陶瓷介质电容器
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10uf 陶瓷电容尺寸10uf陶瓷电容是一种常见的电子元件,尺寸通常为10mm x 10mm x 4mm。
它在电子电路中具有重要的作用,广泛应用于各种电子设备中。
10uf陶瓷电容的尺寸为10mm x 10mm x 4mm。
这个尺寸相对较小,适用于紧凑的电路板设计。
它的小尺寸使得它可以在各种电子设备中被方便地安装和使用。
10uf陶瓷电容的主要特点之一是其电容量为10微法。
电容量是电容器存储电荷的能力的度量。
10uf的电容量较大,可以存储较多的电荷,因此在电子电路中具有良好的电容性能。
陶瓷电容的材料是陶瓷,具有良好的绝缘性能。
陶瓷电容器由两个金属电极和一个陶瓷介质组成。
陶瓷介质具有高绝缘性和低损耗特性,使得陶瓷电容器可以在较高的频率下工作,适用于各种电子电路中的高频应用。
10uf陶瓷电容还具有高稳定性和低漏电流。
稳定性是指电容器电容值的变化程度。
10uf陶瓷电容能够在不同的温度和湿度条件下保持较稳定的电容值,这对于电子设备的长期稳定运行非常重要。
漏电流是指电容器在充电或放电过程中逸出的电流。
10uf陶瓷电容具有较低的漏电流,可以避免能量的损失和电路的不稳定。
10uf陶瓷电容还具有快速响应和长寿命的特点。
它能够快速响应电路的变化,提供所需的电荷或能量。
同时,它的寿命较长,能够在各种环境条件下稳定运行。
总的来说,10uf陶瓷电容是一种具有多种优点的电子元件。
它的小尺寸、高电容量、良好的绝缘性能、高稳定性、低漏电流、快速响应和长寿命使其成为电子设备设计中不可或缺的元件。
无论是在通信设备、计算机、手机还是其他电子设备中,10uf陶瓷电容都发挥着重要的作用,为电路的正常运行提供了稳定的电容支持。
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器,我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展,使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现,给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。
英文名称:capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器(ceramiccapacitor;ceramiccondenser)就是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡电路中,作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脉冲电压击穿,故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类:这四种是:Y5V,X5R,X7R,NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢?第一位表示低温,第二位表示高温,第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度,整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度,整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度,整个温度范围内偏差正负15%NPO(COG)是温度特性最稳定的电容器,电容温漂很小,整个温度范围容量很稳定,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大。
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
cbb22电容电容是电路中常见的一种电子元件,它能够储存电荷并在需要的时候释放出来。
电容的作用是储存电荷,是由两个带电体之间的电场引力形成的。
电容的大小主要取决于两个因素:一个是电容器两极板的面积,另一个是两极板之间的距离。
在电路中,通常使用字母C来表示电容的大小,单位是法拉(F)。
CBB22电容是一种多层陶瓷电容器。
它采用多层陶瓷片作为电介质,在两侧镀上电极,形成了一个由多个平行板组成的电容器。
CBB22电容器的外观常为矩形或方形,尺寸较小,通常用于小功率电子设备中。
CBB22电容的电容值通常在几皮法(pF)到几微法(μF)之间。
