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DRAM的发展1. 简介动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的半导体存储器，用于计算机和电子设备中。
它以其高密度、低成本和快速访问速度而闻名。
本文将探讨DRAM的发展历程、技术特点和未来趋势。
2. 发展历程DRAM的发展可以追溯到上世纪60年代。
最早的DRAM是基于电容存储单元的，每一个单元存储一个位数据。
然而，由于电容的漏电流和噪声问题，这种存储器需要定期刷新，而且容易受到干扰。
在70年代，静态随机存取存储器（SRAM）的浮现提供了一种替代方案，但由于成本高昂，SRAM并没有取代DRAM的地位。
随着技术的进步，DRAM在80年代迎来了重大突破。
引入了基于单电晶体晶体管的动态存储单元，称为MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。
这种新的设计消除了电容漏电流问题，并提高了存储单元的集成度。
DRAM的容量和速度也得到了显著提升。
3. 技术特点（1）高密度：DRAM的存储单元非常小，可以实现高密度的数据存储。
目前，DRAM的存储密度已经达到了每平方毫米数百兆字节。
（2）快速访问速度：DRAM的读写速度非常快，可以满足大部份计算机和电子设备的要求。
现代DRAM的访问时间通常在几十纳秒到几百纳秒之间。
（3）易失性存储：DRAM是一种易失性存储器，需要定期刷新以保持数据的完整性。
这是因为DRAM存储单元中的电荷会逐渐泄漏，导致数据丢失。
（4）低功耗：相比于其他存储器类型，如SRAM，DRAM具有更低的功耗。
这使得DRAM成为挪移设备和电池供电设备的理想选择。
4. 未来趋势随着计算机和电子设备的不断发展，DRAM也在不断进化。
以下是DRAM未来的几个趋势：（1）增加存储容量：随着数据量的不断增长，DRAM的存储容量也在不断提高。
未来的DRAM可能会实现更高的存储密度，以满足大规模数据存储的需求。
（2）提高访问速度：随着计算机处理速度的提高，DRAM的访问速度也需要相应提升。
未来的DRAM可能会采用更快的数据传输和访问技术，以满足高性能计算的需求。
存储技术的发展历程随着时代的变幻，人们的生活方式和习惯都在不断地改变，而存储技术则是这些变化中最为显著的一个方面。
今天，我们已经拥有了许多先进的存储技术，既方便使用又更加安全可靠，但是很少有人知道这些技术是如何得到发展的。
本文将介绍存储技术的历程，让读者了解存储技术的发展历史以及它对我们生活的影响。
I. 存储早期历程在原始社会，人们将信息存储在大脑中，这是最原始的存储技术。
随着人类的进步，人们开始将信息记录在各种介质上，例如骨头、玻璃、陶器、竹简等，这些都是古代存储技术的代表。
在中国，竹简是最先出现的记录材料之一。
相传商朝就有"笔录"之说，但早期的竹简并未标明记载日期，内容也极为简单。
汉代时，以竹简为主的"简牍之学"已非常发达，与此同时，希腊罗马地区也开始使用羊皮纸等新型媒介录写记事，可以说是史前社会向文化社会过渡的重要阶段。
II. 磁带与磁盘技术的诞生随着科技的进步，人们对存储的要求越来越高，媒介也逐渐升级。
在20世纪初期，磁带与磁盘技术的出现，为存储带来了全新的变革。
1928年，德国工程师弗里茨·普福夫发明了磁带，开始了磁记录的历史。
磁带是将磁性材料贴在一条薄膜上制成的，可以记录音乐、数据等信息。
这项发明引起了世界各地科学家的广泛关注，后来带领推出了更先进的磁盘技术，取代了磁带技术的地位，成为当时非常流行的存储形式。
III. 光盘和DVD的崛起随着人们对存储容量的需求不断增长，CD和DVD等存储介质也应运而生。
与磁盘技术相比，这些介质可以存储更多的信息，并且更加轻便易携带。
在1982年，Phillips在欧洲发明了第一个光盘，随后Sony在美国推出CD技术，在2005年出现的DVD技术，则是基于CD原理与MPEG2编码技术的共同发展。
CD和DVD技术的诞生，让人们可以将更多的数据存储在更小的介质上，可以更方便快捷地获取所需信息，便于交流和管理。
EEPROM行业市场现状分析及未来三到五年发展趋势报告EEPROM Industry Market Current Status Analysis and Future Development Trends ReportThe EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) industry has seen significant growth in recent years, driven by the increasing demand for non-volatile memory in various electronic devices. The global EEPROM market is currently witnessing steady growth, with a strong focus on technological advancements, product innovations, and expanding applications across diverse industries.Market Current Status Analysis:The current market for EEPROM is characterized by increasing adoption in consumer electronics, automotive, industrial, and healthcare sectors. The growing utilization of non-volatile memory in smart appliances, IoT devices, automotive infotainment systems, and medical equipment