CVD-1100设备工作原理

Always Off 真空泵始终关闭。
图 2-10. 真空泵选择面板
Always On 真空泵始终运转（此功能仅供 DIONEX 维修工程师使用）。
Cycle On：设置真空泵每次脱气的时间； Off：设置真空泵每次脱气的间隔时间。
Monitor（默认设置） ICS-1100 根据脱气压力开/关真空泵。
图 2-7. 常规流路图
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图 2-12 是选装了 RFIC-ER 的流路：去离子水从淋洗液瓶（1）经脱气泵 → 淋 洗液阀（2） → 泵（3）→ 压力传感器（4） → 阻尼器（5） → ER1 柱 （6） → 进样阀（7） → 样品环（8） → 热交换器（9） → 保护柱/分离柱（10） → 抑制器（11） → 电导池（12） → ER2 柱（13） → ER3a 和 ER3b 柱（14） → ERC10（15），最后返回淋洗液瓶。
ICS-1100 离子色谱系统 操作手册
戴安(中国)有限公司 维修服务中心
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目录 1. 简介.................................................................................................................................1 2. 特性.................................................................................................................................4 3. 操作和维护 .............................................................................................................18 4. 故障指南 ...................................................................................................................25 5. 维修...............................................................................................................................31 附录A. 仪器规格 .......................................................................................................43 附录B. 常见问题 .......................................................................................................47

绕射性好。
基片的正面反面甚至内孔、凹槽、狭缝等，都能沉积上薄膜。
沉积速率快，镀层质量好 。
离子镀膜获得的镀层组织致密，针孔、气泡少。而且镀前对工件 ( 基片 )清洗处理较简单。成膜速度快，可达 75m/min 2 离子镀膜的特点
可镀材质广泛
真空容器 ( 提供蒸发 所需的真空环境)。 蒸发源 ( 为蒸镀材料 的蒸发提供热量)。 基片 ( 即被镀工件， 在它上面形成蒸发料 沉积层 ) ，基片架 ( 安 装夹持基片)。 加热器。
蒸发镀膜系统
蒸发成膜过程是由蒸发、蒸发材料粒子的迁移和沉 积三个过程所组成。
蒸发材 料粒子 蒸发 材料 基片 (工件)
二、 溅射镀膜
离子束射向一块固体材料时，有三种可能：
1．入射离子把固体材料的原子或分子撞出固体材 料表面，这个现象叫做溅射。 2．入射离子从固体材料表面弹了回来，或者穿出 固体材料而去，这些现象叫做散射。 3．入射离子受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低 下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就 叫做离子注入。
气相沉积技术
气相沉积技术也是在基体上形成功能膜的 技术，它是利用气相之间的反应，在各种 材料或制品表面沉积单层或多层薄膜，从 而使材料或制品获得所需的各种优异性能， 如常用的TiC、TiN、Ti(C,N)、(Ti,Al)N、 Cr2C3、Al2O3、C-BN 等超硬耐磨涂层。
气相沉积技术在1970年前也称作干镀， 1980年前后被广泛用于电子和装饰方面的 无公害加工以及刀具的硬面涂层。 近30多年来，随着电子器件、金属切削刀 具以及各类尖端科学技术的发展，使得气 相沉积技术得到了迅速发展和广泛应用。
3 离子镀的应用
大多数精密刀具都是高 速钢制造的，这些刀具 制造复杂，价格昂贵， 消耗贵金属，迫切需要 延长使用寿命。 涂层高速钢刀具是离子 镀最成功的应用之一， 氮化钛化合物膜具有很 高的硬度，颜色金黄， 广泛用于高速钢刀具和 装饰涂层，引起了一场 刀具的“黄色革命 ”。

CC1100 /CC2500 Wake-on-Radio（电磁波唤醒）功能原理3.2 CC1100的WOR功能可以使芯片在无需MCU的干预下周期性的从深度睡眠模式醒来侦听潜在的数据包。