它具有体积小、频率响应快、温度稳定性好等特点。
CBB22电容器还具有耐高温、耐冷热冲击等性能,适应了现代高技术电子设备的要求。
CBB22电容广泛应用于电子产品中。
例如,它可以用于电源滤波电路中,用于去除电源中的杂波和纹波,提供稳定可靠的电源给电路其他部分。
此外,CBB22电容还可用于电路中的耦合和绕组补偿电路,用于信号耦合和校正电路,提高电子设备的性能和稳定性。
在使用CBB22电容时,我们需要注意一些问题。
首先,要注意电容的电压等级,确保所选电容的工作电压范围适应电路的工作电压。
否则,电容器会因电压过高而损坏。
其次,要考虑电容的容量大小,根据电路的要求选择适当的电容值。
最后,要注意电容的极性问题,有些电容是极性电容,必须按照标志连接,否则会烧毁电容器。
总的来说,CBB22电容是一种常见的电子元件,广泛应用于各种电子设备中。
它能够储存电荷并在需要时释放出来,具有体积小、响应快、温度稳定性好等特点。
使用CBB22电容时需要注意电压等级、容量大小和极性等问题,以确保电容器能够正常工作。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
一、陶瓷电容介绍1、介质材料种类介绍COG/NPO:属1类陶介质,电气性能最稳定,基本上不随温度、时间、电压的改变而改变,适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合,由于电气性能稳定,高频特性好,可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。
X7R:属2类陶介质,电气性能较稳定,随温度、时间、电压的变化,其特性变化并不明显,适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHZ的中频场合。
Y5V:属3类陶介质,具有很高的介电系数,常用于生产小体积、大容量的电容,其容量随温度改变比较明显,抗恶劣环境能力差,仍用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。
2、介质特性表:项目COG/NPO X7R Y5V 温度特性0+_30PPM/℃+_15% +30%——82% 环境温度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃精度范围C、D、F、G、J、K K、M Z 绝缘电阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ损耗高校正切≥30PF:≤1/100000≤30PF:Q=400+20*C50V≤2.5%;25≤3%16V≤3.5%;10V≤5%50V≤3.5%;25≤5%16V≤7%;10V≤10%抗电强度 2.5倍VDCW 2.5倍VDCW 2.5倍VDCW 测试条件25℃、1MHZ、1V 25℃、1KHZ、1V 25℃、1KHZ、03V二、不同品牌适用的标准TDK片状电容器KYOCERA片状电容器TAIYO片状电容器AVX片状电容器↓↓↓↓EIAJ标准/日本EIAJ标准/日本JIS标准/日本EIA标准/美国三、片状电容器品牌选型说明:1、指标类别:品牌类型尺寸材质电容量电容误差额定电压端接包装①②③④⑤⑥⑦⑧2、不同品牌的指标类别说明、比较:①品牌及产品类型②规格尺寸③材质(温度系数)④ 电容值 ⑤ 电容误差2位有效数+0的个数 通用参数⑥ 额定电压⑦端头T=A=标准镀Ni和焊锡1=B=Pd=Ag(注:钯/银) ⑧标准包装量:(A VX/KYOCERA)0402(7” )=10000PCS 0603(7” )=4000PCS 0805(7” )=4000PCS 1206(7” )=3000或2000PCS 1210(7” )=2000PCS3、各品牌/标准规格型号对照说明:冷却塔选型冷却水量的计算:[1]. Q = m s △ tQ 冷却能力 Kcal / h (冷冻机/ 空调机的冷冻能力) m 水流量(质量) Kg / hs 水的比热值 1 Kcal / 1 kg - ℃△ t 进入冷凝器的水温与离开冷凝器的水温之差[2]. Q 的计算Q = 72 q ( IQ冷却能力 Kcal / h q冷却水塔的风量 CMMI 入口冷却水塔入口空气的焓(enthalpy)I 出口冷却水塔出口空气的焓(enthalpy)[3]. q 冷却水塔的风量 CMM 的计算q = Q / 72 ( I 入口- I 出口 )上述计算系依据基本的热力学理论,按空气线图(psychrometrics)的湿空气性能,搭配基本代数式计算之。
mlcc电容的生产工艺
