随着社会科技的发展，绿色能源成为人类可持续发展的重要条件，而风能、太阳能等非可持性能源的开发和利用面临着间歇性和不稳定性的问题，这就催生了大量的储能装置，其中比较引人注目的包括太阳能电池、锂子电池和超级电容器等。
超级电容器作为一种新型化学储能装置，具有高功率密度、快速充放电、较长循环寿命、较宽工作温度等优秀的性质，目前在储能市场上占有很重要的地位，同时它也广泛应用于军事国防、交通运输等领域。
目前，随着环境保护观念的日益增强，可持续性能源和新型能源的需求不断增加，低排放和零排放的交通工具的应用成为一种大势，电动汽车己成为各国研究的一个焦点。
超级电容器可以取代电动汽车中所使用的电池，超级电容器在混合能源技术汽车领域中所起的作用是十分重要的，据英国《新科学家》杂志报道，由纳米花和纳米草组成的纳米级牧场可以将越来越多的能量贮存在超级电容器中。
随着能源价格的不断上涨，以及欧洲汽车制造商承诺在1995年到2008年之间将汽车CO2的排放量减少25%，这些都促进了混合能源技术的发展，宝马、奔驰和通用汽车公司已经结成了一个全球联盟，共同研发混合能源技术。
2002年1月，我国首台电动汽车样车试制成功，这标志着我国在电动汽车领域处于领先地位。
而今各种能源对环境产生的负面影响很大，因此对绿色电动车辆的推广提出了迫切的要求，一项被称为Loading-leveling(负载平衡)的新技术应运而生，即采用超大容量电容器与传统电源构成的混合系统“Battery-capacitor hybrid”(Capacitor-battery bank) [1]。
目前对超级电容器的研究多集中于开发性能优异的电极材料，通过掺杂与改性，二氧化锰复合导电聚合物以提高二氧化锰的容量[1、2、3]。
生瑜(是这个人吗？)等[4]通过原位聚合法制备了聚苯胺/纳米二氧化锰复合材料，对产物特性进行细致分析。
因导电高分子具有可逆氧化还原性能，通过导电高分子改性，这对于提高二氧化锰的性能和利用率是很有意义的。
PIE培训课程1 為何需要Start Oxide? 32 為何需要Zero layer? Laser Mark? 33 目前常用的晶片阻值為何? 換算成濃度值多少? 44 矽原子的Lattice constant為何? 換算成表面濃度, 體積濃度各是多少? 45 Well製程影響那些元件特性? 56 從0.5um至0.18um製程, Well部分的製程改變為何? 其原因何在? 57 何謂LOCOS? Typical process flow? 68 何謂STI? Typical process flow? 69 STI對IC製程有何影響? 可控制因子有哪些? 710 何謂ODR? 對產品有何影響? 811 ODR pattern density對STI CMP有何影響? 812 B-Clean的目的為何? 目前共有幾種B-Clean recipe存在FAB內? 個別的目的有何不同? 813 何謂Epi-Wafer? 對產品有何影響? 1014 SiN CVD dep時爐管各部分的溫度別控制在什麼範圍? 為什麼如此? 1015 STI蝕刻後需檢查什麼地方以確保蝕刻正常? 這些項目在密集區何疏散區有何不同? 1116 Active PHO (OD PHO)需檢查什麼以確保製程正確無誤? 這些項目和黃光製程的什麼參數有關? 1117 黃光區曝光機共有幾種機型? 他們各別有什麼任務? 試列表比較其特性? 1218 line和DUV分別用什麼樣式的光阻? 試列表比較各光阻特性? 1419 ODR光罩和OD光罩有何關係? 試畫圖解釋之. 1520 總共有多少種光阻去除方式? 個別適用於何種情況? 1621 去除Si3N4時, 為何要在熱磷酸之前加50:1 HF蝕刻? 此蝕刻時間太短有何影響? 1722 熱磷酸對Si3N4, Oxide的蝕刻率分別是多少? 蝕刻率可控制因子為何? 1723 Sacrificial oxide (SAC oxide) 的目的為何? 1724 Vt IMP的目的為何? 對產品電性有何影響? 1825 N-well implant打入P31, 120KeV. 請估計光阻厚度最少應有多厚? 1826 請畫出Gate oxide程式"OGA0070A", 溫度, 氣體流量和時間的關係圖(請自行查爐管OI) 1827 Gate oxide對產品影響的參數有哪些? 試描述定量一點1928 寫出FN tunneling方程式, 請問0.18um Gate oxide thickness從理論計算應能承受多少MV/cm @1pA 漏電1929 Gate oxide 成長有哪些重要考量? 2030 Gate oxide 前製程B-Clean的目的為何? 其中的APM dip time會影響什麼產品參數? 2031 Gate oxide厚度如何Monitor? 其量測誤差為何? 線上如何控制厚度保持定值? 2232 試畫圖說明爐管區測量控片厚度的位置. 距離晶片中心的距離分別是多少? 2233 說明Gate oxide quality (integrity)如何量度? 解釋不同方法的優缺點(Vbd, Qbd, Tbd, Do, Yield..) 2334 解釋名詞, PHO proximity effect, Swing effect, Exposure latitude, Best Focus, Depth of Focus. 2435 解釋名詞. Lot to lot, within lot wafer to wafer, within wafer, within field, within die uniformity. 請討論其重要次序2636 PHO Overlay shift的原因及現象有哪些? 其中有多少種可以經由給機台補償改善? 2737 PHO recipe的Focus設定值往正"+"調整後PR profile會有何影響? 