直拉单晶硅国标相关知识汇总参考标准：硅单晶GB/T12962-2005硅片径向电阻率变化测定方法GB/T11073硅单晶电阻率的测量GB/T1551-2009代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T1558-2009光电衰减法测硅和锗体内少子寿命测定GB/T1553-2009红外吸收光谱测量硅晶体中间隙氧GB/T1557-2006非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T15501. 径向电阻率变化1）定义：晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（晶片半径的1/2处或靠晶片边缘处）的电阻率之间的差值。
差值与中心值的百分数即为径向电阻率变化。
2）测量方法：GB/T11073规定径向电阻率变化的测量方法为：用四探针法测量硅片中心点和设定点的电阻率。
按以下公式计算：RV=（ρM－ρC）/ρM×100%其中：ρM为硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。
ρC为硅片半径中点或距边缘6mm处，90°间隔4点电阻率的平均值。
3）国标对径向电阻率变化的要求：GB/T12962-2005规定掺杂硼元素的P 型单晶（直径为200mm的）电阻率范围为：0.0025～60Ω·cm。
其径向电阻率变化为：0.0025～0.1Ω·cm ≤12%0.1～60Ω·cm ≤5%2. O、C含量GB/T12962-2005规定直拉硅单晶的间隙氧含量应小于 1.8×1018a/cm3 (36ppma)，具体指标应根据客户要求而定。
其测定的依据标准为：GB/T1557-2006。
替位碳含量应小于 5.0×1016a/cm3 (1ppma)，其测定的依据标准为：GB/T1558-2009利用红外吸收光谱测量间隙氧的有效范围从 1.0×1016a/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。
3．少子寿命GB/T1553-2009规定用光电导衰减法不能测量硅单晶抛光片的少子寿命。
宏质200902---硅片等级.分类及标准一．优等品（表面光滑洁净。
无应力;无线痕，无缺限.）1.几何尺寸(1)厚度：200 ±20µm;(2)边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm;(4)垂直度:任意两边的夹角≤90°±0.5°;(5)TT V（厚度差）≤20µm;(6)TV≤30µm;2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.其它未明事宜参照行业标准。
二．合格品(微线痕，表面光滑洁净)1.几何尺寸（1）厚度：200 ±20µm;（2）边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm;(4)垂直度:任意两边的夹角≤90°±0.5°;(5)TT V（厚度差）≤20µm;（6）线痕≤20µm（7）崩边范围：崩边口不是“V”形状，长≤1mm, 深≤0.5mm，硅片的边缘有少许的硅落个数≤2个/片；（8）弯曲度(翘曲度)≤40µm2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.其它未明事宜参照行业标准。
三．等外品(线痕，TTV不超过50µm)1.几何尺寸（1）厚度：200±20µm;（2）边长：125±0.5mm.对角线150±0.5mm;(3)同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm;(4)垂直度: 任意两边的夹角≤90°±0.8°;（5）TT V（厚度差）≤50µm;（6）线痕≤40µm(TIR)（7）弯曲度(翘曲度)≤800µm;2.少子寿命≥10µs(Semilab WT---1000,表面酸洗碘酒钝化后)，电阻率：0.5—3ΩCm,3—6ΩCm.其它未明事宜参照行业标准。
金属硅产品质量标准金属硅是一种重要的工业原料，广泛应用于冶金、化工、电子等领域。
为确保金属硅产品的质量和使用效果，通常需要满足以下几个质量标准：1.化学成分标准：金属硅产品应符合特定的化学成分要求。
其中，硅含量是关键指标，一般要求在99%以上。
此外，还需控制杂质元素（如铁、铝、钙、镁等）的含量以及其他有害元素（如砷、锑等）的限制值。
2.粒度分布标准：金属硅产品的粒度对其应用性能具有重要影响。
一般会根据不同行业和用户要求设定相应的粒度分布标准。
例如，对于冶金行业来说，常见的粒度范围是10-100mm或更小。
3.电阻率标准：由于金属硅具有良好的导电性能，在一些特殊领域如电子行业中，对其电阻率有严格要求。
电阻率通常以欧姆·厘米（Ω·cm）为单位进行衡量，并根据具体用途制定相应的上下限。
4.化学活性标准：金属硅产品的化学活性主要指其与其他物质的反应性。
根据具体用途和工艺要求，需要控制金属硅的氧化率或还原性等指标，以确保其在特定环境下的稳定性和可靠性。
5.杂质含量标准：金属硅产品中可能存在一些不可避免的杂质，如氧、氮、碳等。
这些杂质的含量需要控制在一定范围内，以保证产品品质和使用效果。
6.纯度要求：金属硅通常需要具备较高的纯度，以确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。
除了控制化学成分外，还需要评估其他纯度指标，如氧含量、碳含量等。
7.物理性能标准：金属硅的物理性能也是一个重要的质量考量因素。
例如，抗压强度、热膨胀系数、导热系数等指标会影响其在高温或特殊环境下的性能表现。
8.表面质量标准：金属硅产品通常需要具备良好的表面状态和光洁度，以满足后续加工或使用时的要求。
表面缺陷、氧化皮、杂质颗粒等问题都可能对产品质量造成不利影响。
9.包装及运输标准：为确保金属硅产品在运输和储存过程中不受损坏或污染，需要制定相应的包装和运输标准，并采取适当的防护措施。
这些标准通常包括包装形式、堆码方式、防潮防尘措施等。
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