is fueling the demand for EEPROM. Additionally, the rising trend of data security and privacy concerns has further propelled thegrowth of EEPROM in various applications.Furthermore, the continuous advancements in semiconductor technology, including the development of smaller form factors, higher storage capacity, and lower power consumption, are driving the market expansion. The integration of EEPROM in emerging technologies such as AI, machine learning, and edge computing is also contributing to the market's growth trajectory.On the regional front, Asia-Pacific is leading the global EEPROM market, supported by the presence of major semiconductor manufacturers, rapid industrialization, and the increasing adoption of electronic devices in countries like China, Japan, and South Korea. North America and Europe also hold significant market shares due to the presence of leading automotive and consumer electronics industries.Future Development Trends:Looking ahead, the EEPROM industry is poised for continued growth and evolution over the next three to five years. Several key trends and developments are expected to shape the marketdynamics during this period.1. Increased Demand for Automotive Applications:The automotive sector is anticipated to be a major growth driver for the EEPROM market, owing to the rising deployment of advanced driver assistance systems (ADAS), autonomous vehicles, and in-vehicle infotainment systems. The demand for reliable and secure data storage solutions in automotive electronics will fuel the adoption of EEPROM in the coming years.2. Advancements in IoT and Smart Devices:The proliferation of IoT devices and smart appliances will drive the demand for non-volatile memory, as these devices require data storage capabilities to store settings, sensor data, and user preferences. The EEPROM industry is expected to witness increased integration in IoT devices, wearables, and connected home applications.3. Transition towards Higher Storage Capacities:As the requirement for higher storage capacities in electronic devices continues to grow, EEPROM manufacturerswill focus on developing products with enhanced capacity while maintaining small form factors and low power consumption. This trend will cater to the needs of data-intensive applications in various industries.4. Emphasis on Security and Data Integrity:With the increasing focus on cybersecurity and data integrity, EEPROM solutions with robust security features and reliability will be in high demand. This trend will be particularly prominent in applications involving sensitive data storage, such as in healthcare, finance, and government sectors.总结:总体而言，EEPROM行业市场目前状况良好，未来三到五年的发展趋势也呈现积极态势。
