掺 杂:少量掺入三价杂质(如硼、镓和铟等)
杂质半导体 杂质半导体的载流子浓度
在杂质型半导体中,多子浓度比 本征半导体的浓度大得多,而少子浓 度比本征半导体的浓度小得多,但两 者乘积保持不变,并等于ni2 。
详见“半导体物理”。
杂质半导体的载流子浓度
在杂质半导体中,尽管杂质含量很少,但提供的载流子数 量计算仍远大于本征半导体中载流子的数量。
例如:T=300k时,锗本征半导n =2.5×1013/cm3,锗原子密度 i 为4.4*1022/cm3,若掺入砷原子是锗原子密度的万分之一。
则施主杂质浓度为: ND=10-4×4.4×1022=4.4×1018/cm3
(比ni大十万倍)
在杂质型半导体中: 结 •多子浓度比本征半导体的浓度大得多; 论 •载流子的浓度主要取决于多子(即杂质浓度)
放大电路可分为四种类型
Rs
A
us
信号源 ui 放大电 uo
路
负载
RL
直流电源
3.当需要把电流信号转换为电压信号,则可利用所谓互阻放大 电路,其表达式为:Vo=ArIi 式中 Ii为放大电路的输入电流, Vo为输出电压,Ar为互阻增益,其量纲为欧。
4.把电压信号转换为与之相应变化的电流输出的关系可表达为: Io=AgVi式中Ag称为放大电路的互导增益,它具有导纳量纲S。 相应地,这种放大电路得名为互导放大电路。
+4
++34
+4
+4
+4
+4
因留下的空穴很容易俘获 电子,使杂质原子成为负 离子。三价杂质 因而也称
为受主杂质。
+4