191018西安WGB会议
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魏 同 波 ,中 国 科 学 院 半导体研究所
O A5： H2等 离 子 体 在 GaN低 温 外 延 中 的作用机理
16:50-17:05 张子轩，清华大学 17:10-17:25
O B5： 基 于 高 掺 杂 硅电极上外延生长 的钇掺杂氧化铪薄 膜的阻变存储器的 性能研究
王 延 昆 ,西 安 交 通 大 学
O A2： 基 于 石 墨 烯 插入层的S i(100)上 GaN外 延 生 长 研 究
OB2：Ni掺杂ZnO OC2：具有ITO限
薄膜的结构与光学 制层的GaN基绿光
性质研究
激光器的研究
OD2：探索GaN系 OE2：周期性δ掺
太赫兹量子级联激 Si结构的肖特基二
光器
极管制备
O F2： 硫 对 硼 掺 杂 p 型金刚石薄膜掺杂 行为的调控研究
单 崇 新 ,郑 州 大 学
ห้องสมุดไป่ตู้
(邀 请 报 告 ) 13:50-14:10
IA2： ITO 限 制 层 氮 化镓激光器
刘 建 平 ,苏 州 纳 米 所
IB2： Al GaN材 料 生 长及缺陷研究
孙 晓 娟 ,中 国 科 学 院 长春光学精密机械 与物理研究所
IC2： GaN基 材 料 与 激光器
赵 德 刚 ,中 国 科 学 院 半导体研究所
IA3：S i衬底上GaN 基材料外延生长及 杂质缺陷研究
杨 学 林 ,北 京 大 学
IB3： GaN离 子 注 入 p型 掺 杂 技 术 与 器 件应用研究
任 芳 芳 ,南 京 大 学
IC3： Al GaN基 紫 外 LED的 缺 陷 调 控 及 发光效率提升研究
陈 志 涛 ,广 东 半 导 体 产业研究院
11:20-11:50
F6： GaN-based semiconductors for power devices and monolithic micro-displays 刘纪美 香港科技大学
张荣 教授
11:50-12:20 12:20-13:30
F7：第三代半导体的压电电子学与压电光电子学 王中林，中科院北京纳米能源与系统研究所
张 紫 辉 ,河 北 工 业 大 学
IC6： 钙 钛 矿 半 导 体及其发光二极管
吴 朝 新 ,西 安 交 通 大 学
ID5： Thre e dimensional whispering gallery mode laser from AlInGaN-based rolled-up microcavity
李虞锋，西安交通 大ID6学： 宽 禁 带 半 导 体芯片基材-3C S iC 开发与应用
王 晓 刚 ,西 安 科 技 大 学
IE5： 基 于 空 间 电 荷 电场调制的高耐压 GaN垂 直 结 构 二 极 管
王 茂 俊 ,北 京 大 学
IE6： 高 效 率 GaN毫 米波器件研究
马晓华，西安电子 科技大学
enhancement 徐厚强，中科院宁 波材料所
O D5： 硅 基 氮 化 镓 激光器研究进展
冯美鑫，中国科学 院苏州纳米技术与 纳米仿生研究所 16:30-16:45
17:05-17:20
朱海，中山大学
O D1： 基 于 Al InGaN光 学 限 制 层 的 GaN绿 光 激 光 器
江灵荣，中科院苏 州纳米所
O E1： 栅 电 极 退 火 工 艺 对 p型 栅 结 构 增强型GaN HEMT 性能影响研究
曾 昶 琨 ,南 京 大 学
O F1： 硼 掺 杂 单 晶 金刚石性能研究
王若铮, 西安交通大 学
14:30-14:45
OA1：Effect of substrate temperature on the crystal quality of Ga2O3
冯博渊，苏州纳米 技术与纳米仿生研 究所
O B1： 金 属 -石 墨 烯 接触电阻气敏特性 研究
卜祥瑞，西安交通 大学
O C1： 半 导 体 微 腔 激子polariton自 发相干凝聚特性研 究
蔡青，南京大学
O D4： 硅 基 Al GaN 肖特基势垒型深紫 外探测器制备研究
梁方舟，中科院苏 州纳米所
O E4： 一 种 基 于 肖 特基电极刻蚀的高 品质因数 Al GaN/GaN肖 特 基 二极管
鲁 豫 ,南 京 大 学
O F4： 超 小 尺 寸 含 硅 -空 位 色 心 金 刚 石 的制备及表征
第三届全国宽禁带半导体学术会议日程
7:30-8:00
8:00-8:05 8:05-8:10 8:10-8:15 8:15-8:20 8:20-8:25 8:25-8:50
2019年 10月 18日 （ 星 期 五 ） 上 午 注册