MLCC(多层陶瓷电容器)的生产工艺主要有三种:干式流延工艺、湿式印刷工艺和瓷胶移膜工艺。
以下是具体流程:
干式流延工艺:在基带上流延出连续、厚度均匀的浆料层。
在表面张力的作用下浆料层形成光滑的自然表面,干燥后形成柔软如皮革状的膜带,再经印刷电极、层压、冲片、排粘、烧结后形成电容器芯片。
湿式印刷工艺:将陶瓷介质浆料通过丝网印刷制成陶瓷薄膜作为多层陶瓷电容器的介质,金属电极和上下保护片都采用丝网印刷形成,达到设计的层数后进行烘干,再按片式电容器的尺寸要求切割成芯片。
瓷胶移膜工艺:以卷式胶膜为载体,通过特殊浆料挤出设备,将陶瓷浆料均匀挤在载体上,以获得陶瓷介质层连续性卷材,膜厚精准,可做到2μm以下,实现介质层的超薄制作。
制作电容器时,以陶瓷介质卷材为基础,在上面印刷金属电极后再套印瓷浆层。
陶瓷电容热膨胀系数热膨胀系数是指物质在温度变化下长度、体积或密度的变化率。
对于陶瓷电容器来说,热膨胀系数是一个重要的物理性质,直接影响着其在高温环境下的使用性能。
本文将就陶瓷电容热膨胀系数的概念、影响因素以及应对措施进行探讨。
陶瓷电容器是一种常见的电子元件,其主要由导电介质和电极组成。
陶瓷材料作为导电介质,具有良好的绝缘性、耐高温性和化学稳定性等优点,广泛应用于电子设备中。
然而,陶瓷材料的热膨胀系数较大,容易受温度变化的影响,从而导致电容器的性能发生变化。
陶瓷材料的热膨胀系数与其晶体结构、化学成分以及烧结工艺等因素密切相关。
通常情况下,陶瓷材料的热膨胀系数随着温度的升高而增大。
这是由于温度升高会使陶瓷材料的原子振动增强,从而导致晶格发生变形,引起体积的膨胀。
在实际应用中,陶瓷电容器常常需要在高温环境下工作,例如汽车电子、航空航天等领域。
因此,陶瓷电容器的热膨胀系数对于其可靠性和稳定性至关重要。
如果陶瓷电容器的热膨胀系数与其它元件不匹配,就会导致元件间的应力不均匀分布,从而引起裂纹的产生和扩展,最终导致元件的失效。
为了解决陶瓷电容器在高温环境下的失效问题,一种常见的方法是通过控制陶瓷材料的化学成分和烧结工艺来调整其热膨胀系数。
例如,可以通过添加稀土元素或控制烧结温度来改变陶瓷材料的晶体结构,从而降低其热膨胀系数。
此外,还可以通过使用多种材料的复合结构来实现热膨胀系数的匹配,例如采用陶瓷与金属的复合结构。
除了控制陶瓷材料的热膨胀系数外,还可以通过设计合理的结构来缓解热膨胀引起的应力问题。
例如,在陶瓷电容器的结构中引入应力缓冲层或采用多层结构,可以有效减少应力的集中和传递,提高电容器的可靠性。
陶瓷电容热膨胀系数是影响其高温使用性能的重要因素。
了解和控制陶瓷材料的热膨胀系数,可以有效提高陶瓷电容器的可靠性和稳定性。
通过调整陶瓷材料的化学成分和烧结工艺,设计合理的结构以及采用复合材料等方法,可以实现热膨胀系数的匹配和应力的缓解,从而提高陶瓷电容器在高温环境下的性能。
片式多层陶瓷电容器MLCC多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。
在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。
两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行,也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构,独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等,由于元件小型化、贴片化的飞速发展,常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代,人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。
片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一,它诞生于上世纪60年代,最先由美国公司研制成功,后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化,至今依然在全球MLCC领域保持优势,主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。
(片式多层陶瓷电容器,独石电容,片式电容,贴片电容) MLCC —简称片式电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。
MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。
