三星商品化开发管理

GaN功率器件调研

摘要：论文从研究背景、进展和行业动态三方面论述了发展GaN功率器件的可行性和意义。

关键词：GaN；功率器件

一、研究背景

目前绝大多数电力电子器件都是基于硅（Si）材料制作的，随着硅工艺的长足发展与进步，其器件性能在很多方面都逼近了极限值。因此，电力电子器件想要寻求更大的具有突破性的提高，需要更多关注新型半导体材料。

与其它半导体器件相比，电力电子器件需要承受高电压、大电流和高温，这就要求其制造材料具有较宽的禁带、较高的临界雪崩击穿场强和较高的热导率。新型氮化镓（GaN）基宽禁带半导体材料无疑成为制作高性能电力电子器件的优选材料之一。

几种主流半导体材料特性参数如表1所示。

表1 主流半导体材料特性参数

材料 Si GaAs 4H-SiC GaN

禁带宽度（eV） 1.12 1.42 3.25 3.4

相对介电常数 11.8 12.8 9.7 9

击穿电场（MV/cm） 0.3 0.4 3 4

饱和漂移速度（107cm/s）峰值 1 1 2 3

热导率（W/cmK） 1.5 0.5 4.9 2.3

（1）从表1中可以看出相比GaAs、Si等材料，GaN材料具有较大的禁带宽度。因此，GaN基材料在高温和高辐射的情况下本征激发载流子较少，这就使得用GaN材料制作的半导体器件的工作温度可以高于GaAS、Si等半导体材料的工作温度，这对于制作高温、大功率半导体器件有很大的优势。

（2）GaN材料具有很大的饱和电子迁移速度，GaN材料的饱和电子漂移速度峰值能够达到3×107cm/s，这个数值要远大于GaAs、Si、4H-SiC等半导体材料。大饱和电子漂移速度保证了GaN器件具有非常好的载流子输运性质，这在制作高频微波电子器件方面，能够有非常广阔的应用前景。

（3）GaN材料具有高的击穿电压。Si和GaAs的临界击穿电场只有0.3MV/cm和0.4MV/cm，而GaN材料的临界击穿电压能够达到4MV/cm，这一性质使得GaN材料很适合做高压电子器件，能够非常优秀地足电力工业对高压二极管的广泛需求。

财税[2015]119号文：研发费用加计扣除政策整理（图解）

摘要：财税[2015]119号文适用于会计核算健全、实行查账征收并能够准确归集研发费用的居民企业。 2016年1月1日起执行，国税发〔2008〕116号、财税〔2013〕70号同时废止。

事项 关键点

定

义 本通知所称研发活动，是指企业为获得科学与技术新知识，创造性运用科学技术新知识，或实质性改进技术、产品（服务）、工艺而持续进行的具有明确目标的系统性活动。

企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，按照本年度实际发生额的50%，从本年度应纳税所得额中扣除；形成无形资产的，按照无形资产成本的150%在税前摊销。研发费用的具体范围包括：

允

许

加

计

扣

除

的

研

发

费

用 1.人员人工费用 接从事研发活动人员的工资薪金、基本养老保险费、基本医疗保险费、失业保险费、工伤保险费、生育保险费和住房公积金，以及外聘研发人员的劳务费用。

2.直接投入费用 （1）研发活动直接消耗的材料、燃料和动力费用。

（2）用于中间试验和产品试制的模具、工艺装备开发及制造费，不构成固定资产的样品、样机及一般测试手段购置费，试制产品的检验费。

（3）用于研发活动的仪器、设备的运行维护、调整、检验、维修等费用，以及通过经营租赁方式租入的用于研发活动的仪器、设备租赁费。

3.折旧费用 用于研发活动的仪器、设备的折旧费。

4.无形资产摊销 用于研发活动的软件、专利权、非专利技术（包括许可证、专有技术、设计和计算方法等）的摊销费用。

5.新产品设计费、新工艺规程制定费、新药研制的临床试验费、勘探开发技术的现场试验费。

6.其他相关费用 与研发活动直接相关的其他费用，如技术图书资料费、资料翻译费、专家咨询费、高新科技研发保险费，研发成果的检索、分析、评议、论证、鉴定、评审、评估、验收费用，知识产权的申请费、注册费、代理费，差旅费、会议费等。此项费用总额不得超过可加计扣除研发费用总额的10%。

