AC stark effect

kink效应

kink效应主要与处于⾼层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关,⽽不是只与碰撞电离有关.硅膜越薄，源漏结深越浅，DIBL效应越弱。

薄膜全耗尽SOI器件的膜厚决定结深，DIBL效应随硅膜按⽐例减薄

⽽减弱是全耗尽SOI相对于部分耗尽SOI和体硅器件的最重要的优

点之⼀，也是薄膜全耗尽SOI更适应于按⽐例缩⼩的有⼒证明。2.3 “kink"效应与热载流⼦效应

SOI MOSFET中存在⼏种与漏端⾼场区域中载流⼦碰撞离化有

关的寄⽣效应，如“Kink”效应和热载流⼦效应等。2.3.1“kink”效应

“kink"效应是指SOI MOSFET的输出特性曲线向上弯曲的现象

(见图2.6所⽰)，它是SOI MOSFET结构中⼀种特有的寄⽣效应。这

⼀现象在漏电压⾼于某个值时便会发⽣，并在N沟器件中表现的较

为明显，⽽在P沟器件中相对较弱。对于部分耗尽的N沟SOI器件，

当漏电压充分⾼时，沟道电⼦可以从漏结附近的⾼场区中得到⾜够的

能量并通过碰撞电离⽽产⽣电⼦⼀空⽳对，所产⽣的电⼦在电场的作

⽤下迅速穿过沟道区到达漏区，⽽空⽳则迁移到硅层中电位较低的体

浮空区域，使体浮空区的电位升⾼，体⼀源结形成正向偏置。体电位

的增加降低了器件的阈值电压。随着漏电压的增加，阈值电压的减⼩，

因⽽导致漏电流的增加。表现在器件的电流输出特性上，便发⽣了特

性曲线向上弯曲的现象⼀即称之为“kink'，效应。如果硅膜中少⼦寿命

相当⾼,则“kink"效应可因器件中存在寄⽣双极晶体管结构⽽增强，

双极晶体管中的基极空⽳电流可被放⼤从⽽引起漏电流的进⼀步增

加，这种现象称之为“⼆次翘曲”。

动画预设

backgrounds 背景

Apparition 幻影

Blocks 积木

Cinders 尘渣

Circuit 电路

Cosmic power 宇宙能量

Creepy 恐怖

Curtain 窗帘

Deep Tissue 深层组织

Fog Lights 雾化灯

Germs 细菌

Green crystals 绿色晶体

Indigestion 消化不良

Infection 感染

Lightning Bend 扭曲闪电

Magma 岩浆

Orb 球体

Pixels 像素

Racing Rectangles 疾行矩形

Red Speed 红色速度

River 河流

Rose Light 玫瑰之光

Silk 丝绸

Smoke Rising 烟雾升腾

Sweeping Curves 曲线扫除

Behaviors 行为

Autoscroll—horizontal 自动水平滚动

Autoscroll—vertical 自动垂直滚动

Drisf Over Time 在时间上漂移

Fade In Over layer Below 在下层图层上淡入

Fade In +Out-frames 淡入淡出——帧

六边形翘曲效应

六边形翘曲效应（Hexagonal Warping Effect）是一种在二维晶体材料中由于晶格对称性的限制而导致的电子结构的畸变现象。在六边形晶格结构中，当存在轴对称性破缺或异质应变时，电子的动量和能量将出现畸变。

具体来说，六边形翘曲效应表现为在电子能带结构中出现六个等能量的圆锥点或马鞍点，这是由于翘曲引起的电子波矢的非零分量。这些特殊的点称为Dirac点或Weyl点，它们具有线性色散关系，类似于石墨烯中的Dirac点。

六边形翘曲效应在材料科学中具有一些重要的应用和研究价值，例如：

1. 量子超导：六边形翘曲效应可以导致奇特的量子现象的出现，如具有非常高的贯穿率的超导态。

2. 拓扑绝缘体：六边形翘曲效应可以在某些材料中形成较为稳定的奇异层构型，从而产生拓扑绝缘体材料的性质。

3. 光电器件：通过利用六边形翘曲效应，可以调节材料的光学性质和电子能带结构，从而实现新型的光电器件。

研究人员在材料设计和调控方面正在努力探索和应用六边形翘曲效应。通过了解和利用六边形翘曲效应，可以为创造具有特殊光电性质和量子性质的新型材料提供重要的理论指导和实验基础。

第５２卷第２期　２０１１年３月　天　文　学　报　ＡＣＴＡ　ＡＳＴＲＯＮＯＭＩＣＡ　ＳＩＮＩＣＡ　Ｖｏ１．５２　ＮＯ．２　Ｍａｒ．．２０１１　

利用弱引力透镜效应的尖峰和尺度一尺度　

相关统计区分暗能量模型木　

李　明十　

（南京大学天文系南京２　１００９３）　

摘要　为了研究不同宇宙学模型下弱引力透镜效应的性质，利用Ｎ一体模拟产生的数　据，通过光线追踪技术，生成二维的　样本．对应于不同的暗能量状态方程参数的模型，　即　＝－０．８，Ｗ＝一１．０，砌＝一１．２，生成了３组样本．对于这些模型所生成的样本视场均　为３。×３。，并假设所有作为背景源的星系都分布在　＝１处的平面上．对这些　场的样　本均进行了尖峰统计和尺度一尺度相关的统计．对尖峰的统计结果显示，包含噪声的　场　中尖峰分布在不同模型下的差别还是存在的．噪声改变了中等幅值和小幅值的尖峰分布，　而对高幅值的尖峰分布影响不大．同时降噪后　场中高幅值尖峰分布的结果表明，降噪后　不同模型间高幅值尖峰分布的差别还是非常明显的．对于尺度一尺度相关统计，分析了不　同模型的尺度一尺度相关系数的累积概率分布函数，　Ｗ＝一１．２的模型与Ｗ＝－０．８和　

＝一１．０的模型的差别能达到２０％和３０％．因此尺度一尺度相关的统计结合尖峰数目的　统计，可以做为确定暗能量状态参数的一种新的手段．　

关键词宇宙学：宇宙大尺度结构，引力透镜：弱，方法：数值　中图分类号：Ｐ　１５９；　文献标识码：Ａ　

１　引言　

在过去的十几年中，引力透镜现象已成为一种认识宇宙中物质分布的强有力的手段．　引力透镜的作用范围可以从单个星系、星系团尺度，到宇宙大尺度结构．由于星系团是　宇宙中最大的维里化的天体，星系团在空间中的分布以及它的形成和演化过程依赖于宇　宙学参数Ｉ１－２］．　

由于弱引力透镜现象对物质的具体状态不敏感，过去曾认为利用弱引力透镜的剪切　

场或　场中高信噪比的尖峰可以准确地重构出星系团的样本．但是，由于引力透镜效应　存在着一个沿视线方向投影的过程，所以弱引力透镜信号实际上是由物质密度沿视线方