模电仿真实验报告
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模拟电子线路m u l t i s i m仿真实验报告精选文档TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-实验一单级放大电路一、实验目的1、熟悉multisim软件的使用方法2、掌握放大器的静态工作点的仿真方法,及对放大器性能的影响。
3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数,输入电阻、输出电阻的仿真方法,了解共射级电路的特性。
二、虚拟实验仪器及器材双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表三、实验步骤1.仿真电路图E级对地电压25.静态数据仿真26.动态仿真一1.单击仪表工具栏的第四个,放置如图,并连接电路。
2.双击示波器,得到如下波形5.他们的相位相差180度。
27.动态仿真二1.删除负载电阻R62.重启仿真。
28.仿真动态三1.测量输入端电阻。
在输入端串联一个的电阻,并连接一个万用表,启动仿真,记录数据,填入表格。
数据为VL测量数据为VO1.画出如下电路图。
2.元件的翻转4.去掉r7电阻后,波形幅值变大。
实验二 射级跟随器一、实验目的1、熟悉multisim 软件的使用方法2、掌握放大器的静态工作点的仿真方法,及对放大器性能的影响。
3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数,输入电阻、输出电阻的仿真方法,了解共射级电路的特性。
4、学习mutisim参数扫描方法 5、学会开关元件的使用二、虚拟实验仪器及器材双踪示波器 信号发生器 交流毫伏表 数字万用表三、实验步骤1实验电路图如图所示;2.直流工作点的调整。
如上图所示,通过扫描R1的阻值,在输入端输入稳定的正弦波,功过观察输出5端的波形,使其为最大不失真的波形,此时可以确定Q1的静态工作点。
7.出现如图的图形。
10.单击工具栏,使出现如下数据。
11.更改电路图如下、17思考与练习。
1.创建整流电路,并仿真,观察波形。
XSC12.由以上仿真实验知道,射级跟随器的放大倍数很大,且输入输出电压相位相反,输入和输出电阻也很大,多用于信号的放大。
1. 理解电路基本理论,掌握电路分析方法。
2. 掌握电路仿真软件(如Multisim)的使用方法。
3. 分析电路参数对电路性能的影响。
二、实验内容本次实验主要针对一阶RC电路进行仿真分析,包括零输入响应、零状态响应和全响应的规律和特点。
三、实验原理一阶RC电路由一个电阻R和一个电容C串联而成,其电路符号如下:```+----[ R ]----[ C ]----+| |+---------------------+```一阶RC电路的传递函数为:H(s) = 1 / (1 + sRC)其中,s为复频域变量,R为电阻,C为电容,RC为电路的时间常数。
根据传递函数,可以得到以下结论:1. 当s = -1/RC时,电路发生谐振。
2. 当s = 0时,电路发生零输入响应。
3. 当s = jω时,电路发生零状态响应。
四、实验仪器与设备1. 电脑:用于运行电路仿真软件。
2. Multisim软件:用于搭建电路模型和进行仿真实验。
1. 打开Multisim软件,创建一个新的仿真项目。
2. 在项目中选择“基本电路库”,搭建一阶RC电路模型。
3. 设置电路参数,如电阻R、电容C等。
4. 选择合适的激励信号,如正弦波、方波等。
5. 运行仿真实验,观察电路的响应波形。
6. 分析仿真结果,验证实验原理。
六、实验结果与分析1. 零输入响应当电路处于初始状态,即电容电压Uc(0-) = 0V时,给电路施加一个初始电压源,电路开始工作。
此时,电路的响应为电容的充电过程。
通过仿真实验,可以得到以下结论:(1)随着时间t的增加,电容电压Uc逐渐增大,趋于稳态值。
(2)电容电流Ic先减小后增大,在t = 0时达到最大值。
(3)电路的时间常数τ = RC,表示电路响应的快慢。
