《模拟电子技术》试卷A卷
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班级
姓名
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线
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试卷一
题号 一 二 三 四 五 总分
得分
阅卷
一、 填空题(每空1分,共35分)。
1、常用的半导体材料是_______和_______,他们都是_______价元素。
2、PN结具有______________性能,即加正向电压时PN结_______,加反向电压时PN结
_______。
3、特殊二极管有 二极管、 二极管和 二极管,它们的符号
分别如图1-1中 、 和 。
4、根据三极管的输出特性曲线,可以将其工作状态分为 区、放大区和 区,
当工作在放大区时,应该满足 正偏、 反偏。
5、场效应管是 控制型元件;三极管是 控制型元件。
6、示波器是一种用途很广的电子测量仪器,它既能直接显示电信号的 ,又能对电
信号进行各种参数的 。
7、整流电路的输出电压是一个 ,其中含有交流成分,为了得到平滑的直流电
压波形,还需在整流电路后加入 ,为了清除电网波动及负载变化的影响,保持输
出电压的稳定,还需 的帮助。
8、多级放大电路中的耦合方式有三种:分别是 、 和 。多
级放大电路的总电压放大倍数等于各级放大电路的电压放大倍数的 。
9、按工作状态,功率放大电路可分为甲类放大、 放大和 放大,其中
波形失真最为严重, 的功放管导通角θ=2π。
10、一个性能良好的差动放大电路,对 信号应有很高的放大倍数,对 信
号应有足够的抑制能力。
11、共模抑制比用 表示,它的定义式是 。
三、判断题(每题1分,共15分)
(正确的在括号内打“√”,错误的打“x”。)
1、( )在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。
2、( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
3、( )无论是哪种类型的晶体二极管,其正向电压都为0.3V左右。
4、( )晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
5、( )发射结和集电结均正向偏置,是晶体三极管工作在饱和区的条件。
6、( )放大电路的电压放大倍数随负载RL而变化,RL越大,电压放大倍数越大。
7、( )三极管是线性元件。
8、( )采用阻容耦合的前后级放大电路的静态工作点互相影响。
9、( )基本差动放大电路的共模放大倍数为零。
10、( )深度负反馈下,放大器的闭环放大倍数只取决于反馈系数。
11、( )甲乙类功率放大器能消除交越失真,是因为两只晶体三极管有合适的偏流。
12、( )电压比较器是集成运放的线性应用。
13、( )乙类功率放大器静态时,Ic≈0,所以静态功耗几乎为零,效率高。
14、( )温度的变化是产生零点漂移的最主要原因。
15、( )集成运放工作在线性区时有两个重要特点:“虚短”和“虚断”。
二、选择题(单选题,除1-2题每题4分外,其余每题2分,共20分)
1、对放大电路中的晶体三极管测量,各极对地的电压为UB=2.7V,UE=2V,UC=6V,则该管
为( )。
A.NPN硅管 B.PNP硅管 C. NPN锗管 D. PNP锗管
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线
2、一个三级放大器,工作时测得Au1= 100,Au2=-50,Au3=1,则总的电压放大倍数是( )。
A.51 B.100 C.-5000 D.1
3、振荡器的振荡频率取决于( )。
A.供电电源 B.选频网络 C.晶体管的参数 D.外界环境
4、满足IC=βIB的关系时,三极管工作在( )。
A.饱和区 B.放大区 C.截止区 D.击穿区
5、能提高放大倍数的是( ) 反馈。
A.电流 B.电压 C.负 D. 正
6、乙类功放电路存在( ) 问题。
A.效率低 B.非线性失真 C.交越失真 D.以上都是
7、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )。
A.共模抑制比 B.差模电压放大倍数 C.共模电压放大倍数 D.以上都是
8、单相桥式整流电路电路中,负载电阻RL上的平均电压是( )V。
A.245.0U B.29.0U C.22.1U
四、简答题(共9分)
1、什么是零点漂移?(3分)
2、试判断图4-2所示电路中反馈的类型(需简要说明判断依据)。(6分)
i
f
i
i
i
dRfVT2VT1C2C1
R
e1
R
e2
+U
CC
Rc2R
c1
R
b2
R
b1
u
o
u
i
图4-2
五、计算题(共21分)
1、图5-1电路中,UCC=12V,RB=200kΩ, RC=2kΩ, RL=2kΩ,β=50。(假设VT为硅三极管)
1)求放大电路的静态工作点。
2)求放大电路的电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。(15分)
2、电路如图5-2所示,试分析推导输出与输入之间的关系式,并说出该集成运放能实现什么
功能?(6分)
图5-2
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