读书报告—光盘存储技术的历史、现状及未来光盘存储技术的历史、现状及未来摘要：本文回顾了光盘存储技术的发展史，总揽了当今技术现状，对每一重要阶段进行了粗略的介绍，并对今后光盘存储技术的发展趋势进行了简单的描述与展望。
关键词：光盘存储历史现状发展趋势一、引言光盘存储技术，是利用精细聚焦的激光束从模压而成的盘片上读取信息或进一步利用光对记录介质的物理或化学效应去改变介质的某些光学性能，如对光的反射、吸收、相移等，从而实现二值化数据的写入、读取与擦除。
光盘存储技术集中了近代光学、激光技术、精密机械、电子技术、自动控制、计算机及材料科学中的许多新成果，近年来不断取得重大突破，并已形成一个独立的产业，应用范围也在不断扩大，已进入国民经济各部门及家庭。
若根据其技术特性和应用范围可以分为两大类，即用于信息存储的可写光盘系统以及用于信息传播为主的只读型光盘系统。
近年来, 多媒体计算机应用以及信息产业的迅速发展,诸如只读光盘(CD —ROM)这样的光盘存储介质已发展成为计算机信息数据的主要传播载体，光盘产业也在迅速向信息数据市场扩展。
如此迅速的发展主要来自以下几方面因素：首先,只读光盘是基于广泛接受的国际标准,可像激光唱盘那样低成本、高效益的进行大批量生产；第二个有利因素是光盘驱动器的工作原理与激光唱机相似，从而导致价格较低的光盘驱动器；第三是目前市场上已推出转速数倍于第一代光驱转速的光盘驱动器,因而可为用户提供更高的数据传输率；第四，信息产业以及计算机多媒体应用的迅速发展也迫切需要诸如只读光盘这样的大容量数据存储媒介。
为加深对光盘媒介在现代信息产业以及计算机应用中的重要性的了解,本文对光盘存储介质发展的历史,现状以及近期内的可能发展方向作一些基本介绍。
二、光盘存储技术的发展历史早在1968年，美国的ECD（Energy Conversion Device）公司就开始研究晶态和非晶态之间的转换。
1971年ECD和IBM公司合作研制成功了世界上第一片只读相变光盘存储器，随后相继开发成功了利用相变原理制造的一次写WO 盘。
简述内存发展历史内存发展历史可以追溯到计算机发明的早期阶段。
以下是内存发展历史的主要里程碑：1. 真空管内存（1940年代）：最早的计算机中使用了真空管作为存储器件，真空管内存具有很小的存储容量，价格昂贵且需要频繁维护。
2. 磁鼓存储器（1950年代）：使用旋转磁鼓储存数据，磁鼓存储器能够容纳更多数据，但读写速度较慢。
3. 磁芯存储器（1960年代）：磁芯存储器使用了磁性材料制成的小环，可以保存二进制数据。
磁芯存储器相对较小、昂贵，但速度更快和更可靠。
4. 动态随机存储器（DRAM）（1970年代）：DRAM是第一种现代内存技术，它使用电容器来存储数据，以及由于电容器需要不断刷新而被称为“动态”的特征。
DRAM具有更高的容量和较低的成本，成为主流内存技术。
5. 静态随机存储器（SRAM）（1980年代）：SRAM是另一种常见的内存技术，它使用了触发器来存储数据，相对于DRAM更快速和更稳定，但价格也更高。
6. 扩展内存技术（1990年代）：随着个人计算机的普及，内存需求不断增加。
因此，一些技术被开发用于扩展内存，如虚拟内存和缓存。
7. 变址RAM（2000年代）：变址RAM（e.g. DDR SDRAM）是现代计算机中常用的内存类型，具有更高的速度和较大的容量。
8. 非易失性内存（NVM）（近年来）：非易失性内存是一种新兴的内存技术，能够保持数据即使在断电的情况下。
NVM比传统的存储器技术具有更快的读写速度和更高的可靠性。
总的来说，内存的发展历史可以总结为不断追求更大、更快、更稳定的内存技术，以满足计算机性能和存储需求的不断提升。
光存储技术发展现状班级：07111306学号：1120131797姓名：程显达1.引言光存储技术是利用光子与物质的作用，将各种信息比如图像、语言、文字等相关数据记录下来，需要的时候再将其读出的存储技术。
光存储技术具有非接触式读写、寿命长、信息位的价格低等优点，随着光量子数据存储技术、三维体存储技术、近场光学技术、光学集成技术的发展，光存储技术必将成为信息产业中的支柱技术。
2.光存储技术的原理从概念上讲，光存储技术是用激光照射介质，通过激光与介质的相互作用使介质发生物理、化学变化，将信息存储下来的技术。
它的基本物理原理为：存储介质受到激光照射后，介质的某种性质（如反射率、反射光极化方向等）发生改变，介质性质的不同状态映射为不同的存储数据，存储数据的读出则通过识别存储单元性质的变化来实现。
对于介质的选取，只要材料的某种性质对光敏感，在被信息调制过的光束照射下，能产生物理、化学性质的改变，并且这种改变能在随后的读出过程中使读出光的性质发生变化，都可以作为光学存储的介质。
举一个例子来简单说明原理，目前得到广泛应用的CD光盘、DVD光盘等光存储介质以二进制数据的形式来存储信息。
信息写入过程中，将编码后的数据送入光调制器，使激光源输出强度不同的光束。
调制后的激光束通过光路系统，经物镜聚焦照射到介质上。
存储介质经激光照射后被烧蚀出小凹坑，所以在存储介质上存在被烧蚀和未烧蚀两种不同的状态，分别对应两种不同的二进制状态0或1。
读取信息时，激光扫描介质，在凹坑处入射光不返回，无凹坑处入射光大部分返回。
根据光束反射能力的不同，将存储介质上的二进制信息读出，再将这些二进制代码解码为原始信息。
3.光存储技术的优点(1).存储密度高，存储容量大。
信息的存储密度表征单位面值或单位体积可存储的二进制位数，用以表示各种存储方法的性能治标。
电子存储器的存储密度约104-106bit/cm2，即使是超大规模集成电子存储器也不会超过106bit/cm2。
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存技术，它以其高密度和低成本而闻名。
