东南大学928电子技术基础1999年考研真题答案详解
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东南大学09年报考录取统计信息科学与工程学院080902 电路与系统186 44 22 信息科学与工程学院080904 电磁场与微波技术176 71 32 信息科学与工程学院081000 信息与通信工程863 188 91信息科学与工程学院430109 电子与通信工程(工程硕士)0 30 0电子科学与工程学院080300 光学工程55 15 4 电子科学与工程学院080901 物理电子学94 47 8 电子科学与工程学院080902 电路与系统127 16 3电子科学与工程学院080903 微电子学与固体电子学235 87 2008年报考录取统计电子科学与工程学院080300 光学工程64 22 7 电子科学与工程学院080901 物理电子学79 29 5 电子科学与工程学院080902 电路与系统148 13 4电子科学与工程学院080903 微电子学与固体电子学263 86 23信息科学与工程学院080902 电路与系统167 36 15信息科学与工程学院080904 电磁场与微波技术140 57 17信息科学与工程学院081000 信息与通信工程739 171 49专业代码、名称及研究方向人数考试科目备注004 信息科学与工程学院(83791291)080902 电路与系统01 超高速集成电路研究02 射频、微波集成电路研究03 光电集成电路研究04 通讯网络VLSI研究320①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④920 专业基础综合(信号与系统、数字电路)不招收同等学力考生复试科目:529 模拟电子线路080904 电磁场与微波技术01 毫米波亚毫米波理论与技术02 微波毫米波电路与应用系统03 毫米波光电子学04 计算电磁学与应用电磁学05 天线理论与技术06 电磁散射与成像07 电磁兼容①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④920 专业基础综合(信号与系统、数字电路)复试科目:528 电磁场与微波技术08 无线通信中的射频技术09 新型电磁材料研究081000 信息与通信工程01 通信与信息系统02 信号与信息处理03 信息安全①101 思想政治理论②201 英语一③301 数学一④920 专业基础综合(信号与系统、数字电路)报考信息安全方向的考生复试笔试科目为544信息安全, 其他方向为526专业综合复试科目:526 专业综合(数字信号处理、通信原理) 或544 信息安全430109 电子与通信工程01 通信与信息系统02 信号与信息处理03 信息安全04 电路与系统05 电磁场与微波技术①101 思想政治理论②204 英语二③301 数学一④920 专业基础综合(信号与系统、数字电路)授予工程硕士专业学位;报考微波方向复试笔试考528,电路方向考529, 信息安全方向考544,通信和信号方向考526复试科目:526 专业综合(数字信号处理、通信原理) 或528 电磁场与微波技术或529 模拟电子线路或544 信息安全导师信息(注:导师以姓氏拼音的首字母为序)专业代码专业名称导师姓名080902 电路与系统王志功,黄秋庭(兼),黄风义,朱恩,冯军,孟桥,李智群,樊祥宁,胡庆生,李文渊,陈莹梅,苗澎等080904 电磁场与微波技术曹振兴,陈继新,程强,崔铁军,窦文斌,洪伟,华光,蒋忠进,陆卫兵,钱澄,孙连友,孙忠良,王宗新,吴柯,徐金平,殷晓星,于东海,余旭涛,赵洪新,周后型,周健义,朱晓维等081000 信息与通信工程尤肖虎,王江舟,沈连丰,赵春明,陈明,陈晓曙,曹秀英,徐平平,衡伟,宋铁成,郭强,赵新胜,蒋良成,王玲,王捷,潘志文,黄清,仲文,王炎,张在琛,吴乐南,邹采荣,吴镇扬,胡爱群,郭学雷,方世良,杨绿溪,钱进,毛卫宁,高西奇,陈励军,高翔,王桥,裴文江,赵力,张树林,郭延芬,杨晓辉,高礼忠,罗琳,陈阳,黄杰,秦中元,陈立全,蒋睿,宋宇波,康维,丁峙(兼),杜永强,刘楠,盛彬,王向阳,王霄峻,张华,郑军,周琳等参考书目科目代码科目名称参考书目920 