•随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,片式电容器也以惊人的速度向前发展,•每年以10%~15%的速度递增。
目前,世界片式电容的需求量在2000亿支以上,70%出自日本(如MLCC大厂村田muRata),其次是欧美和东南亚(含中国)。
随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,•广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。
如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
电容器的ESD 耐性对电容器的ESD (Electrostatic Discharge :静电放电)耐性进行说明。
•ESD 耐性的测试方法 •电容器静电容量与ESD 耐性的关系 • (参考数据)多层陶瓷电容器(GCM 系列)的ESD 耐性ESD 耐性的测试方法耐性人体和设备所携带的静电向整机及电子元件放电时,由于增加了冲击性的电磁能 量,则产品必须具备一定量ESD 耐力。
ESD 耐性测试方法根据产生静电的模型,分为以下三种:①HBM 、②MM 、③CDM 。
其中,我们为您说明一般较多用作电容器ESD 耐性测试方法的①HBM 。
①HBM:假设由人体静电放电时的测试 (Human Body Model :人体模型)②MM:假设由机械静电放电时的测试(Machine Model :机械模型) ③CDM :假设由带电设备静电放电时的测 (Charged Device Model :带电设备模 试型)HBM 的ESD 测试规格有AEC-Q200-002和IEC61000-4-2等,HBM 模型常熟如下表 所示因规格有所不同。
AEC-Q200-002HBM 的ESD 测试电路及放电电流波形如图1、图2所示。
(i )开关2为断开状态,开关1闭合,施加高压电源,充电用电容器(Cd )存储电量。
(ii )开关1断开,开关2闭合,电对测试对象电容器(Cx )施加Cd 存储的电量,进行测试。
规格名充电用电容器 Cd (pF ) 放电用电阻 Rd (Q ) AEC-Q200-002150 2000 IEC61000-4-2 150 330XCx:测试对象电容器Cd:充电用电容器Rd:放电用电阻Rc:保护电阻根据AEC-Q200-002, HBM的ESD测试流程如图3所示,级分类如表1所示。
根据图3的流程进行测试,耐电压的分级如表1所示进行分类。
表1.HBM的ESD测试流程分类最大耐电压1A500V(DC)以下1B0.5kV(DC)以上 1kV(DC)以下1C1kV(DC)以上 2kV(DC)以下22kV(DC)以上 4kV(DC)以下34kV(DC)以上 6kV(DC)以下46kV(DC)以上 8kV(DC)以下5A8kV(DC)以上 12kV(AD)以下5B12kV(AD)以上 16kV(AD)以下5C16kV(AD)以上 25kV(AD)以下625kV(AD)以上DC:直流接触放电人口:空气放电测试对象电容器的静电容量(Cx )和两端产生的电压(Vx )有如下关系。
c0g电容使用温度范围1. 介绍c0g电容是一种用于电子电路中的多层陶瓷电容器。
它具有很低的温度系数和稳定的电容值,因此被广泛应用于高温环境中。
本文将从以下几个方面探讨c0g电容的使用温度范围。
2. c0g电容的特点c0g电容是由陶瓷介质和金属电极构成的,具有以下特点: - 低温系数:c0g电容的电容值在-55°C至+125°C的温度范围内变化很小,可以在广泛的温度范围内保持稳定的性能。
- 良好的频率响应:c0g电容在高频率下具有优异的性能,适用于需要快速响应的电子电路。
- 高电压容量比:c0g电容相比其他类型的电容器具有更高的电压容量比,可以提供更高的电压稳定性。
3. c0g电容的使用温度范围c0g电容的使用温度范围取决于其材料特性和设计。
一般而言,c0g电容的使用温度范围可达到-55°C至+125°C,适用于大多数工业和军事应用。
在以下情况下,使用温度范围可能有所不同:3.1 温度系数c0g电容的温度系数非常低,通常在-30ppm/℃以下。
这意味着在温度变化时,c0g 电容的电容值变化很小。
因此,c0g电容可以在高温或低温环境下保持相对稳定的性能。
3.2 材料特性c0g电容使用的陶瓷材料具有较高的熔点和热稳定性,可以在高温环境下保持其结构和电性能。
这使得c0g电容能够承受较高的工作温度,适用于高温环境下的电子设备。
3.3 极限温度除了常规使用温度范围外,c0g电容还可以在更极端的温度下工作。