本文将探讨DRAM的发展历程，包括其原理、发展趋势以及未来可能的创新。
一、DRAM的原理DRAM是一种基于电容的存储器技术。
每个DRAM存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。
电容用于存储数据位，而访问晶体管用于控制读取和写入操作。
当电容充电时，表示存储的是1，而当电容放电时，表示存储的是0。
由于电容会逐渐失去电荷，因此DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。
二、DRAM的发展历程1. 早期发展：DRAM最早出现在上世纪60年代，当时的DRAM容量较小，速度较慢，并且需要更高的电压。
然而，随着技术的进步，DRAM的容量逐渐增加，速度也得到了提升。
2. 增加容量和速度：随着DRAM技术的不断发展，DRAM的容量和速度得到了显著提升。
通过改进电路设计和制造工艺，DRAM的容量从最初的几千字节增加到了现在的几十兆字节甚至几百兆字节。
同时，DRAM的速度也从几十纳秒提高到了几纳秒。
3. 增加集成度：随着半导体技术的进步，DRAM的集成度也得到了大幅提高。
通过缩小电路元件的尺寸，DRAM芯片可以容纳更多的存储单元，从而增加了存储容量。
目前，DRAM芯片的集成度已经达到了千兆字节级别。
4. 降低功耗：随着节能意识的增强，DRAM制造商致力于降低DRAM的功耗。
通过改进电路设计和采用低功耗工艺，现代DRAM芯片在保持高性能的同时，能够降低功耗，延长电池寿命。
三、DRAM的发展趋势1. 增加存储容量：随着数据量的不断增加，对存储容量的需求也在增加。
未来，DRAM的存储容量将继续增加，以满足日益增长的数据存储需求。
2. 提高速度：随着计算机应用的需求不断增加，对内存访问速度的要求也在提高。
未来的DRAM技术将进一步提高存取速度，以满足高性能计算的需求。
3. 降低功耗：随着绿色环保理念的普及，DRAM制造商将继续努力降低功耗。
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，用于存储和访问数据。
DRAM的发展经历了多个阶段，从最早的SDRAM（同步动态随机存取存储器）到现在的最新DDR4（双倍数据率第四代）和DDR5（双倍数据率第五代）。
1. SDRAM的发展：SDRAM是DRAM的一种改进型，它在1990年代初引入了同步接口和时钟信号，提高了数据传输速度和效率。
SDRAM的容量从最初的16MB逐渐增加到512MB，并在1996年推出了SDRAM的下一代DDR（双倍数据率）。
2. DDR的发展：DDR是SDRAM的进一步改进，它在数据传输上采用了双倍数据率技术，使得数据传输速度翻倍。
DDR的容量从最初的256MB逐渐增加到现在的DDR4和DDR5，容量可达数TB。
DDR4于2014年发布，提供更高的带宽和更低的功耗，而DDR5则在2020年发布，进一步提高了带宽和性能。
3. DRAM的技术进步：随着时间的推移，DRAM在技术方面也取得了巨大的进步。
例如，DRAM芯片的制造工艺从最初的130纳米逐渐缩小到现在的10纳米以下，这使得DRAM的密度和性能得到了显著提升。
此外，DRAM还采用了更高的时钟频率、更高的数据传输速度和更低的功耗，以满足不断增长的计算需求。
4. DRAM的应用领域：DRAM广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备和其他计算设备中。
它被用作主存储器，用于存储正在运行的程序和数据。
随着云计算、人工智能和大数据等技术的发展，对DRAM的需求也越来越大。
5. DRAM的未来发展趋势：随着计算需求的不断增长，DRAM的发展仍在继续。
未来的发展趋势包括更高的容量、更高的带宽、更低的功耗和更高的稳定性。
此外，新的存储技术如3D XPoint和氮化镓存储器也可能对DRAM的地位产生影响。
总结：DRAM作为一种常见的计算机内存类型，经历了从SDRAM到DDR4和DDR5的发展阶段。
随着技术的进步，DRAM在容量、速度和功耗等方面不断提升，广泛应用于各种计算设备中。
存储器的发展史及技术现状 蔡文杰 计科 3 班 1. 存储器发展历史 1.1 存储器简介 存储器( Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中 的全部信息，包括输入的原始数据、 计算机程序、 中间运行结果和最终运行结果 都保存在存储器中。 它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 自世界上第一台 计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新， 从一开始的汞延迟线， 磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体 现着科学技术的快速发展。
1.2 存储器的传统分类 从使用角度看 , 半导体存储器可以分成两大类 : 断电后数据会丢失的易失性存储 器和断电后数据不会丢失的非易失性存储器。 过去都可以随机读写信息的易失性 存储器称为 RAM(Randoo Aeeess Memory),根据工作原理和条件不同 ,RAM又有静 态和动态之分 , 分别称为静态读写存储器 SR AM(St ate RAM)和动态读写存储器 DRAM(Dynamie RAM而); 过去的非易失控存储器都是只读存储 RoM(Readon一 y Memo-ry), 这种存储器只能脱机写人信息 , 在使用中只能读出信息而不能写人或 改变信息 .非易失性存储器包含各种不同原理、 技术和结构的存储器 . 传统的非易 失性存储器根据写人方法和可写人的次数的不同 , 又可分成掩模只读存储器 MROM(Mask RO、M一) 次性编程的 OTPROM(one Time Programmable ROM和)可用萦 外线擦除可多次编程的 Uv EPROM(Utravio-let ErasableProgrammable ROM).
