第一章半导体器件1.1半导体的特性1.2半导体二极管1.31.4双极型三极管(BJT)场效应三极管1.1半导体的特性1.导体：电阻率ρ<10-4Ω·cm的物质。
如铜、银、铝等金属材料。
2.绝缘体：电阻率ρ>109Ω·cm物质。
如橡胶、塑料等。
3.半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质。
大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。
硅原子结构最外层电子称价电子锗原子也是4 价元素(a)硅的原子结构图4价元素的原子常常用+4电荷的正离子和周围4个价电子表示。
(b)简化模型图1.1.1硅原子结构1.半导体中两种载流子带负电的自由电子带正电的空穴2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。
3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用ni和pi表示，显然ni=pi。
4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。
在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。
1.1.2杂质半导体杂质半导体有两种N 型半导体P 型半导体一、N 型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。
常用的5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。
杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n>>p。
电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。
3价杂质元素，如3价杂质原子称为空穴浓度多于电子p>>n。
空穴，电子为说明：1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。
2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。
3.4 多级放大电路的频率响应 3.
4.1 多级放大电路的幅频特性和相频特性
多级放大电路的电压放大倍数：
A
A
A A u u1 u2 un
对数幅频特性为： u 20 lg A u1 20 lg A
u 2
20lg A
un 20 lg A
uk 20 lg A k 1 n
多级放大电路的总相位移为：
1 2
n
两级放大电路的波特图幅频特性 / dB 20 lg A u k 1 n k 二级 3 dB BW 一级 BW1 6 dB 3 dB f 图 3.4.1 O fL1 fL fH fH1
相频特性 O -90º -180º -270º -360º -450º -540º fL1 fH1 一二级级 f 图 3.4.1
多级放大电路的通频带，总是比组成它的每一级的通频带为窄。
3.4.2 多级放大电路的上限频率和下限频率 1 1.1 fH 1 1 1 2 2 2 f H1 f H2 f
Hn 2 2 2 f L 1.1 f L
f
f 1 L2 Ln
在实际的多级放大电路中，当各放大级的时间常数
相差悬殊时，可取其主要作用的那一级作为估算的依据。