开幕式:大会主席，专家和领导讲话
大会主席 侯洵 院士 致辞 省市领导讲话（待定）
ID3： 基 于 新 型 微 纳结构制备的深紫 外发光二极管效率 提升研究
陈 长 清 ,华 中 科 技 大 学
IE3： β -Ga2O 3单 晶生长、加工与表 征技术研究进展
刘 锋 ,中 国 电 子 科 技 集团公司第四十六 研究所
IF3： 金 刚 石 场 效 应 晶体管研究进展
张 金 风 ,西 安 电 子 科 技大学
14:45-15:00 冯玉霞，北京工业 陈基伟，广西大学 胡磊，中科院苏州 王科，南京大学
大学
纳米所
姚婉青，中山大学 刘东阳,南京大学
15:00-15:15
O A3： 硅 衬 底 上 成 长 C掺 杂 GaN薄 膜 的光学与表面特性 研究
江兵，广西大学
O B3： 宽 禁 带 Cu2O 薄膜中无序结构对 其电学特性的影响 研究
layer
O B4： 大 尺 寸 超 薄 单 晶 (010)β -Ga2O 3 纳米片的可控生长 与特性表征
蒋卓汛, 复旦大学
于彤军，北京大学
O C4： HighPerformance AlGaN Heterostructure SolarBlind APDs Integrated With One-Dimensional Photonic Crystal Filter
刘 斌 ,南 京 大 学
ID1： Al GaN基 深 紫 外 LED的 研 发 进 展
王 军 喜 ,中 国 科 学 院 半导体研究所
IE1： 宽 禁 带 功 率 半 导体封装集成及其 在电力设备中的应 用
王 来 利 ,西 安 交 通 大 学
IF1：Diamond based deep ultraviolet photodetectors
(邀 请 报 告 ) 16:30-16:50
IA5： 超 宽 禁 带 二 维六方氮化硼：合 成、调制掺杂及新 器件应用 (
蔡 端 俊 ,厦 门 大 学
IA6： 用 于 制 备 多 片 4寸 GaN单 晶 衬 底 的 HVPE腔 体 研 究
颜建锋，东莞市中 镓半导体科技有限 公司
IB5： 半 导 体 纳 米 晶的同步辐射相干 X射 线 衍 射 研 究
李晋闽 研究员
9:50-10:20 10:20-10:50
F3： 硅 基 氮 化 镓 Ⅴ 形 三 维 PN结 江风益 南昌大学
F4： 紫外LED研发及产业化 李晋闽，中科院半导体所
沈波 教授
10:50-11:20
F5： 氮 化 物 半 导 体 大 失 配 异 质 外 延 的 新 进 展 及 缺 陷 物 理 研 究 沈波，北京大学
barriers
O D3： 基 于 Mg离 子 注 入 制 备 的 GaN基 p-i -n结 构 可 见 光 盲 紫外探测器
徐尉宗，南京大学
余华斌，中科大
O E3： 利 用 退 火 方 法制备高低势垒肖 特基二极管
赵 丹 ,西 安 交 通 大 学 大学
O F3： 基 于 Li F/Al 2O 3双 层 介 质 层的氢终端金刚石 场效应晶体管的研 究
王 艳 丰 ,西 安 交 通 大 学
15:15-15:30
OA4：Stress control and dislocation reduction in the initial growth of GaN on Si (111) substrates by using a thin GaN transition
西安交大领导讲话 （待定） 国家基金委信息部主任 郝跃院士讲话
电子学会领导讲话 杨辉 所长 合影+茶歇
大会特邀报告
（地点） 主持
王宏兴 教授
8:50-9:20 9:20-9:50
F1： 宽禁带半导体器件与5G通信 郝跃 西安电子科技大学
F2： 宽 禁 带 半 导 体 紫 外 探 测 技 术 张荣 厦门大学
黄钦 ，广东省半导 体产业技术研究院
OC3： G reatly enhanced perf ormance of AlG aNbased deep ultraviolet light-emitting diodes by incorporating graded AlG aN quantum wells and
陈成克，浙江工业 大学
15:30-15:50
茶歇
分会场1
分会场2
材料制备和测试分 材料生长和物性分
析设备
析
分会场3 发光器件
分会场4 探测与成像器件
分会场5
功率电子与射频电 子器件
分会场6
新型宽禁带半导体 材料与器件
地点
主持
刘建平,苏州纳米 所
张源涛,吉林大学
赵德刚,中科院半 导体所
陆海,南京大学
王来利,西安交通 单崇新,郑州大学 大学
ID2：S iC紫外单光 子探测器及极深紫 外探测器研究
陆 海 ,南 京 大 学