2. 零状态响应当电路处于初始状态,即电容电压Uc(0-) = 0V时,给电路施加一个激励信号,电路开始工作。
此时,电路的响应为电容的放电过程。
通过仿真实验,可以得到以下结论:(1)随着时间t的增加,电容电压Uc逐渐减小,趋于0V。
实验报告课程名称:___模拟电子技术基础实验_____实验名称:____半导体器件特性仿真____实验类型:__EDA___一、实验目的和要求(必填) 二、实验内容和原理(必填) 三、主要仪器设备(必填) 四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析(必填)七、讨论、心得一、 实验目的和要求1、了解PSPICE 软件常用菜单和命令的使用。
2、掌握PSPICE 电路图的输入和编辑。
3、学习PSPICE 分析设置、仿真、波形查看等方法。
4、学习半导体器件特性的仿真分析方法。
二、 实验内容和原理1、二极管伏安特性测试电路如图3.1.1所示,输入该电路图,设置合适的分析方式及参数,用PSpice 程序仿真分析二极管的伏安特性。
2、在直流分析中设置对温度的内嵌分析,仿真分析二极管在不同温度下的伏安特性。
3、将电源Vs 用VSIN 元件代替,并设置合适的元件参数,仿真分析二极管两端的输出波形。
4、三极管特性测试电路如图3.1.2所示,用PSpice 程序仿真分析三极管的输出特性,并估算电压放大倍数。
图3.1.1 二极管特性测试电路 图3.1.2 三极管特性测试电路三、 主要仪器设备装有PSpice 程序的PC 机四、 操作方法和实验步骤1、二极管特性的仿真分析受温度影响。
用PSpice仿真时,从元件库中选出相应元件,连线,设置分析参数。
二极管特性测试电路的直流扫描分析参数可设置为:扫描变量类型为电压源,扫描变量为Vs,扫描类型为线性扫描,初始值为-200V,终值为40V,增量为0.1V。
为了仿真分析二极管在不同温度下的伏安特性,还需设置直流扫描的内嵌分析(Nested Sweep),内嵌分析参数可设置为:扫描变量类型为温度,扫描类型为列表扫描,扫描值为-10(℃),0(℃),30(℃)。
在Probe程序中可查看到二极管的伏安特性曲线,其横坐标应为二极管两端电压V(2)。
为了分析温度对二极管伏安特性的影响,可以改变X坐标轴和Y坐标轴的范围,得到二极管在不同温度下的正向伏安特性曲线。
MULTISIM 仿真实验报告实验一单级放大电路一、实验目的1、熟悉multisim软件的使用方法2、掌握放大器的静态工作点的仿真方法,及对放大器性能的影响。
3、学习放大器静态工作点、电压放大倍数,输入电阻、输出电阻的仿真方法,了解共射级电路的特性。
二、虚拟实验仪器及器材双踪示波器信号发生器交流毫伏表数字万用表三、实验步骤1.仿真电路图V110mVrms 1kHz0°R1100kΩKey=A10 %R251kΩR320kΩR45.1kΩQ12N2222AR5100ΩR61.8kΩC110µFC210µFC347µF37V212 V4521R75.1kΩ9XMM16E级对地电压25.静态数据仿真记录数据,填入下表仿真数据(对地数据)单位;V计算数据单位;V基级集电极发射级Vbe Vce RP10k 26.动态仿真一1.单击仪表工具栏的第四个,放置如图,并连接电路。
V110mVrms 1kHz0°100kΩKey=A10 %R251kΩR320kΩR45.1kΩQ12N2222AR5100ΩR61.8kΩC110µFC210µFC347µF37V212 V52R75.1kΩXSC1A BExt Trig++__+_6192.双击示波器,得到如下波形5.他们的相位相差180度。
27.动态仿真二1.删除负载电阻R6V110mVrms1kHz0°100kΩKey=A10 %R251kΩR320kΩR45.1kΩQ12N2222AR5100ΩR61.8kΩC110µFC210µFC347µF37V212 V52XSC1A BExt Trig++__+_6192.重启仿真。
记录数据.仿真数据(注意填写单位)计算Vi有效值Vo有效值Av3.分别加上,300欧的电阻,并填表填表.4.其他不变,增大和减少滑动变阻器的值,观察VO的变化,并记录波形28.仿真动态三1.测量输入端电阻。