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集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-四篇 1章

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第一章 信号发生电路题4.1.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为πϕ)12(+=n AF ，而正弦振荡器中的相位平衡条件是πϕn AF 2=，这里有无矛盾？题4.1.2 振荡器的幅度平衡条件为1=F A&&，而起振时，则要求1>F A &&，这是为什么？ 题4.1.3 RC 桥式正弦振荡器如图题4.1.3所示，其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。

（1） 试在放大器框图A 内填上同相输入端（+）和反相输入端（—）的符号，若A 为μA741型运放，试注明这两个输入端子的管脚号码。

（2） 如果不用二极管，而改用下列热敏元件来实现稳幅：（a ）具有负温度系数的热敏电阻器；（b ）具有正温度系数的钨丝灯泡。

试挑选元件（a ）或（b ）来替代图中的负反馈支路电阻（R 1或R 3），并画出相应的电路图。

解：(1) RC 桥式正弦振荡器中，由于RC 串并联网络在f=f o 时，其相移φAF =0，为满足相位条件：φAF =φA +φF =0，放大器必须接成同相放大器，因此与RC 串并联网络连接的输入端为(+)，与负反馈支路连接的输入端为(-)，若A 为A741，其管脚号为：反相输入端为2，同相输入端为3。

(2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R 3； (b)正温度系数的钨丝灯泡取代R 1。

图题4.1.3题4.1.4 试用相位平衡条件判别图题4.1.4所示各振荡电路。

（1） 哪些可能产生正弦振荡，哪些不能？（注意耦合电容C b 、C e 在交流通路中可视作短路。

）（2） 对哪些不能满足相位平衡条件的电路，如何改变接线使之满足相位平衡条件？（用电路图表示。

）解：(1) 不满足相位平衡条件。

(2) 电路(b)中，通过切环与瞬时极性法，可判断该电路不满足相位平衡条件。

而将反馈信号引入T 1基极时，即可满足相位平衡条件。

(3) 由电路(c)中的瞬时极性可知，该电路满足相位平衡条件。

图题4.1.4题4.1.5 电路如图题4.1.5所示，稳压管D z 起稳幅作用，其稳定电压±V Z =±6V 。

试估算： （1） 输出电压不失真情况下的有效值； （2） 振荡频率。

图题4.1.5 图题4.1.6 解：(1)2/9=O V V(有效值)； (2) ==RCf o π219.95Hz 。

题4.1.6 电路如图题4.1.6所示。

（1） 为使电路产生正弦振荡，标明集成运放中的同相和反相输入端符号“+”、“-”；并说明电路属于哪种正弦波振荡电路。

（2） 若R 1短路，则电路将产生什么现象？ （3） 若R 1断路，则电路将产生什么现象？ （4） 若R f 短路，则电路将产生什么现象？（5）若R f断路，则电路将产生什么现象？题4.1.7 正弦波振荡电路如图题4.1.7所示，已知R1=2kΩ，R2=4.5kΩ,R W在0~5 kΩ范围r=500Ω。

内可调，设运放A是理想的，振幅稳定后二极管的动态电阻近似为d（1）求R W的阻值；f。

（2）计算电路的振荡频率图题4.1.7解：(1)R p=3.55kΩ； (2)f o=159Hz。

题4.1.8 试用相位平衡条件判断图题4.1.8所示的各个电路。

图题4.1.8（1） 哪些可能产生正弦振荡，哪些不能？（对各有关电压标上瞬时极性）（2） 对不能产生自激振荡的电路进行改接，使之满足相位平衡条件（用电路表示）。

题4.1.9 收音机中的本机振荡电路如图题4.1.9所示。

（1） 当半可调电容器C 5在（12~270）pF 范围内调节时，计算振荡器的振荡频率可调范围；（2） 三极管在电路中工作在什么组态？选择这种组态有什么好处。

图题4.1.9解：f max =2.094MHz ，f min =927.2kHz题4.1.10 图题4.1.10所示是一个由石英晶体（ZXB-2型）组成的振荡电路。