专业基础综合(信号与系统、数字电路)《计算机结构与逻辑设计》黄正谨,高等教育出版社,2001年;《信号与线性系统》(第四版)管致中等,高等教育出版社526 专业综合(数字信号处理、通信原理)《数字信号处理》吴镇扬,高等教育出版社,2004年9月;《Communication Systems》(Fourth Edition)[加]Simon Haykin,电子工业出版社,2003年3月528 电磁场与微波技术《电磁场与电磁波理论基础》孙国安,东南大学出版社,2003年;《微波技术与天线》刘学观等,西安电子科技大学出版社,2001年529 模拟电子线路《电子线路》(第四版)(线性部分、非线性部分,即第一章、第三章)谢嘉奎主编,高等教育出版社544 信息安全《网络信息安全理论与技术》蒋睿,胡爱群,陆哲明等,华中科技大学出版社,2007,11;《通信网的安全理论与技术》,王育民,刘建伟,西安电子科技大学出版社,2002,5专业代码、名称及研究方向人数考试科目备注006 电子科学与工程学院(83795466)080300 光学工程01 光通信技术02 光电功能材料与器件技术03 微纳光电子技术与应用04 生物光子技术与应用05 微波光子技术及应用06 光电集成与片上系统技术07 显示科学与技术160①101 思想政治理论②201 英语一③301数学一④932 光学或936 普通物理或955 物理化学(化)不招收同等学力考生复试科目:543 微机系统与接口技术或578 有机化学080901 物理电子学01 显示科学与技术02 光电子与光通信技术03 光网络与微波光子技术04 太赫兹科学技术及应用05 真空电子科学与技术①101 思想政治理论②201 英语一或203 日语③301 数学一④928 电子技术基础(数、模)或930 电磁场理论1、只有报考01方向的考生可以选日语。
上海交通大学一九九九年硕士研究生入学考试试题试题编号:16试题名称:电子技术基础(含数字电路与模拟电路)一、放大电路为图一所示,三极管参数为β1和β2,R be1,R be2,U BE=0.7V,设电容为足够大。
1、指出T1,T2各起什么作用。
2、估算静态时的电流ICQ1。
3、写出中频时电压放大倍数AU,输入电阻Ri和Ro的表达式。
(8分)一、判别下图所示电路中,级间交流反馈的组织和组态,若是负反馈则计算在浓度负反馈系数和闭环电压增益A uf=U0/U I,设各三极管的参数为β,R be为已知,电容足够大。
(8分)二、在下图的放大电路中,已知三极管的β=100,UBE=0.7V Rbe1=R be2=43.4KΩ,稳压管D2=6.7V,A为理想运放。
试求1、电压放大系数Au=U0/U i1-U i2=?2、运算放大器A的共模输入电压UIC=?共模输出电压UOC=?三、一种增益可调的差动数大电路如下图所示,试推导出其输入与输出的关系式,设A为理想运放。
(8分)UU四、由理想运放组成的电路如下图所示,设UI=V M cosωt,β>>1,试求输入信号电流i0EE六、下图是用热敏电阻Rt作检测元件的测温电路,该Rt每度变化1Ω,在0°C时R t=1KΩ.三极管的β>>1,U BE=0.7V。
1、表头每伏对应几度?2、设A1和A2的CMRR为无穷大,A3的CMRR为100dB。
试估算由此引进的测量误差是多少度?七、下图所示电路中,A1,A2为理想运放,二极管D的正向压降为0.6V,动态电阻很小,反向电流为零。
1、画出U01,U02的波形,要求时间坐标对应,标明电压幅值。
2、求振幅频率f与输入电压Ui的近似函数关系式。
3、设Ui为一缓慢变化的锯齿波,试定性画出U02的波形。
(10分)一、下图所示电路是一个多功能函数发生器,其中,C1,C2,C0均为控制信号,x,y为数据输入:1、试列表说明当C2C1C0为不同取值组合时,输出端L的逻辑功能(L( x,y))的表达式。
