、发光波长可调、荧光效率高、色彩饱和度好,非常适合用于显示器件的发光材料。量子点LED在照明显示领域中的应用方案主要包括两个方面:a、基于量子点光致发光特性的量子点背光源技术(QD-BLU,即光致量子点白光LED);b、基于量子点电致发光特性的量子点发光二极管技术(QLED)。 (一)量子点背光源技术量子点背光源技术即光致量子点白光LED,是基于量子点光致发光特性的背光源技术。 (1)量子点背光源技术的基本原理量子点光致发光(PL)原理:量子点层在外界光源下获得能量,电子吸收激发光光子的能量从价带跃迁至导带。导带底的电子和价带顶的空穴可以产生带边复合发光,一部分电子与空穴则被比较浅的杂质能级所捕获,被杂质能级俘获的电子和空穴可以直接复合产生发光或者向更深的缺陷跃迁。带边发射才是器件发光的主要机制,缺陷和杂质复合发光会影响量子点发光的纯色性光致量子点白光LED有大致两种实现方案: 1、颜色转换颜色转换机制是将蓝光LED芯片与绿光、红光量子点相结合制备量子点白光LED。相较颜色混合产生白光-适当混合各色量子点的电致发光,颜色转换产生白光是LED芯片发出的蓝光部分被量子点吸收转变成绿光和红光,利用RGB原理与剩余蓝光复合形成白光。 2、直接白光直接白光机制是指发光层中只有一种发光量子点,经紫外LED芯片发出的紫外光激发发出不止一种颜色的光,然后直接复合产生白光。颜色混合和颜色转换产生白光的机制都涉及几种颜色光之间混合平衡的问题,各色光不匹配会严重影响白光LED的出光质量。因此,人们对直接发射白光的荧光体用于固态照明产生了极大的兴趣。由于直接白光量子点的发光多数有表面缺陷参与,因此效率较低,要实现直接白光量子点的最终应用,提高发光效率是研究的关键。 (2)量子点背光源技术的实际应用量子点背光源技术在实际中的应用是将蓝光LED芯片与量子点材料结合起来来取代传统液晶面板的背景光源-白光LED,由此制成的液晶面板也称为量子点LCD。 在液晶显示屏中封装量子点的方法有三种,第一种是直接将量子点材料放在蓝色LED芯片上的“On-Chip”方式,第二种是将量子点密封在细玻璃管中并安装在背照灯导光板的LED光入射口的“On-Edge”方式,第三种是将薄膜之间夹有量子点的片状材料贴在导光板与液晶面板之间的“On-Surface”方式。 2、美国QDVision公司的设计方案QDVision公司认为量子点原材料可用于市场规模巨大的液晶显示器,推广“色彩更为鲜艳”的量子点液晶电视。以42英寸电视为例计算每年需要约100吨量子点材料,为了应对市场迅速崛起的有效方法是将量子点材料设置在导光板入口(“On-Edge”方式)而非导光板与液晶面扳之间(“On-Surface”方式),采用该方法的量子点材料的使用量只有采用On-Surface方式时的1/50,并且可以使用便宜且稳定的玻璃管来封装量子点材料,有很大的成本优势。另外将量子点材料设置在LED芯片表面的“On-Chip”方式虽然可以将年产量削减至万分之一(10kg/年),但考虑到LED的发热问题,选用“On-Edge”方式最为稳妥。 索尼在2013年1月的国际消费电子产品展(CES)展示了配备QDVisions公司量子点光学材料“ColorIQ”的液晶电视,这款液晶电视命名为“Triluminos”,色域NTSC比由原来的70%提高到了100%,采用了QDVision公司的量子点技术,可获得与有机EL同等的色彩表现力。 3、英国Nanoco的设计方案英国量子点材料供应商Nanoco在无镉技术方面与陶氏化学合作,布局量子点市场。目前该公司的核心技术—完全不含毒性元素镉(Cd)的“CFQD”(无镉量子点)的产量还仅限于每年几千克的水平,还不足以满足以液晶面板为中心日益扩大的市场需求。