一些高温型c0g电容甚至可以在150°C以上的温度下长时间工作。
但需要注意的是,超出标准温度范围使用c0g电容可能会影响其可靠性和寿命。
4. 如何选择适合的温度范围要选择适合的c0g电容温度范围,需要考虑以下因素:4.1 应用环境首先要考虑的是c0g电容将被应用于的环境条件。
如果应用环境的温度属于常规范围内,那么标准的-55°C至+125°C的温度范围通常是足够的。
电解电容、钽电容、陶瓷电容的英文
电解电容的英文是Electrolytic Capacitor;钽电容的英文是Tantalum Capacitor;陶瓷电容的英文是Ceramic Capacitor。
电解电容(Electrolytic Capacitor)是一种极性电容器,它的电介质是一层薄薄的氧化铝膜,通过电解液进行电解反应来存储电荷。
电解电容通常具有较大的容量和较高的电压等级,常用于电源滤波、信号耦合等电路中。
钽电容(Tantalum Capacitor)是一种高性能电容器,它使用钽金属作为电介质。
钽电容具有高容量密度、低等效串联电阻(ESR)、长寿命和良好的温度稳定性等优点。
它们常用于高频电路、精密电子设备以及对性能要求较高的应用中。
陶瓷电容(Ceramic Capacitor)是一种非极性电容器,它使用陶瓷材料作为电介质。
陶瓷电容具有高稳定性、高频率响应、低失真和低温度系数等特点。
它们广泛应用于射频电路、滤波器、振荡电路以及其他对电容性能要求较高的场合。
这些电容器在电子电路中起着重要的作用,它们各自具有独特的特性和应用领域。
选择适合特定需求的电容器类型对于电路的性能和可靠性至关重要。
无论是电解电容、钽电容还是陶瓷电容,它们都为电子设备的正常运行提供了关键的支持。
需要注意的是,以上是对电解电容、钽电容和陶瓷电容的简要介绍,具体的特性和应用可能因不同的制造商和产品而有所差异。
高压陶瓷电容器种类及用途高压陶瓷电容器是一种应用于高压电路中的电子元件,其特点是能够承受较高的电压,通常达到数千伏甚至数十千伏。
高压陶瓷电容器由金属电极及其外部绝缘层、内部陶瓷介质层以及电极间绝缘层组成,其种类繁多,各有不同的用途。
以下将介绍几种常见的高压陶瓷电容器及其用途。
1. 气体放电管陶瓷电容器:主要由陶瓷介质和金属电极构成,用来限制电压的上升速度,避免设备遭受过高的电压,还能提供电压的平稳输出。
这种电容器广泛应用于电视机、雷达、激光和高频等电子设备中。
2. 电力电子器件陶瓷电容器:由于陶瓷电容器具有高介电常数、低电容损失和较好的电压稳定性等特点,所以被广泛用于电力电子领域。
其可以制作成多层结构,用于直流滤波、直流耦合、直流偶联和隔直流的储能电路等。
3. 电视机及显像器件陶瓷电容器:广义的电视机和显像器件陶瓷电容器包括陶瓷介质内配电网络和其他各个复杂结构的陶瓷电容器,可以实现分段匹配,提高电子器件的性能,有利于提高图像分辨率和显示品质。
4. 汽车点火系统陶瓷电容器:汽车点火系统冲击电容器主要用于点火系统的脱离开关,它在点火系统中能起到稳定电压、降噪声的作用。
此外,在高温、高电场及高压的工作环境下不会出现电容值退化等现象。
5. 高压互感器陶瓷电容器:是一种用于电力系统的高压换流器、高压断路器和高压互感器等设备中的电容器。
它能够承受高压并具有较高的电容值和电压稳定性,能够保证电力系统的正常运行。
6. 高压直流电源陶瓷电容器:用于电子设备中的高压直流电源电容器需具有较高的工作电压、较低的电感和电容损耗,能够起到稳定电流和电压的作用。
这种电容器主要应用于通信设备、医疗设备、电视机及其他高压直流电源设备。
总之,高压陶瓷电容器在电力电子、电子器件、汽车电子和通信设备等领域有着广泛的应用。
不同种类的高压陶瓷电容器具有不同的特点和用途,但其共同点是能够承受较高的电压,稳定电流和电压输出,保证设备的正常运行。
陶瓷电容短路的原因
陶瓷电容器短路的原因一般有以下几个可能性:
1. 材料缺陷:陶瓷电容器的制造过程中,材料本身存在缺陷或者污染,比如陶瓷材料的结构不均匀,存在气孔或者裂纹等问题,这些都可能导致电容器短路。
2. 外部压力:在电容器使用过程中,如果受到外部压力的作用,例如机械挤压、震动或者碰撞等不良条件,可能会导致电容器内部的陶瓷材料出现破裂、破碎,进而引发短路。
3. 过电压:当电容器承受超过其额定电压的电压时,其内部的陶瓷材料可能会发生电击穿现象,导致短路。
4. 热休克:陶瓷电容器在高温和低温之间的频繁变化,可能导致材料内部产生应力,进而导致短路。
5. 湿度:陶瓷电容器对湿度比较敏感,在高湿度环境下,可能会导致内部绝缘材料变得不可靠,从而引发短路。
要预防陶瓷电容器短路,需要合理选择电容器的使用环境、避免过压和过温,以及注意材料的质量和制备过程等。