其中C 1为几千皮法，C 2为几个皮法，试判断该电路产生振荡的可能性。

若能振荡，其振荡频率是接近P f 还是S f ？C 1可以微调，它对振荡频率的影响程度如何？图题4.1.10 图题4.1.11题4.1.11 试分析图题4.1.11所示的晶体振荡电路（设电感L 可调）。

（1） 应将石英晶体接在晶体管的哪二个电极之间，它们才有可能产生正弦振荡？ （2） 指出由电感L 和电容C 决定的谐振频率（它等于221LC π）与石英晶体的谐振频率相比，哪个应较大，电路才有可能产生正弦振荡？题4.1.12 试分别画出图题4.1.12所示各电路的电压传输特性曲线。

图题4.1.12题4.1.13 已知三个电压比较器的电压传输特性如图题4.1.13（a）、（b）、（c）所示，它们的输入电压波形如图（d），试画出v O1、v O2和v O3的波形。

图题4.1.13题4.1.14 波形变换电路如图题4.1.14（a）所示，其输入电压v S的波形如图（b），试在图（b）上画出输出电压v O的波形。

图题4.1.14题4.1.15 在图题4.1.15（a）~ （c）所示电路中，设输入信号v S=2sinωtV，稳压管D z1、D z2的稳压值均为4V，二极管正向压降为0.7V，试画出各电路输出电压波形，并指出各电路的特点。

图题4.1.15题4.1.16 图题4.1.16所示电路为方波—三角波产生电路。

（1）试求其振荡频率，并画出v O1、v O2的波形。

（2）若要产生不对称的方波和锯齿波时，电路应如何改进？可用虚线画在原电路图上。

图题4.1.16解：(1) fo=3067Hz题4.1.17 图题4.1.17所示为光控电路的一部分，它将连续变化的光电信号转换成离散信号（即高、低电平信号），电流I随光照的强弱而变化。

（1）在A1和A2中哪个工作在线性区？哪个工作在非线性区？为什么？（2）试求出表示V O与I关系的传输特性。

图题4.1.17解：I ≥0.055mA 时υo =-5V ；I ≤0.005mA 时，υo =+5V 。

题4.1.18 波形发生器的原理电路如图题4.1.18所示。

（1）当调节R w ，使v S =0时，分别画出v O1和v O2的波形，并求两个电压波形的幅度比； （2）写出v O2波形的频率f 的表达式；（3） 当v S 在小范围内变动时（例如调节R w 使v S >0），对v O2波形有何影响？试定性说明之。

图题4.1.18解：(1) 两个电压的幅度比为：21021R R V V m m O =； (2) 21430)(41R R C R R f ×+=； (3) V s ＞0时，υ02输出锯齿波。

题4.1.19 集成定时器可以连接成脉冲宽度调制电路，如图题4.1.19所示，试画出调制后的输出电压v O 波形。

图题4.1.19题4.1.20 用集成定时器组成的过电压监视电路如图题4.1.20所示，v X 是被监视电压，试说明电路实现监视的原理。

图题4.1.20题4.1.21（1）选用CC7555型集成定时器设计一个要求产生20 μS 延时时间的脉冲电路，其电路参数为V DD =5V ，V OL =0V ，R=91k Ω；（3） 如果V OL =0.2V ，试用上述参数求此时的输出脉宽。

解： (1) T w =≈1.1RC ∴pF R T C w 20010911.110201.136=×××==−(2)sRC RC V V V V RC T CC CC OL CC w µ3.191210200109106.106.1)5312.05ln(32ln3≈−××××=≈×−=−−=图题4.1.22题4.1.22 图题4.1.22所示为一简易触摸开关电路。

