Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于
12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ）
Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触
13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）
A BVCEO
B BVCBO
C BVEBO
14．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。（V S为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）
A V S=V
B B V S=2V B
C V S=0
15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ C ）A．较厚B．较薄C．很薄16．pn 结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ A ）。
A．展宽B．变窄C．不变
17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ C ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺
18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ B ）。A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压
19．真空能级和费米能级的能值差称为（ A ）
A 功函数
B 亲和能
C 电离电势
20. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ A ）
A 发射区
B 基区
C 集电区
21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P 沟道，该MOSFET 为（ A ）A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型
二、判断题（共20 分，每题１分）
１．（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
２．（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。
３．（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。
４．（×）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。
５．（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。
６．（√）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。
７．（√）MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。
８．（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。
９．（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。
10．（√）MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。
１１．（√）平衡PN 结中费米能级处处相等。
１２．（√）能够产生隧道效应的PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。
１３．（√）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。
１４．（√）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。
１５．（√）高频下，pn 结失去整流特性的因素是pn 结电容
１６．（×）pn 结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。
１７．（√）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。
１８．（√）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。
１９．（×）制造MOS 器件常常选用[111]晶向的硅单晶。
２０．（√）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。
三、名词解释(共15 分，每题5分，给出关键词得3分)
1．雪崩击穿
随着PN 外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。
2．非平衡载流子
由于外界原因，迫使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态，其载流子浓度可以比平衡状态时多出了一部分，比平衡时多出了的这部分载流子称为非平衡载流子。
3．共有化运动
当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
四、问答题（22 分）
1．简述肖特基二极管的优缺点。（6 分，每小点1 分）
优点：（1 ）正向压降低
（2 ）温度系数小
（3 ）工作频率高。
（4 ）噪声系数小
缺点：（1 ）反向漏电流较大
（ 2 ）耐压低
2．MIS 结构中，以金属—绝缘体—P 型半导体为例，半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？（6 分，每小点2 分）
积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积。（ 2 分）
耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。（2 分）