为了建立起大规模生产体制,该公司与陶氏化学签订了排他性授权协议,目的是利用陶氏化学在化学领域的生产能力和供应链,为今后的市场扩大做准备。合作双方所使用的技术是将薄膜之间夹有量子点的片状材料贴在背照灯与液晶面板之间的“On-Surface”方式。鉴于量子点材料的稳定性和容易嵌入液晶面板的特性,采用了On-Surface方式的目是赢得市场。 (二)量子点发光二极管技术 量子点发光二极管技术即QLED技术,是基于量子点电致发光特性的一种新型LED制备技术,是真正意义上的量子点发光二极管。而基于量子点的背光源技术,其实质是量子点LCD即量子点加液晶面板,是对现有LCD的一种改良,并不是真正意义上的QLED。 (1)QLED技术的基本原理量子点电致发光(EL)原理:QLED电致发光一般归咎于直接的载流子注入复合、Forster共振能量转移或二者共同的作用。电子和空穴注入后,实现电致发光的途径有以下两种:a、电子和空穴直接注入到同一个量子点,在量子点中实现辐射复合发光;b、在有机物中注入电子和空穴形成激子,然后以Forster共振能量转移形式将能量转移给量子点,在量子点中产生一个激子即电子-空穴对,最后电子-空穴对复合发出光子。这两种途径同时存在,可以使QLED的发光效率最大化。 (2)QLED四种基本结构类型自从电致驱动QLED1994年发明以来,器件经历了四种结构的发展和变化,其亮度和外量子效率得到很大地提高。 1、TypeI:以聚合物作为电荷传输层该结构以聚合物为载流子传输层,是最早的QLED器件结构,其典型的器件结构是将包含CdSe纯核量子点和聚合物双层或二者的混合物,包夹于两电极间。该结构由于使用了低量子产率的纯核CdSe,且存在明显的聚合物内寄生的电致发光,所以器件具有较低的外量子效率(EOE)和较小的最大亮度。 2、TypeII:以有机小分子作为电荷传输层2002年Coe等人提出了将单层量子点与双层OLED结合的TypeII型QLED器件结构,以有机小分子材料作载流子传输层。该结构使在OLED的基础上,加入单层的量子点层能使通过有机层的载流子传输过程和发光过程分离开来,提高了OLED的外量子效率。 将OLED结构与量子点单层结合,让人们看到了提高QLED效率的希望。这种结构器件既具有OLED的全部优点,同时又可以改善器件的光谱纯度和实现发光颜色的调谐。但是有机层的使用导致器件在空气中的稳定性下降,如同传统的OLED一样,这种结构的QLED需要进行封装,从而提高了制作成本和限制了柔韧性。除此之外,有机半导体材料本身的绝缘性,限制了器件电流密度的进一步优化,进而限制了器件的发光亮度,并且有机半导体材料的发光光谱较宽,也不利于优化器件的色彩纯度。 3、TypeIII:全无机载流子迁移层与TypeII结构类型相比,该结构类型是以无机载流子传输层替代有机载流子传输层。这大大提高了器件在空气中的稳定性,并使器件能够承受更高的电流密度。Caruge等人用溅射法,以氧化锌锡和氧化镍分别作为电子和空穴传输层制备出全无机的QLED,该器件能承受的最大电流密度达到了4Acm-2,但外量子效率小于0.1%。器件效率不高归因于在溅射氧化物层时造成了量子点破坏,载流子注入不平衡和量子点被导电金属氧化物包围时产生的量子点荧光淬灭。 4、TypeIV:有机空穴传输层与无机电子传输层混合TypeIV结构类型采用有机和无机混合载流子传输层制作QLED器件,该结构一般以N型无机金属氧化物半导体作为电子传输层,以P型的有机半导体作为空穴传输层。混合结构的QLED外量子效率高,同时具有高亮度。其中Qian等人报道了外量子效率分别为1.7%,1.8%,0.22%,最大亮度分别为31000cdm-2,68000cdm-2,4200cdm-2的红、绿、蓝混合结