高中物理必修一目录
篇一：高一物理教材目录
高一物理知识内容
必修一：
第一章 运动的描述
1、质点 参考系和坐标系
2、时间和位移
3、运动快慢的描述-速度
4、实验：用打点计时器测速度
5、速度变化快慢的描述-加速度
第二章 匀变速直线运动的研究
1、实验：探究小车速度随时间变化的规律
2、匀变速直线运动的速度与时间的关系
3、匀变速直线运动的位移与时间的关系
4、匀变速直线运动的速度与位移的关系
5、自由落体运动
6、伽利略对自由落体运动的研究
第三章 相互作用
1、重力 基本相互作用 2、弹力
3、摩擦力
4、力的合成
5、力的分解
6、专题二 物体的受力分析及动态平衡
第四章 牛顿运动定律
1、牛顿第一定律
2、实验：探究加速度与力、质量的关系
3、牛顿第二定律
4、力学单位制
5、牛顿第三定律
6、用牛顿运动定律解决问题（一） 专题三 用牛顿定律的综合应用
7、用牛顿定律解决问题（二）
篇二：新人教版高一物理必修1及高中所有物理教材目录
高中物理目录新课标教材?必修1
第一章 运动的描述
1 质点参考系和坐标系
2 时间和位移
3 运动快慢的描述──速度 4 实验：用打点计时器测速度 5 速度变化快慢的描述──加速度
第二章 匀变速直线运动的研究
1 实验：探究小车速度随时间变化的规律 2 匀变速直线运动的速度与时间的关系 3 匀变速直线运动的位移与时间的关系
4 自由落体运动
5 伽利略对自由落体运动的研究
第三章 相互作用
1 重力基本相互作用
2 弹力
3 摩擦力
3 摩擦力
4 力的合成
5 力的分解
第四章 牛顿运动定律
1 牛顿第一定律
2 实验：探究加速度与力、质量的关系 3 牛顿第二定律
4 力学单位制
5 牛顿第三定律
6 用牛顿定律解决问题（一） 7 用牛顿定律解决问题（二）
高中物理目录新课标教材?必修2 第五章 机械能及其守恒定律
(来自: 小龙 文档 网:高中物理必修一目录)
电力电子题库（第一章第四章）
《电力电子技术》机械工业出版社命题人马宏松
第一章功率二极管和晶闸管
知识点：
功率二极管的符号，特性，参数晶闸管的符号、特性、参数、工作原理双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理
一、填空题
1、自从_1956____年美国研制出第一只晶闸管。
2、晶闸管具有体积小、重量轻、损耗小、控制特性好等特点。
3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、门极4、晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的阴极和门极间也加正向电压，两者缺一不可。5、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用。
6、晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流
7、双向晶闸管的四种触发方式：I+触发方式I-触发方式Ⅲ+触发方式Ⅲ-触发方式。
8、GTO的开通时间由延迟时间和上升时间组成。
9、GTO的关断时间由存储时间、下降时间、和尾部时间
10、功率二极管的导通条件：加正向电压导通，加反向电压截止。11、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL___>_____IH12、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__<______ubo>
13、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极阴极K极和门极G极。
14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。15、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
16、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V
17、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。18、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小二、判断题
1、第一只晶闸管是1960年诞生的。（错）
2、1957年至1980年称为现代电力电子技术阶段。（错）3、功率二极管加正向电压导通，加反向电压截止。（对）4、平板型元件的散热器一般不应自行拆装。（对）
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
CBII
(1)EBCBIIII
CCBBIIII
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域
（1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，BI和BEU之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现BI，且BI随BEU线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当BI为某个值时，CI随CEU变化的关系曲线。在不同的BI下，输出特性曲线是一组曲线。BI=0以下区域为截止区，当CEU比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，CI=bI，CI与bI成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。此时，BI=0，CI=CEOI。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CEU很小时，晶体管工作在饱和区。此时，CI虽然很大，但CIbI。即晶体管处于失控状态，集电极电流CI不受输入基极电流BI的控制。
14．3 典型例题
例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压DU=0.7V。
精选文库
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ABD2V R+-UoABD10V5VR+-UoBD1D212V9VRA1A2+-UoD1D2B1B2AR15V10V+-Uo(a)(b)(c)(d)
实验三晶体管共射极单管放⼤器（1）
实验⼆晶体管共射极单管放⼤器
预习部分
⼀、实验⽬的
⒈学会放⼤器静态⼯作点的调试⽅法，分析静态⼯作点对放⼤器性能的影响。
⒉掌握放⼤器主要性能指标及其测试⽅法。
⒊熟悉⽰波器、函数发⽣器、交流毫伏表、直流稳压电源及模拟实验箱的使⽤。
⼆、实验原理1．静态⼯作点对放⼤器性能的影响及调试
1)静态⼯作点
当放⼤电路未加输⼊信号（u i= 0）时，在直流电源作⽤下，晶体管基极和集电极回路的直流电流和电压⽤I BQ、U BEQ、ICQ、U CEQ表⽰，它们在晶体管输⼊和输出特性上各⾃对应⼀个点，称为静态⼯作点。
放⼤器静态⼯作点Q的位置对放⼤器的性能和输出波形有很⼤影响。以NPN型三极管为例，如⼯作点偏⾼（如图2-2-1中的Q1点），放⼤器在加⼊交流信号以后易产⽣饱和失真，此时u o的负半周将被削底；如⼯作点偏低（如图2-2-1中的Q2点）则易产⽣截⽌失真，即u o的正半周被缩顶（⼀般截⽌失真不如饱和失真明显）。这些情况都不符合不失真放⼤的要求。所以在选定⼯作点以后还必须进⾏动态调试，即在放⼤器的输⼊端加⼊⼀定的u i，检查输出电压u o的⼤⼩和波形是否满⾜要求。如不满⾜，则应调节静态⼯作点的位置。
图2-2-1 静态⼯作点不合适产⽣波形失真
最后还要说明的是．．．．:上⾯所说的⼯作点“偏⾼”或“偏低”不是绝对的，应该是相对信号的幅度⽽⾔，如信号幅度很⼩，即使⼯作点较⾼或较低也不⼀定会出现失真。所以确切地
说，产⽣波形失真是信号幅度与静态⼯作点设置配合不当所致。若要获得最⼤的不失真输出电压，静态⼯作点最好尽量靠近交流负载线的中点，如图2-2-2中的Q 点。
u CE
I
图2-2-2 具有最⼤动态范围的静态⼯作点+U CC +12V
s U o
U
图2-2-3 共射极单管放⼤器2) 静态⼯作点的调试和测量⽅法 静态⼯作点由偏置电路设置。放⼤电路常⽤的偏置电路有固定和分压式偏置电路。固定偏置电路仅由⼀个基极电阻构成，要求电阻在兆欧数量级上，Q 点易受晶体管参数变化和基极电阻值误差的影响。图2-2-3所⽰是分压式偏置的共射极放⼤电路。偏置电路由两个千欧数量级的基极电阻R B1和R B2构成，并添加射极电阻，也称射极偏置。它具有⾃动调节静态⼯作点的能⼒，当环境温度变化或更换晶体管时Q 点基本不变。
