E-Coating process

7，再穿过阳极（元件 2）。阳极是一个中间开口的金 表面附近产生的二次电子，反射电子和离子，均能
属块。电子束穿过阳极后，在偏转磁场（元件 3）的作 按一定的圆弧轨迹被相应的极板吸收。防止高能电
用下偏转 270° ，沿着特定的轨迹飞行并会聚成 子对沉淀膜层的损伤，明显提高了膜层的质量。
束，打到坩埚的靶材上（元件 11），使膜材升温而蒸
steps are given. Key words: Electron gun；Coating；Evaporation
真空镀膜设备是半导体、微电子工业中重要的 工业设备，膜层具有纯度高、致密性高、膜与基体或 工件结合力强的特点，其技术在科研生产领域发挥 越来越重要的作用，现已成为应用最广泛的薄膜制 备方法之一。电子枪是真空镀膜设备的核心部件， 其结构复杂，由于特殊的工作环境，电子枪是该类 设备最容易出现故障的部分，也是影响产品质量的
收稿日期院2020-01-20
关键部位。因此，要保证工艺的稳定性及设备的正 常工作，就必须了解并掌握电子枪的结构、工作原 理、日常维护及常见故障的处理方法。
1 电子枪的原理与结构
e 型电子枪是利用电阻丝通电受热发射电
58（总第 280 期）Feb援 2020
电 子 工 业 专 用 设备
Equipment for Electronic Products Manufacturing
总第280期电子工业专用设备equipmentforelectronicproductsmanufacturingfeb援2020收稿日期院20200120蒸发台e型电子枪的工作原理与维修技术侯立永王秀海中国电子科技集团公司第十三研究所袁河北石家庄050051摘要院真空镀膜设备是半导体工艺重要工艺设备袁蒸发源是镀膜设备的核心部件袁以e型电子枪蒸发源为例袁介绍了该电子枪的定义尧结构尧工作原理尧使用方法尧以及日常维护遥从维修的角度袁重点总结了e型电子枪的各类故障袁给出了处理方法和步骤遥关键词院电子枪曰镀膜曰蒸发台中图分类号院tn305文献标识码院b文章编号院10044507202001005805workingprincipleandmaintenancetechnologyofevaporatoretypeelectrongunhouliyongwangxiuhaithe13thresearchinstituteofcetcshijiazhuang050051chinaabstract

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Foreword
This European Standard has been prepared by Technical Committee CEN/TC 1 9 0 "Foundry Technology", the secretariat of which is held by DIN. This European Standard shall be given the status of a national standard, either by publication of an identical text or by endorsement, at the latest by May 1997, and conflicting national standards-shall be withdrawn at the latest b y May 1997. Within its programme of work, Technical Committee CEN/TC 190 requested CEN/TC 190/WG 4.20 "Surface inspection" t o prepare the following standard: EN 1370 Founding - Surface roughness inspection by visualtactile comparators According t o the CENKENELEC Internal Regulations, the national standards organizations of the following countries are bound t o implement this European Standard: Austria, Belgium, Denmark, Finland, France, Germany, Greece, Iceland, Ireland, Italy, Luxembourg, Netherlands, Norway, Portugal, Spain, Sweden, Switzerland and the United Kingdom.

J rManufacturing Process Specification 生产过程规范This document is to be referenced on engineering drawings . It defines functiona l/performance requirements ，manufacturing process methodsand levels of quality of the components being produced.此文档参考工程图纸，它定义功能/性能，生产过程的方法和生产产品的质量水平Seating Products Group 座椅产品组制造工艺规格编号： SPG-MPS-042标题： 零件加工工艺修订： E发行日期： July 8, 2016Author:PεDate: ，Approved:Date:Approved:Sami Kaz i : Director 01Engin eering ，Chi 电 Engineer -Structures and Certifìcation DateApproved:Date:带有原始的/原签名的首页应当在文档中具有符合性本规范中披露的信息和设计源于“B / E 航空航天”，并保留其所有专利，专利，设计，加工，复制，使用和销售权利以及其中披露的任何文章的财产，除非 B / E 航天的授权官员以书面形式向他人授予的权利。

本制造工艺规范由SPG-EN-P2030-04控制。

硬拷贝被认为是“不受控制的”，除非另有标记。

Issue Date: July 8, 2016Revision History 修订历史Issue Date: July 8, 2016Purpose: The purpose of this procedure is to define best practices for machining metal and non metallic parts at B/E Aerospace and its suppliers to ensure there is no machining induced cracking or other surface defect that could cause failure over its lifecycle.目的：此程序的目的是为了定义最好的实践对于机加工金属和非金属零件在波音航天航空和供应商之间，确保机加工中不会出现破裂或者其他缺陷，让缺陷走出生命周期。

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液相旋涂法(spin （a）液相旋涂法(spin coating)
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液相浸涂法(dip （b）液相浸涂法(dip coating) The dip-coating process, may be divided in five stages: immersion,浸入 start-up, 上提 deposition, 沉积 evaporation 蒸发 and drainage.凉干
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（c）固态成膜的特点 1. 典型膜厚>10μm; 2. 为获得致密涂层需要较高的基体温度； 3. 除了一些特殊情况外，通常不能在基体上形成 保形涂层和选区涂层。
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液相路线(Liquid (Liquid2.3.2. 液相路线(Liquid-phase routes) 液态成膜法： 通常是将一种可溶性的前驱体溶解在一种适当 的溶剂里，然后用旋涂法、浸涂法和喷涂法在基体 表面形成涂层，之后再进行热处理的方法。
第三章 材料气相制备化学
3.1 简介
主要介绍: 化学气相沉积（CVD） 和有机气相聚合。
CVD:Chemical Vapor Deposition
1
化学气相沉积硒化锌 IC芯片 芯片
人工CVD钻石 钻石 人工
PCVD TiN、TiCN、TiAlN、TiSiN 、 、 、
2
化学气相沉积硒化锌
• 硒化锌晶体属于面心立方, 晶格常数为0. 566 7 nm ,熔点1 520 ℃,禁带宽2. 4 eV , 具有直接跃迁型能带,作为一种优 良的发光材料,发光效率高,近年来一直是研制蓝光激光二 极管的热门材料。另外,由于它既透红外又透可见光,透光 范围宽,又具有吸收系数低、不潮解、导热好的特点,又被 认为是制作大功率CO2激光窗口最有前途的材料。但是 ZnSe 晶体在熔点时分解压达到182 kPa ,制备大的单晶十 分困难。目前应用最多的仍然是ZnSe 多晶。 • 制备ZnSe 多晶,最早采用的是热压方法,在上世纪70 年代 后,由于工业技术的发展和对材料需求的增长,气相沉积硒 化锌晶体获得成功。相比而言,由于热压ZnSe 经受高温高 压的强致密作用,具有较高的机械强度,而气相法沉积ZnSe 是使非基质分子分馏, 具有提纯效果, 使ZnSe 晶体的透射 性能和吸收性能远远好于热压方法制备的ZnSe 晶体。化 学气相沉积(CVD) 方法,已成为研制ZnSe 多晶最重要的方 法。 3