往負"-"調整後PR profile會有何影響? 2738 請列舉出任何一個產品的Poly光罩EBO logical operation, 並解釋其原因2839 Poly CD對產品WAT參數的影響為何? 如何決定最佳的製程CD target? 2840 何謂ADI, AEI CD bias? 何謂DOS(design on silicon), DOM (design on mask)? 2841 試列表說明光罩A,B,C,D,E,F,G,H grade之CD target spec, registration spec以及Defect spec 2942 Poly蝕刻程式分成幾個步驟? 各步驟的目的為何? 2943 Poly蝕刻步驟如何Monitor? 試說明其Monitor項目及方法3044 為何需要在Poly蝕刻後量測產品上的殘留厚度? 此殘留厚度影響什麼產品特性? 3045 何謂Hot carrier?應如何控制或改善? 3046 0.25um LOGIC的N+Gate和P+Gate的片電阻值會相差多少? 濃度相差多少? 3247 何謂Depletion? 何謂Accumulation? 測Po/NW Gate oxide Vbd時Poly和NW何者接到正電位? 為什麼? 3348 試算出50A gate oxide厚度的電容值大小. 3349 何謂LDD, DDD, MDD implant? 試比較他們的優缺點3450 大斜角度的Implant有何功能? 並解釋Tilt, twist和rotation動作3551 試算出"A050K300E3T00" implant條件植入Si substrate的Junction depth以及表面濃度3652 降低Device Ioff leakage的方法有哪些? 3753 S/D implant製程有什麼該注意的特性? 3854 Sapcer的目的為何? 影響什麼產品特性? 3855 RPO的目的為何? 影響什麼產品特性? 3956 Ti silicide C54和C49相的電阻率為何? 兩者之間有何關係? 3957 試寫出Ti silicide製程流程. 並說明需注意之處3958 RTA製程如何監控? Process window如何決定? 4059 試寫出NMOS在Linear region和Saturation Region時Id和Vd,Vg的關係式4260 何謂BPSG, BPTEOS?在製程上有何考量? 4261 BPSG flow的目的為何? 4362 為何Flow後在Contact PHO前需作一STD clean? 4363 何謂Maragonic dry? IPA dry? Spin dry? 4364 何謂PHO WEE?試寫出0.22um TM8070所有Critical Layer的WEE值4465 ILD CMP的目的為何? 需注意什麼問題? 4466 ILD CMP如何做Post Clean? 4467 Pre-metal dip的目的為何? 4468 Contact IMP的目的為何? 4469 試列表比較CVD和PVD製程的差異4470 何謂IMP Ti? Collimated Ti? 其優缺點為何? 4471 如何定義Step Coverage? 4572 如何定義Flow angle? 4573 圖解說明Alignment Mark如何應用R29圖形解決Alignment Mark Missing問題4574 何謂CVD-TiN? PVD-TiN? 以及MOCVD-TiN, TiCl4 TiN? 4575 為何W deposition又分成425C和450C兩種程式? 45New Integration Engineer Common Questionnaire and Answer collection1 為何需要Start Oxide?AnsFor zero layer PHO process, before PHO PR deposition, there need buffer oxide to isolate PR material on touch with Si. ?Zero layer is designed by ASML stepper system.Prevent the laser mark Si recast being re-deposited onto Si surface directly, because Si is hydrophobic likeand these re-depo. Particle is very hard to be rinse off.As the first HIGH temperature cycle for H-L-H denuded zone (oxygen free treatment).Pre-set the surface cleanness condition right after Fab received the new wafer materials.ZERO-START WAFER START (P TYPE、8-12 OHM/SQ)START-OX BCLN1 (22220A) SPM60 / HF180 / APM420 / HPM180 / HF0START-OX START OX (1100C；350A)ZERO-PHO ZERO PHOTO (ALIGNMENT MASK AT 55 DEG)ZERO-ETCH ZERO FULLY DRY ETCH (OX 350A + SI 1200A)ZERO-ETCH RESIST STRIPPING (PSC) PARTIAL STRIPZERO-ETCH PR CARO'S STRIP (ETCH) SPM+APM由上表可以很明顯地看出Start OX 的第一個功用，就是不希望為有機成分(C-H bond)的光阻直接碰觸到矽晶圓表面。