当手摸金属片时，发光二极管亮，经过一定时间后，发光二极管自动熄灭。

试说明其工作原理，并问发光二极管能亮多长时间？ 解： 能亮t=Tw ≈1.1RC=1.1×200×103×50×10-6=11秒题4.1.23 由CC7555构成的单稳电路如图题4.1.23所示，v I 为1kHz 的方波信号，其幅度为5V 。

（1） 画出v I 、v 2及v O 的波形； （2） 计算输出脉冲的宽度。

解：tw=RCln3≈1.1RC=0.11ms图题4.1.23 图题4.1.24题4.1.24 图题4.1.25所示是由CC7555连接成的多谐振荡器，试画出v C和v O的波形。

当不计CC7555的输出电阻时，写出振荡周期表达式。

解：T=2RCln2≈1.39RC题4.1.25 图题4.1.25所示是由CC7555连接成的多谐振荡器，图中R=1kΩ。

（1）试分析振荡原理，并画出v C1、v C2及v O的波形。

（3）计算振荡周期T。

图题4.1.25解：T=T1+T2=(R2+R w2)C2ln2+(R1+R w1)C1ln2≈0.392ms+0.042ms≈0.43ms图题4.1.26题4.1.26 图题4.1.26所示电路中设A 为理想运放，最大的输出电压为 ±12V ，V REF 为2.5V 。

（1）试画出v O1、v O2、v O3 的波形；（2）推导输出电压 v O3和参考电压V REF 之间的函数关系。

题4.1.27 已知图题4.1.27所示电路为压控振荡电路，三极管T 工作在开关状态，当其截止时相当于开关断开，当其导通时相当于开关闭合，管压降近似为零。

（1） 分别求解T 导通和截止时 v O1和v I 的运算关系式v O1=f(v I ) ； （2） 求出v O 和v O1的关系曲线v O =f(v O1)； （3） 定性画出v O 和v O1的波形； （4） 求解振荡频率f 与v I 的关系式。

图题4.1.27 解：(1))11(31201CR V V I −=(T 截止时) )11(31201CR V V I +=（T 导通时） (4) I zI I z V CV R V T f V CV R T 1.161,622====。

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（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

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（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

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三、FET放大电路的直流偏置电路的组成
FET晶体管栅极不取电流，而且漏极电流ID受栅 源电压vGS控制，所以栅极电位用分压器组成。
各种型号的FET，其栅源电压vGS和漏源电压vDS 极性如表所示。
种类 电压
v GS v
DS
增强型
NMOS 正 正
PMOS 负 负
N 结型 负 正
耗尽型
P 结型 NMOS PMOS
2.1.3 基本放大电路的组成及其静态分析
集成电子技术基础教程 —— 模拟电子电路
一、放大电路的基本组成
➢以放大器件（BJT、FET）为 核心，配以工作电源和电阻， 以保证器件始终工作在放大区。 ➢信号能畅通地加到放大器的输 入端，尽量不影响电路的直流工 作状态。（信号耦合）
➢经放大后的信号能尽量大地传到负载上，并从负载上取出。
iB IB ib
i C i B ( I B i b ) I B i b I C i c
vCEVCEvce
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vo (R C//R L)icvce
集成电子技术基础教程 —— 模拟电子电路
vCEvC2vRL
✓C1、C2： （隔直/耦合）电容；
隔离直 —— 模拟电子电路
❖分析静态工作状况——用直流通路
此时 vi 0 称静态,求静态工作点:
I BQ
I CQ
V BEQ
V CEQ
➢直流通路的画法：
输入信号只考虑直流成分； 电路中保留恒压源、恒流源； 电容开路处理； 电感线圈短路处理（或考虑其直流电阻）。
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注意：负载上得到的信号，将比输入信号大得多，这是电源提 供的能量，经放大电路控制（变换）后以输入信号的变化规律 形式输出，这是放大电路所谓“放大”的真实物理内涵。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

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模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。