电子科技大学微固考研复试经验

今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你， 你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或 者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复 试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋 子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一 定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个 学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你 喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自 认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可 能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模 电，器件（晶体管原理），工艺，你要时间充裕，再看看集成电路之类的更好了，这个也得 看你报哪个方向，根据情况看一下。还有如果你答错了，也没关系，老师可能会慢慢引导和 提示你，但如果你一点都不会，千万别乱说。还有，面试时不一定是只能说的问题。我考完 出来，有个研友跟我说，他进去以后，有纸有笔，有些问题，他会让你在纸上画。 下面是我原来在考研论坛搜到的面试问过的题目，还有一些我和一些研友被问到 的题目，仅供参考，但建议你们还是全面复习，考过的，不一定会考。 bicmos怎么制造？优缺点？用途? pM胶正胶反胶？ 现在国内最高做到多少纳米？哪家公司？ 天线长度的影响？ kirk效应？ SR触发器结构？ 反相器延迟？ 负反馈？ 米勒效应有什么应用？ 防止温漂用什么方法？工艺上？设计上? 做反向的流程？ 闩锁效应如何避免？ 还有就是，微固专业很好，但很火，但上不了也没事，可以调剂到其他系，而且 院内调剂不是特难，至少考的都是电分，而且同样是学术型硕士，只是换了个研究方向而已。英语有的组问专业问题的，今年第五组的都是，我就被问到了，结果悲剧。现在写下来留给

后来人， 1，本科学过的课程 2，半导体物理学过那些内容 3，解释本征费米能级 4，增强型MOS管原理， 5，平带电压 6，解释射频 我的就这么多了，我除了回答了第一个其余全是Sorry,结果还是及格了，但是分数算最低的 几个。如LZ所言，碰到这种只有自认倒霉。 同样二本外校今年344分幸运通过电子科技大学微电子复试，补充一下自己被问的问题， 英语口语：自我介绍，为什么选我们专业，兴趣爱好。专业面试：画出积分器的电路图，画 出带通滤波器的接法，用CMOS管构成或非门。 另外，正如LZ所说，导师考察能力那一关是十分重要的，那一关没过基本可以不用参加 复试了。不知道其他学院怎么样，但是微固的复试那是绝对公平的，只要你专业基础知识扎 实，认真准备，一定能脱颖而出的。考试科目829数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷） 考试时间180分钟考试总分150分 一、总体要求 主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情

况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。 二、内容及比例 数字电路部分（50%） 1、数制和编码 掌握数制、码制及相互转换方法。 2、逻辑代数基础 1）、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则 真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。 2）、掌握逻辑关系式的化简方法 3、逻辑门电路 掌握TTL、CMOS逻辑门电路的功能、电气特性、应用和使用注意事项 4、组合电路分析与设计 1）、掌握组合电路特点及分析方法： 2）、掌握组合电路的设计方法（SSI） 对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。 对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路 进行连接，画出对应的逻辑电路图。 3）、利用集成组合电路进行设计（MSI） 重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和 功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。 5、时序电路分析与设计 1）、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式和特性方程 2）、掌握时序电路的分析方法与设计方法 重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理与设计。 重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：74160/2、74161/3、74194等电路）的逻辑功 能和使用方法，包括功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。 6、存储器、CPLD和FPGA 了解常用半导体存储器（ROM、SRAM、DRAM）的结构特点和工作原理。了解可编程逻辑器件的

原理和结构。 模拟电路部分（50%） 第一章半导体材料及二极管 1、半导体基础知识（了解）： 本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子

与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结

的单向导电特性，不对称PN结。 2、二极管特性（了解）： 二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反

向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容

效应。 3、二极管应用（掌握）： 二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。 二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。 二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的

串并联等效。 第二章双极型晶体三极管 1、BJT原理（了解） NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，

放大偏置时的vBE、 vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与 饱和状态。 2、BJT静态伏安特性曲线（掌握） 共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。 3、BJT参数（掌握） ,β￣,α, β,ICBO,ICEO,ICM,PCM,BVCEO和fT的含义 BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。 4、BJT模型（掌握） BJT的小信号等效模型：简化模型（gm参数和 β参数模型）及其模型参数的求解式。 BJT的混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。 第三章BJT放大电路 1、放大器的一些基本概念（正确理解） 信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容， 直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。 2、BJT偏置电路（掌握） 掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器（掌握） 小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。 CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。 交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。 4、多级放大器（掌握） 级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。 第四章MOSFET及基本放大电路 1、FET原理（了解） 了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟

道状态及 vGS和vOS此时对iD的影响 2、FET特性曲线（掌握） 以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。

3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握） 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型（掌握） 理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。 5、FET的CS和CD组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点。 第五章放大器的频率响应 1、放大器频率响应的概念及描述（了解） 产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL、fH、 BW的定义，幅频特性和相频特性函数， 频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线——波特图