LED技术发展和应用状况调查

1.LED照明技术发展历程

早在1907年，Henry Joseph Round就首次在碳化硅上观察到电致发光现象，20年代晚期Bernhard Gudden和Robert Wichard在德国从锌硫化物与铜中提炼出的黄磷发光，但因光线暗淡而难以为继，直到1936年George Destiau发表硫化锌粉末发光的报告，才最终出现了“电致发光”这个术语。

20世纪50年代，英国科学家使用半导体砷化镓发明了第一个现代意义上的LED并迅速应用于感应与光电领域；60年代初，在砷化镓基体上使用磷化物发明了第一个GaAsP可见的红光LED；70年代中期，引入元素In和N，使LED可产生绿光（波长550nm）、黄光（波长570nm）和橙光（波长590nm），光效也随之提高到1流明/瓦；80年代早到中期，对砷化镓磷化铝（AlGaAsP）的使用使得第一代高亮度的LED的诞生，先是红色（波长620nm）接着就是黄色（波长570nm），最后为绿色（波长550nm）；90年代早期，采用铟铝磷化镓（AlGaInP）生产出了桔红、橙、黄和绿光等多种光的LED而使发展步入快车道，其中第一个有历史意义的GaN蓝光（波长450nm）LED是1993年由日亚公司的中村修二博士发明的，90年代中期出现了超亮度的氮化镓LED，自此可见光领域的三原色（红、黄、蓝）均有高亮度光源可供应用，使 LED 可以进军全彩显示及白光照明等广大需求的市场；2000年，GaAlInP做成的LED在红、橙区(λp=615nm)的光效达到100流明/瓦，而GaInN制成的LED在绿色区域(λp=530nm)的光效可以达到50流明/瓦。

Roland Haitz所提出LED界有一个类似于半导体界的技术成长定律，这个定律总结道30年来每隔18-24个月，LED的亮度（flux）就会倍数增加，曾经暗淡的发光二极管现在真正预示着LED新时代的来临。照明产业必须要一定亮度的产品，目前LED 照明技术中，红光、黄光灯属于低端产品，已实现批量生产，用于道路照明、灯箱装饰等特种照明。而低成本、高亮度、大功率的白光灯则属于高端产品，因可应用于室内照明而实现继白热灯照明以来的又一次光革命，因此目前的LED 照明技术着重研究的也是白光

SGD7S-120A00A驱动器说明书手册

伺服电机（servo motor ）是指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机，是一种补助马达间接变速装置。

伺服电机可使控制速度，位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。伺服电机转子转速受输入信号控制，并能快速反应，在自动控制系统中，用作执行元件，且具有机电时间常数小、线性度高、始动电压等特性，可把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。分为直流和交流伺服电动机两大类，其主要特点是，当信号电压为零时无自转现象，转速随着转矩的增加而匀速下降。

中文名 伺服电机 外文名 Servo motor 类 型 设备 使用场合 自动控制系统

目录

1 工作原理

2 发展历史

3 选型比较

4 调试方法

5 性能比较

6 选型计算

7 制动方式

8 注意事项

9 特点对比

10 使用范围

11 主要作用

12 优点

工作原理 编辑

1、伺服系统（servo mechanism）是使物体的位置、方位、

伺服电机

状态等输出被控量能够跟随输入目标（或给定值）的任意变化的自动控制系统。伺服主要靠脉冲来定位，基本上可以这样理解，伺服电机接收到1个脉冲，就会旋转1个脉冲对应的角度，从而实现位移，因为，伺服电机本身具备发出脉冲的功能，所以伺服电机每旋转一个角度，都会发出对应数量的脉冲，这样，和伺服电机接受的脉冲形成了呼应，或者叫闭环，如此一来，系统就会知道发了多少脉冲给伺服电机，同时又收了多少脉冲回来，这样，就能够很精确的控制电机的转动，从而实现精确的定位，可以达到0.001mm。直流伺服电机分为有刷和无刷电机。有刷电机成本低，结构简单，启动转矩大，调速范围宽，控制容易，需要维护，但维护不方便（换碳刷），产生电磁干扰，对环境有要求。因此它可以用于对成本敏感的普通工业和民用场合。

无刷电机体积小，重量轻，出力大，响应快，速度高，惯量小，转动平滑，力矩稳定。控制复杂，容易实现智能化，其电子换相方式灵活，可以方波换相或正弦波换相。电机免维护，效率很高，运行温度低，电磁辐射很小，长寿命，可用于各种环境。