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【芯邦 2093P 量产心得】解决坏块异常问题 量产耗时缩短25倍

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昨天同学给了我一个旧U盘，外壳坏了，打开一看是居然是悲催的芯邦2093P。

回家就下载了2093P的量产工具，但是版本太旧，识别不了Flash型号。

于是又下载了最新的V5535，终于完美识别了。

使用默认的量产模式出现问题：

扫描完成的时候显示只有221个坏块，格式化分区完成后却变成一千多个坏块了！？

而且容量也由3.7G变成了1.7G，反复几次都是如此。

扫描低格一般需要25分钟，很耗时，折腾几个小时后我快放弃了。

幸运的是我不经意间摸索到了简洁而完美的量产方式。

总结如下：

1.如果你是“第一次量产”或者“以前量产过，并且没有任何问题”，“扫描设置”请按如下方式选择。

这样可以保留以前正确的设置，大大缩短量产时间。

2.如果你的“U盘量产过，并且容量缩水较大”，请先用默认模式扫描低格一次。

（目的是确定坏块位置）

然后按以下方式擦除Flash

最后选择“原厂Flash”来量产一次，就可以完美的还原你的U盘了。

以后，再量产时就可以用“擦除Flash”→“原厂Flash”的方式来量产，相对于默认扫描低格量产耗时缩短25倍！

值得注意的是,选用"原厂Flash"模式量产出来的U盘坏块数量和最近一次低格时扫描到的坏块数量相同.

这就进一步说明,之前低格后一千多个坏块是BUG导致的.必须擦除后用"原厂Flash"模式来读取正确的坏块表.

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芯片技术的常见问题解决方案汇总

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随着科技的不断进步，芯片技术在各个领域得到了广泛应用，从智能手机到电脑，从汽车到家电，芯片技术的发展使得我们的生活变得更加便利和智能。然而，随之而来的是一系列的问题和挑战。本文将探讨芯片技术中的一些常见问题，并提供解决方案。

一、散热问题

随着芯片功耗的不断增加，散热问题成为了芯片设计中的一大难题。过高的温度会导致芯片性能下降甚至损坏。为了解决这个问题，可以采取以下措施：

1. 散热片设计：通过设计合理的散热片，提高散热效率，将芯片产生的热量快速散发出去。可以采用铜质散热片或者采用热管技术来提升散热效果。

2. 风扇散热：在芯片周围安装风扇，通过强制对流来加速热量的散发。这种方式适用于功耗较高的芯片，如游戏主机或高性能电脑。

3. 液冷散热：利用液体介质来吸收芯片产生的热量，再通过冷却系统将热量散发出去。这种方式适用于高功耗和高温度的芯片，如服务器和超级计算机。

二、功耗问题

随着芯片功能的不断增加，功耗也成为了一个不容忽视的问题。过高的功耗会导致电池寿命缩短，设备发热严重等问题。为了解决这个问题，可以采取以下措施：

1. 优化电路设计：通过优化电路结构和布局，减少功耗。例如，采用低功耗的逻辑门和电源管理电路，合理设计电源线路，降低电流泄漏等。

2. 功耗管理：通过软件或硬件的方式对芯片功耗进行管理。例如，采用动态电压调节技术，根据芯片负载情况动态调整供电电压，降低功耗。 3. 休眠模式：在芯片空闲或不使用时，进入休眠模式，降低功耗。可以通过设计合理的休眠模式和唤醒机制来实现。

三、抗干扰问题

芯片在工作过程中容易受到电磁干扰或其他外界干扰的影响，导致性能下降或功能失效。为了解决这个问题，可以采取以下措施：

1. 屏蔽设计：通过合理的屏蔽设计，减少外界电磁干扰对芯片的影响。可以采用金属屏蔽罩、屏蔽层等方式来实现。

2. 滤波器设计：在芯片输入和输出端口增加滤波器，过滤掉高频噪声和杂波，提高芯片的抗干扰能力。

银灿主控的U盘量产时的调整ECC调整方法

银灿主控的U盘量产时的调整ECC调整方法

1 银灿主控的U盘量产时的调整ECC调整方法

银灿主控的U盘应该如何调ECC呢？之所以要调ECC，那么是为了让U盘没有坏块。如果按照普通模式量产成功的U盘，可能还有很多坏块，而这样量产的U盘是通不过urwtest容量测试的。

注意：很多量产工具默认是不能调整的，所以我们选择银灿IS903量产工具支持更多闪存2.11.02.11升级版就带此功能。

1、 调整ecc大小的方法是，插入U盘，打开量产工具，打开量产设定，点击编辑按钮，输入密码IS0024，然后看到下图这样的界面，勾选不扫描原厂坏块，然后勾选扫描选框，扫描后开卡勾选，点击扫描设定就能调整ecc大小了，按下图这样ecc选10到15这样设置比较合适。

2、下图是没有设置ecc量产后，容量测试通不过urwtest测试的截图。 2

3、下图是ecc调整后，量产成功后的坏块数量截图：可以看到坏块数量变少是345个，之前有1万多个。

3

4、下面是此U盘的检测信息，可以看到主控是IS903的，闪存是MLC的。

5、下图是ecc调整后量产的U盘的urwtest容量测试结果，可以看到已经能通过测试了。

4

6、如果量产出来的通不过urwtest，而可以通过h2testw测试，可以尝试量产设定用 安全模式2，增强稳定度4来量产。

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nandflash的oob及坏块管理

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0.NAND的操作管理⽅式

NAND FLASH的管理⽅式：以三星FLASH为例，⼀⽚Nand flash为⼀个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块

⼤⼩(512Bytes) + OOB 块⼤⼩(16Bytes，除OOB第六字节外，通常⾄少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。

关于OOB区，是每个Page都有的。Page⼤⼩是512字节的NAND每页分配16字节的OOB；如果NAND物理上是2K的Page，则每个Page分配64字节的OOB。如下图：

以HYNIX为例，图中⿊体的是实际探测到的NAND，是个2G bit（256M）的NAND。PgSize是2K字节，PgsPBlk表⽰每个BLOCK包含64页，那么每个BLOCK占⽤的字节数是64X2K=128K字节；该NAND包好2048个BLOCK，那么可以算出NAND占⽤的字节数是2048X128K=256M，与实际相符。需要注意的是SprSize就是OOB⼤⼩，也恰好是2K页

所⽤的64字节。

1.为什么会出现坏块 由于NAND Flash的⼯艺不能保证NAND的Memory Array在其⽣命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的⽣产中及使⽤过程中会产⽣坏块。坏块的

特性是：当编程/擦除这个块时，会造成Page Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。

2.坏块的分类 总体上，坏块可以分为两⼤类：（1）固有坏块：这是⽣产过程中产⽣的坏块，⼀般芯⽚原⼚都会在出⼚时都会将每个坏块第⼀个page的spare area的第6个

byte标记为不等于0xff的 值。（2）使⽤坏块：这是在NAND Flash使⽤过程中，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需