过 去的 OTP ROM都是采用双极性熔丝式 ,这种芯片只能被编程一次 , 因此在测试阶段 不能对产品进行编程性检侧 , 所以产品交付用户后 ,经常在编程时才会发现其缺 陷而失效 ,有的芯片虽然能被编程 ,但由于其交流性不能满足要求 , 却不能正常运 行. 故双极性熔丝式 PROM产品的可信度不高 .
2. 半导体存储器 由于对运行速度的要求， 现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。 半导体存 储器包括只读存储器( ROM)和随机读写存储器( RAM)两大类。
2.1 只读存储器 ROM是线路最简单的半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作 的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般地，只读
20122352 存储器用来存放固定的程序和数据， 如微机的监控程序、 BIOS（基本输入 / 输出系 统 Basic Input/Output System） 、汇编程序、用户程序、数据表格等。
根据编程方法不同， ROM可分为以下五种： 1、掩码式只读存储器，这类 ROM
在 制造过程中，其中的数据已经事先确定了，因而只能读出，而不能再改变。它的 优点是可靠性高，价格便宜，适宜批量生产。 2、可一次性编程只读存储器
（PRO）M ，为了使用户能够根据自己的需要来写 ROM，厂家生产了一种 PRO。M允 许用户对其进行一次编程──写入数据或程序。 一旦编程之后， 信息就永久性地 固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。 3、可擦可编程只读 存储器（ EPRO）M，这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的 ROM内 存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的 IC 卡上的透明视窗的方式来 清除掉。 4、电可擦可编程只读存储器（ EEPRO）M，功能与 EPROM
一样，不同之 处是清除数据的方式。另外它还可以用电信号进行数据写入。 5、快闪存储器 （Flash Memory），是在 EEPROM的基础上发展而来，只是它提高了 ROM的读写 速度。
然而，相比之下， ROM的读取速度比 RAM要慢的多，因此，一般都用 RAM来存放 当前正在运行的程序和数据，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存 取。而面对 CPU的高速发展， 内存的速度使得高速运算受到了限制， 为了缓解这 种矛盾，人们找到了几种方法， 其中一种就是采用更高速的技术， 使用更先进的 RAM作为内存。于是，就有了 RAM的发展历史。
2.2 随机存储器 RAM可分为 SRAM（Static RAM ，静态随机存取存储器）和 DRAM（Dynamic RAM， 动态随机存取存储器）。 SRAM曾经是一种主要的内存，它以 6 颗电子管组成一 位存储单元， 以双稳态电路形式存储数据， 因此不断电时即可正常工作， 而且它 的处理速度比较快而稳定， 不过由于它结构复杂， 内部需要使用更多的晶体管构 成寄存器以保存数据， 所以它采用的硅片面积相当大， 制造成本也相当高， 所以 现在常把 SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。 而 DRAM
的结构相比之下要简 单的多，其基本结构是一个电子管和一个电容，具有结构简单、集成度高、功耗 低、生产成本低等优点， 适合制造大容量存储器， 所以现在我们用的内存大多是 由 DRAM构成的。但是，由于是 DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单 元中，用电容的充放电来做储存动作， 因电容本身有漏电问题， 因此必须每几微 秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
3. 内存的发展 内存是以一块块的 IC（集成电路）焊接到主板上的，然而，这样做对于后 期维护产生了很多问题，十分不方便。于是，内存条的概念出现了。
3.1 FP DRAM 在 80286 主板刚推出的时候，内存条采用了 SIMM（ Single In-line Memory Modules，单边接触内存模组）接口。其在 80286处理器上是 30pin SIMM 内存， 随后，到了 386，486 时期，由于 CPU已经向 16bit 发展， 30pin SIMM内存无法 满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，因此就出现了 70pin
SIMM内存。 72 线的 SIMM内存引进了一个 FP DRAM（快页内存），因为 DRAM需 要恒电流以保存信息， 一旦断电，信息即丢失。 它的刷新频率每秒钟可达几百次， 但由于 FP DRAM使用同一电路来存取数据，所以 DRAM的存取时间有一定的时间 间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在 DRAM中，由于存储地址空 间是按页排列的， 所以当访问某一页面时， 切换到另一页面会占用 CPU额外的时 钟周期。