科目代码:920科目名称:专业基础综合(信号与系统、数字电路) 第1页 共5页 东南大学2016年硕士研究生入学考试初试试题(A 卷) 科目代码: 920 科目名称: 专业基础综合(信号与系统、数字电路) 满分: 150 分 注意: ①认真阅读答题纸上的注意事项;②所有答案必须写在答题纸上,写在本试题纸或草稿纸上均无效;③本试题纸须随答题纸一起装入试题袋中交回!一. 选择题(每小题3分,共45分)1. 函数表达式F (A ,B ,C )=AB+C ,如果实现该逻辑而不产生逻辑冒险,应该添加的项为()。
(A) AC (B) BC (C) ABC (D) BC2. 下列叙述正确的是()。
(A) 与、或、非构成的逻辑运算,可以完全由或、非运算代替;(B) 与、或、非构成的逻辑运算,可以完全由与、非运算代替;(C) 与、或、非构成的逻辑运算,可以完全由与、或运算代替;(D) 与、或、非构成的逻辑运算,不能用其中的两种运算代替;3. 触发器的特点是()。
(A) 有两个稳定的状态,能够存储一位二进制信息,能够根据输入置位、复位;(B) 由与非门构成,靠时钟边沿触发;(C) 施加激励信号后,状态完成转移,激励信号撤销,状态保持不变;(D) 在时钟有效电平时,能够完成状态转移,其他时刻,状态保持不变;4. 最小项具有下列性质()。
(A) 所有的最小项相乘,结果为1;(B) 所有的最小项相加,结果为1;(C) 任意两个最小项相乘,结果为1;(D) 任意两个最小项相加,可以消去一个变量;5. 复杂的可编程逻辑器件CPLD ,其内部一般包含有()。
(A) 算术逻辑单元ALU ;(B) 计数器;(C) 移位寄存器;(D) 可编程内部连线和逻辑块;6. 假设某线性系统,在任何初始条件下零状态响应都具有()212()t t zs y t C e C e −−=−这样的形式。
则下面说法最准确的是( )(A) 该系统一定是稳定的二阶系统;(B) 该系统一定是二阶系统,但是不能保证稳定;(C) 该系统一定是稳定的、至少是二阶的系统;。
东南大学考研复习卷课程名称 半导体物理929 编辑时间得分适用专业电子科学与技术考试形式 闭卷考试时间长度 180分钟室温下=k T eV 0.0260,电子电量=⨯-e C 1.61019。
一、 填空题(每空1分,共35分)1. 设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近的能量为=+-m m k h k h k k 3E ()()00C 12222,价带极大值附近的能量=-m m k h k h k 6E ()300V 12222,其中m 0为电子质量,h 为普朗克常数,=k a21,则半导体禁带宽度为__________,价带顶电子跃迁到导带底时的准动量的变化为__________,价带顶空穴有效质量为__________。
2. 室温下,锗的禁带宽度=E eV g 0.67,估计室温下本征锗导带底的一个能态被电子占据的几率为__________。
锗价带顶的一个能态被空穴占据的几率为-103,此时费米能级的位置在__________,玻尔兹曼分布是否近似成立? __________。
3. 由间接复合作用决定的非平衡载流子寿命++∆=++∆+++∆τN c c n p p c n n n c p p p t n p n l p l ()()()0000,式中N t 代表__________。
半导体禁带宽度=E eV g 1.12,小注入条件下,复合中心能级E t 在价带顶上方eV 0.12,费米能级在导带底下方eV 0.31,则非平衡载流子的寿命可化简为__________;大注入条件下,非平衡载流子的寿命可化简为__________。
4. 室温下本征硅掺入某种杂质后,电子浓度为=⨯-n cm 1.510043,硅的本征载流子浓度=⨯-n cm i 1.510103,导带有效状态密度=⨯-cm N 2.810C 193,价带有效状态密度=⨯-cm N 1.110193。
则费米能级与价带顶的差为__________;掺入施主杂质5. 表面复合率U s 表示单位时间__________,它与__________成正比,比例系数用s 表示,反应了表面复合的强弱。