大学《模拟电子技术》试题及答案
一、填空题
1．PN结反向偏置时，PN结的内电场 。PN具有 特性。
2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压Vth约为 伏。
3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC 。
4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，
组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。
6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：
。②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。③稳定输出电流： 。
8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F＝0.01，则闭环放大倍数fA 。
二、选择题
1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ
2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。 A)共射电路 B)共基电路 C)共集电路 D)共集-共基串联电路
1 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二 B.三 C.四 D.五
2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二 B.三 C.四 D.五
3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于
4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于
5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子
7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定
9、稳压管的稳压区是其工作在 C
。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏
11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能
12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 10
13、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能
14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流
15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 UCE 。
2016年模拟电子技术
第一阶段基础测验
一、单选
1、Fi是_________放大电路的反馈系数。
A.电流串联负反馈
B.电压串联负反馈
C.电压并联负反馈
D.电流并联负反馈
标准答案是：D。
2、NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则三极管
A.基极电流不变
B.集电极对发射极电压
C.基极电流变大
D.集电极对发射极电压VcE上升
标准答案是：C。
3、N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________
A.正值
B.负值
C.零
D.以上都不是
标准答案是：B。
4、OCL电路是（）电源互补功率放大电路
A.单
B.无电源
C.双电源
D.以上都不是
标准答案是：C。
5、OCL功放电路中，输出端（即中点）的静态电位为（）
A.Vcc
B.2Vcc
C.Vcc/2
D.0
标准答案是：D。
6、OCL功率放大器易发生有（）失真。
A.全失真
B.交越失真
C.饱和失真
D.以上都不是
标准答案是：B。
7、OTL电路是（）电源互补功率放大电路
A.单
B.无电源
C.双电源 D.以上都不是
标准答案是：A。
8、PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的
A.单向导电性
B.放大特性
C.饱和特性
D.以上都不是
标准答案是：A。
9、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。
A.正值
B.负值
C.零
D.以上都不是
标准答案是：A。
10、P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________
A.正值
B.负值
C.vGS
D.零
标准答案是：A。
第二阶段基础测验
一、单选
1、RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（）。
A.基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
D.同相比例运算电路
标准答案是：D。
2、差分放大电路产生零点漂移的主要原因是：_________。
A.电压增益太大
《模拟电子技术》复习
一、选择题：
1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B
2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B
3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在
A 。
（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区
4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在
B 。
（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区
5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通 （B）反向截止 （C）反向击穿
6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大 （B）减小 （C）不变
7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）100
8. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射 （B）共集 （C）共基