第一类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(如字母
C)温度系数的有效数字;第二部分是有效数字的倍乘;第三部分为随温度变化的容差。
三部分字母与数
字所表达的意义如下表
第一类陶瓷介质电容温度特性(EIA-198-D)
温度系数α的有效数字倍乘随温度变化的容差
C=0.0 S=3.3 0=1 5=+1 G=±30
L=±500
M=1.0 T=4.7 1=-10 6=+10 H=±60
M=±1000
P=1.6 U=7.5 2=-100 7=+100 J=±120 N =±2500
R=2.2 3=-1000 8=+1000 K=±1250
(1)α的额定值和伴随值的限制误差用-20~+85℃间的电容变化来定义,(2)温度系数为0和
限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G(类别为1B)
例如C0G(NP0)=±30ppm/℃,C0H=±60ppm/℃,S2H=(3.3*100)±60ppm/℃第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化,以C0G为例,±30ppm/℃,实际上温度系数只有一半
,在-55℃到+125℃间,电容量变化为0.3%,其损耗因素在40℃到60℃时最小,绝缘电阻随温度上升而
下降,-40℃时为10000s(ohm*F),+125℃时为200s多一点,电容量基本不因频率变化而改变。
第二类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美标EIA-198-D,第一部分为最低工作温度,第二部分有效数字为最高工作温度,第
三部分为随温度
变化的容差,三部分字母与数字表达意义如下表
第二类陶瓷介质电容温度特性
最低温度最高温度随温度变化的容值偏差
Z=-10℃4=+65℃ 7=+125℃ A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%
Y=-30℃5=+85℃ 8=+15℃ B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %
X=-55 ℃ 6=+105℃ C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%
例子X7R:-55 ℃,+125 ℃,±15%容差;Z5U:+10 ℃,+85 ℃,T=+22%/-32%容差;Y5V:-30 ℃,+85 ℃,
T=+22%/-56%容差
几种常见的陶瓷介质温度系数如下表
温度特性温度范围容量变化或温度系数工作温度范围类别
SL -55℃~+85℃+350~1000ppm/℃-55℃~+125℃ 1
C0G -55℃~+125℃ 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
C0H -55℃~+125℃ 0±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
P2H -55℃~+85℃-150±60ppm/℃-55℃~+125℃ 1
S2H -55℃~+85℃-220±60ppm/℃-55℃~+125℃ 1
T2H -55℃~+85℃ -470±60ppm/℃-55℃~+125℃ 1
U2J -55℃~+85℃ -750±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
B -25℃~+85℃ ±10% -25℃~+85℃ 2
Z5U -10℃~+85℃ +22%/-56% -10℃~
+85℃ 2
Y5V -30℃~+85℃ +22%/-82% -30℃~+85℃ 2
R -55℃~+125℃±15% -55℃~+125℃ 2
X5R -55℃~+85℃ ±15% -25℃~+125℃ 2
X7R -55℃~+125℃ ±15% -55℃~+125℃ 2
Y5V瓷片电容
Z5V瓷片
C0G(NP0)瓷片
SL瓷片
Z5U
Y5P瓷片
由于NPO属零温度系数器件,因此它主要是和同样零温度系数的高稳定电感器配合使用,或者在无电感器的晶振、定时电路中使用。
一般的电感器通常具有正的温度系数,因此作谐振用的电感器应配用负温度系数的电容器。
晶体的温度系数较小,配谐电容器可以使用NPO。
无电感定时电路中的积分电容器用于产生各种波形,应当使用NPO。
各类仪器中的输入分压器的频率补偿电容器,应当使用NPO。