CESD7V0D5

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes
CESD 7V 0D5 ESD Protection Diode
+ DESCRIPTION
The CESD 7V 0D5 is designed to protect voltage sensitive
components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that
are exposed to ESD. Because of its small size, it is suited for use in cellular phones, MP3 players, digital cameras and many other portable applications where board space is at a premium.
FEATURES
z Stand −off Voltage: 7 V z Low Leakage
z Response Time is Typically < 1 ns
z ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model z IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection z These are Pb −Free Devices
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter
Symbol
Limit Unit IEC61000−4−2(ESD) A
i r model Contact model
±30 ±30 k V ESD V oltage P er H uman B ody M odel Per M achine M odel
16 400
k V V
Total P ower D issipation on FR-5 B oard (Note 1) P D 150 mW Thermal Resistance Junction −to −Ambient R ΘJA 833 ℃/W Lead Solder Temperature − Maximum (10 Second Duration)
T L
260
℃
Junction and Storage T emperature R ange T j, T stg -55 ~ +150 ℃
Stresses exceeding m aximum r atings may damage the device. Maximum r atings are stress ratings only. Functional operation above the r ecommended. Operating c onditions is not implied. Extended exposure to stresses above the r ecommended o perating c onditions may affect device reliability. Note 1. FR −5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
C,Mar,2013
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a = 25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
I PP Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C Clamping Voltage @ I PP
V RWM Working Peak Reverse Voltage
I R Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V BR Breakdown Voltage @ I T
I T Test
Current
I F Forward
Current
V F Forward Voltage @ I F
P pk Peak Power Dissipation
C Max. Capacitance @V R=0 and f =1MHz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a = 25°C unless otherwise noted, V F= 0.9 V Max. @ I F= 10mA for all types)
V RWM(V) I R(μA)
@ V RWM
V BR(V)
@ I T(Note 2)
I T
V C
@I PP+=
5 A
I PP(A)+
V C(V) @Max
I PP+
P pk+ (W) C (pF)
Device* Device
Marking
Max Max Min Max mA V Max Max Max Typ
CESD7V0D5 ZH 7.0 0.03 7.5 8.7 1.013.5 8.8 22.7 200 65 *Other voltages available upon request.
+Surge current waveform reference to 8/20μs waveform.
Note 2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25°C.
C,Mar,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
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南京南山半导体有限公司－样品申请单
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姓名：职务：□技术□采购
□贸易商
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元器件明细资料
元器件名称
型号及封装
单机用量
申请数量
备注
预计生产情况
预计小批量生产时间：
规模生产时间：
样品申请时间：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。

表格不够填写，可自行复制。

2、请以附件的形式将该文档通过E-mail 发送，并请客户将此单打印盖章后。

3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，及时确定该样品申请是否执行及如何执行。

4、收到样品申请单并经审核通过后，南京公司有现货24小时内发出，如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2周。

5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量规定：单个型号5～20pcs，或按单机数量2～5套。

6、特别说明：由于体制约束等不确定因素，我们并不保证样品数量和型号完全符合要求，也不承诺一定按期交出。

回访记录
□已联系确认□已建议执行□未发送但已下单□已发送样品□客户已签收日期：
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