330D1E334F中文资料(Electrocube)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

1.参考

1. Stm32f4数据手册：stm32f407zgt6.pdf

2. Stm32f4中文手册：stm32f4xx中文参考手册.pdf

3.开发板示意图：Explorer stm32f4_ Vxx_ SCH.pdf

2.芯片内部资源

1.芯片图片

2.芯片参数表

3.内核

（1）32位高性能Arm Cortex-M4处理器

（2）时钟：最高168MHz，实际上比频率高一点

（3）支持FPU（浮点运算）和DSP指令

4. IO端口

（1）Stm32f407zgt6：144针114 IO端口

（2）大多数IO端口可以承受5V（模拟通道除外）

（3）支持调试：SWD和JTAG，SWD只需要2条数据线

5.记忆

（1）内存容量：1024k闪存，192K SRAM

6.时钟，复位和电源管理

（1）1.8〜3.6V电源和IO电压

（2）上电复位和可编程掉电监控

（3）强大的时钟系统

-4〜26m外部高速晶体振荡器

内部16 MHz高速RC振荡器

-内部锁相环（PLL），在PLL频率加倍后，一般系统时钟是外部或内部高速时钟

-外部低速32.768k晶体振荡器，主要用作RTC时钟源

7.低功耗

（1）三种低功耗模式：睡眠，停止和待机

（2）RTC和备用寄存器可以由电池供电

8.广告

（1）3个12位AD [最多24个外部测试通道]

（2）内部通道可用于内部温度测量

（3）内置参考电压

9，DA

（1）两个12位Da

10，DMA

（1）16个具有FIFO和突发支持的DMA通道

（2）支持的外设：定时器，ADC，DAC，SDIO，I2S，SPI，I2C和USART

11.多达17个计时器

（1）10个通用计时器（TIM2和tim5为32位）

（2）2个基本计时器

（3）2个高级计时器

（4）1个系统计时器

（5）2个看门狗定时器

12.多达17个通讯接口

（1）三个I2C接口

（2）6个串口

1

FM-1288

高性能汽车免提语音理器

2 产前信息

本文件包含一个试制产品信息。规格和试生产资料如有更改恕不另行通知。

富迪科技有限公司的产品并不是为了挽救生命或维持生命的应用。因此，如果这样使用的话迪科技有限公司不承担任何责任。富迪的产品有富迪的书面批准才能用于生命支持设备或系统。如果有这样的组件故障可合理预期会导致该生命支持设备或系统的失效，或影响的设备或系统的安全性或有效性。生命支持设备或系统的目的是植入人体，或支持和/或维持和维持和/或保护人类生活。如果他们失败了，这个假设合理，用户或其他人的健康可能会受到威胁。

在此我们拒绝任何形式的担保，但不限于保证不侵权，还包括对于电路说明和图表说明。

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3 目录

1. 简介............................................................. 9

1.1概述 ......................................................... 9

1.2个主要特点 ................................................... 9

1.3引脚配置（LQFP） ............................................ 10

mpu6050中文数据手册

STM32F103CDE_DS_中文数据手册_V5

导读：就爱阅读网友为您分享以下“STM32F103CDE_DS_中文数据手册_V5”的资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92to 的支持!

STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE数据手册

5

5.1

电气特性

测试条件

除非特别说明，所有电压的都以VSS为基准。

5.1.1 最小和最大数值

除非特别说明，在生产线上通过对100%的产品在环境温度TA=25°C和TA=TAmax下执行的测试(TAmax与选定的温度范围匹配)，所有最小和最大值将在最坏的环境温度、供电电压和时钟频率条件下得到保证。 在每个表格下方的注解中说明为通过综合评估、设计模拟和/或工艺特性得到的数据，不会在生产线上进行测试；在综合评估的基础上，最小和最大数值是通过样本测试后，取其平均值再加减三倍的标准分布(平均±3∑)得到。

5.1.2 典型数值

除非特别说明，典型数据是基于TA=25°C和VDD=3.3V(2V

≤ VDD ≤ 3.3V电压范围)。这些数据仅用于设计指导而未经测试。

典型的ADC精度数值是通过对一个标准的批次采样，在所有温度范围下测试得到，95%产品的误差小于等于给出的数值(平均±2∑)。

5.1.3 典型曲线

除非特别说明，典型曲线仅用于设计指导而未经测试。

5.1.4 负载电容

测量引脚参数时的负载条件示于图10中。 图10

引脚的负载条件

5.1.5 引脚输入电压

引脚上输入电压的测量方式示于图11中。 图11

引脚输入电压

参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准）

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STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE数据手册

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基于ARM内核的32位MCU，150DMIPs，高达1MB Flash/128+4KB RAM，USB On-The-Go

Full-speed/High-speed，以太网，17 TIMs，3 ADCs，15个通信&摄像头接口

主要特性：

内核：

使用ARM 32位Cortex™-M3 CPU，自适应实时加速器(ART加速器™)可以让程序在Flash中以最高120MHz频率执行时，能够实现零等待状态的运行性能，内置存储器保护单元，能够实现高达150DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。

存储器：

高达1M字节的Flash存储器

512字节的动态口令存储器

高达128+4K字节的SRAM

灵活的静态存储控制器，支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器

并行LCD接口，兼容8080/6800模式

时钟、复位和电源管理：

1.65～3.6V用于供电和I/O管脚

上电复位、掉电复位、可编程电压监测器和欠压复位

4~26MHz晶体振荡器

内嵌经出厂调校的16MHz RC振荡器（25 °C下精度为1%）

带校准功能的32kHz RTC振荡器

内嵌带校准功能的32kHz的RC振荡器

低功耗：

睡眠、停机和待机模式

VBAT为RTC，20×32位后备寄存器，以及可选的4KB后备SRAM供电

3×12位A/D转换器，0.5μs转换时间：

多达24个输入通道

在三倍间插模式下转换速率高达6MSPS

2×12位D/A转换器

通用DMA：

16组带集中式FIFO和支持分页的DMA控制器

多达17个定时器：

多达12个16位和2个32位的定时器，频率可达120MHz，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入

调试模式：

串行单线调试(SWD)和JTAG接口

Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)

多达140个具有中断功能的I/O端口：