这个可编程的唤醒周期由一个WOR定时器控制，这个定时器的时钟源是一个内部RC振荡器。

因此，在发布WOR滤波使芯片处于WOR模式之前，必须开启这个内部的RC振荡器。

CC1100的GDO引脚可以配置为在MCU希望的条件下产生一个中断信号。

例如，在RX模式下监测到同步字时可产生一个中断信号唤醒MCU。

ＭCU然后可以决定下一步的动作，比如，切换到TX模式发送一个应答信号，或者是，如果CRC校验失败，继续返回WOR 模式。

在收到数据包后，芯片不会自动返回WOR状态，这意味着，MCU需要手动的发布WOR滤波使芯片返回WOR状态。

如果没有监测到同步字，一个可编程的RX时间结束后，芯片将不需要MCU的干预而自动返回WOR模式。

WOR功能可以和RX_TIME_RSSI（信号强度检测）功能联合使用。

在进入RX模式时，检测信号强度，若信号强度低于设定的比较值，RX模式将立即结束转入到WOR的睡眠周期。

这个功能可以减少RX的时间，进一步降低功耗。

CC1100提供两种使用WOR的方法，使用或不使用自动同步特性。

本文仅介绍不带自动同步的WOR应用。

3.2.1 不带自动同步的WOR应用最简单的利用WOR功能的方式是发送机以一个固定的时间间隔发送数据包，接收机有规律的醒来侦听数据包，这种情形不需要使用自动同步。

控制WOR定时器的低功率RC振荡器的频率会随着温度和电压的改变而改变。

为了保证RC振荡器的频率尽可能的精确，当XOSC振荡器运行时以及芯片不再睡眠模式时应当进行频率校准。

当芯片进入睡眠模式时，RC振荡器使用最后的校准值。

CC1100从深度睡眠模式唤醒的时间和开始RX模式的时间通过事件0和事件1来描述。

这个过程参见图1。

CC1100唤醒的时间间隔，如图1所示，等于t Event0，也就是说等于两个连续的事件0之间的时间间隔，或等于两个连续的事件1之间的时间间隔。

优势： 1.禁带宽度：5.5eV 2.高介电常数：5.5 3. 高热导率：20W/cm.K P型半导体掺杂：B 气态掺杂 乙硼烷（B2H6）常温下为易燃易爆的有毒气体。是目前广泛 用于CVD生长工艺的掺杂气体。 固态/液态掺杂 硼粉末、氧化硼、硼酸三甲酯。常见引入方式为先加热 或溶于一定的溶剂，再进行掺杂。 硼元素的掺杂引入可以在一定程度上提高CVD生长速率并且控制表 面形貌。
CVD金刚石晶种
一般CVD金刚石籽晶选择晶面取向 为（100），不允许存在其他的取 向。因为该晶面外延生长的质量最 高，如使用（111）面，会产生大 量多晶、层错和位错。影响最终产 品的质量。 近期有研究发现，略微偏离（100） 晶面1°-3°会有助于表面平整的 单晶外延，因为台阶生长是CVD金 刚石单晶的外延的主要方式，适当 的偏角有助于减少生长台阶的高度 和形貌。这一技术被称为“Offangle growth”。
金刚石N型掺杂
N型半导体掺杂
N型掺杂一直是金刚石掺杂的难点，这个难点的攻克使用了约15年的时间。最 终目标为：高掺杂原子浓度、浅施主杂质能级。 氮掺杂：使得金刚石晶格中杂质能级位于导带底1.7eV深能级。 磷掺杂：金刚石激活能高（10.4eV），掺杂后载流子浓度低，杂质能级位于导 带底0.6eV。
电热丝材料：W, Ta, Re 热丝温度：2000℃ 晶种温度：700℃-1000℃ 反应腔体压力：10-100 torr (1torr≈133Pa) 反应腔体气氛：99%H2+1%CH4 反应速度：小于10 µm/hr
出自Matsumoto et al (1982)，是第一次报 道CVD合成钻石的方法，不过很快就被更加 稳定的设备和工艺取代。
钻石的加工
四个主要程序：
标记（设计标线或划线） 分割（劈、锯或激光切割） 成型（车钻） 抛磨（磨钻）