3.2 FPM DRAM 486时期普遍应用的内存是 FPM DRA（MFast Page Mode DRAM，快速页切换模式 动态随机存取存储器），这是改良版的 DRAM，传统的 DRAM在存取一个 BIT 的数 据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而 FRM DRAM在触发了行 地址后，如果 CPU需要的地址在同一行内， 则可以连续输出列地址而不必再输出 行地址了。 由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的， 这种情况下输 出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据，从而大大提高读取速度。
3.3 EDO DRAM 继 FPM之后，出现的一种存储器—— EDO DRA（MExtended Date Out RAM ，外扩 充数据模式存储器）内存开始盛行。 EDO-RAM不需要像 FPM DRAM那样在存取每 一 BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间， 然后才能读写有效 的数据，而下一个 BIT 的地址必须等待这次读写操作完成才能输出， 它取消了扩 展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔， 在把数据发送给 CPU 的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通 DRAM快 15~30%。
3.4 SDRAM 自 Intel Celeron 系列以及 AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后， EDO
DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新 一代 CPU架构的需求，此时内存开始进入 SDRAM时代。SDRA（MSynchronous
DRAM， 同步动态随机存取存储器） ，是一种与 CPU实现外频 Clock 同步的内存模式。 所 谓 clock 同步是指内存能够与 CPU同步存取资料， 这样可以取消等待周期， 减少 数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。 SDRAM内存有 PC66规范， PC100规范，PC133规范，甚至为超频需求， 又提供了 PC150、PC166规范的内存。
3.5 Rambus DRAM Intel 与 Rambus公司联合开始在 PC市场推广 RambusD RAM内存。与 SDRAM不同 的是， RDRAM采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类 RISC
（Reduced Instruction Set Computing ，精简指令集计算机）理论，这个理论可以减少数 据的复杂性， 使得整个系统性能得到提高。 尽管 RDRAM在时钟频率上有了突破性 的进展。 3.6 DDR SDRAM DDRS DRA(MDouble Data Rate 二倍速率同步动态随机存取存储器) ，可说是 SDRAM 的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得 DDR的数 据传输速度为传统 SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降沿信号， 因此并不会造成 能耗增加。至于定址与控制信号则与传统 SDRAM相同，仅在时钟上升沿传输。 DDR 内存有 DDR266规范， DDR333规范， DDR400规范及 DDR533规范等。
3.7 DDR2 DDR2 SDRA是M由 JEDEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR内存 技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升 / 下降延同时进行数据 传输的基本方式，但 DDR2内存却拥有两倍于上一代 DDR内存预读取能力。
3.8DDR3 DDR3的特点有：更高的外部数据传输率，更先进的地址 / 命令与控制总线的拓朴 架构，在保证性能的同时将能耗进一步降低。
3.9 可现场改写的非易失性存储器 在存储器市场上非 R OM型可现场改写的非易失性存储器的需求增长速度最快 , 这些芯片技术正在迅速地改变着存储器世界的面貌 . 这主要有可电擦写可编程的 EE
PROM利用锉电池作为数据保持后备电源的一体化非易失性静态读写存储器 NVSRA、M在 EPROM和 EEPROM芯片技术基础上发展起来的快擦写存储器 PlashMemory和利用铁电材料的极化方向来存储数据的铁电读写存储器 FRAM随. 着新的半导体存储技术的发明 , 各种不同的可现场改写信息的非易失性存储器被 推上市场 , 首先是可电擦写的 EEp RoM(Eleetrieally Erasa blepro-grammable ROM),