第４６卷第６期２０２０年１２月包 钢 科 技ＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＢａｏｔｏｕＳｔｅｅｌＶｏｌ．４６，Ｎｏ．６Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２０２０取向硅钢新生产工艺的发展霍慧贤，李艳霞，孙振东，刘鹏程，黄 斌（包头市威丰稀土电磁材料股份有限公司，内蒙古包头 ０１４０１０）摘 要：文章总结归纳了近年来工业上取向硅钢新的生产工艺，着重介绍了薄板坯连铸连轧工艺、细化磁畴、异步轧制生产取向硅钢、提高Ｓｉ含量、隧道式连续罩式高温退火取代单体罩式退火、减薄厚度、双取向硅钢７种取向硅钢生产新工艺。
这些新的生产工艺对于提高取向硅钢的磁感应强度、降低铁损、降低矫顽力等磁特性，而且在高效、节能、降低成本方面取得了良好的效果。
关键词：取向硅钢；薄板坯连铸连轧；异步轧制；隧道式连续罩式高温退火中图分类号：ＴＧ１４２ １ 文献标识码：Ｂ 文章编号：１００９－５４３８（２０２０）０６－００３０－０３ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＮｅｗＰｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＯｒｉｅｎｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎＳｔｅｅｌＨｕｏＨｕｉ－ｘｉａｎ，ＬｉＹａｎ－ｘｉａ，ＳｕｎＺｈｅｎ－ｄｏｎｇ，ＬｉｕＰｅｎｇ－ｃｈｅｎｇ，ＨｕａｎｇＢｉｎ（ＢａｏｔｏｕＷｅｉＦｅｎｇＲａｒｅＥａｒｔｈＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＭａｔｅｒｉａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．，Ｂａｏｔｏｕ０１４０１０，ＩｎｎｅｒＭｏｎｇｏｌｉａＡｕｔｏｎｏｍｏｕｓＲｅｇｉｏｎ，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅｎｅｗｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｆｏｒｏｒｉｅｎｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｓｔｅｅｌｉｎｉｎｄｕｓｔｒｙｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓａｒｅｓｕｍ ｍａｒｉｚｅｄ，ｓｅｖｅｎｏｆｔｈｅｍｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｉｎｓｌａｂｃａｓｔｉｎｇａｎｄｒｏｌｌｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｒｅｆｉｎｉｎｇｍａｇｎｅｔｉｃｄｏｍａｉｎ，ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓｒｏｌｌｉｎｇ，ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｃｏｎｔｅｎｔｏｆＳｉ，ｒｅｐｌａｃｉｎｇｍｏｎｏｍｅｒｃｏｖｅｒａｎｎｅａｌｉｎｇｗｉｔｈｔｕｎｎｅｌｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｖｅｒａｎｎｅａｌｉｎｇ，ｔｈｉｎｎｉｎｇｔｈｉｃｋｎｅｓｓａｎｄｄｏｕｂｌｅｏｒｉｅｎｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｓｔｅｅｌａｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．Ｗｉｔｈｔｈｅｓｅｎｅｗｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｅｓ，ｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｃｉｎ ｄｕｃｔｉｏｎｉｎｔｅｎｓｉｔｙｃａｎｂｅｉｍｐｒｏｖｅｄ，ｉｒｏｎｌｏｓｓａｎｄｓｕｃｈｍａｇｎｅｔｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃａｓｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙｃａｎｂｅｒｅｄｕｃｅｄａｓｗｅｌｌａｓｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ，ｅｎｅｒｇｙｃｏｎｓｅｒｖａｔｉｏｎａｎｄｃｏｓｔｒｅｄｕｃｔｉｏｎａｒｅｇｏｏｄ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｏｒｉｅｎｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｓｔｅｅｌ；ｔｈｉｎｓｌａｂｃａｓｔｉｎｇａｎｄｒｏｌｌｉｎｇ；ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓｒｏｌｌｉｎｇ；ｔｕｎｎｅｌｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａ ｔｕｒｅｃｏｖｅｒａｎｎｅａｌｉｎｇ 硅钢被誉为钢铁产品中的“工艺品”，主要用于制造各种电机、变压器和镇流器铁芯以及各种电器元件。
