霍尔效应实验原始数据记录

用霍尔效应测量磁场

实验目的

1、 霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用

2、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。

3、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。

实验仪器

DH4501B型亥姆霍兹线圈磁场实验仪

实验原理

1、霍尔效应

霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。如右图（1）所示，磁场B位于Z的正向， 图（1）

与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流SI（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流SI相反的X负向运动。

由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于Y轴负方向偏转，并形成电子积累，而相对的Y轴正方向形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f E的作用。随着电荷积累的增加，f E增大，当两力大小相等（方向相反）时，LEff，则电子积累便达到动态平衡。这时在Y方向两端面之间建立的电场称为霍尔电场HE，相应的电势差称为霍尔电势HV

。

设电子按均一速度，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为：

LfeB (1)

式中e 为电子电量，为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。同时，电场作用于电子的力为： EHHfeEeVl (2)

式中HE为霍尔电场强度，HV为霍尔电势，l为霍尔元件宽度。当达到动态平衡时:

LEff HBVl （3）

设霍尔元件宽度为l，厚度为d ，载流子浓度为 n ，则霍尔元件的工作电流为

SIneld （4）

由(3)、(4)两式可得： 图（1） 1SSHHIBIBVRnedd (5)

即霍尔电压HV 与SI，B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数

1HRne 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。当霍尔元件的材料和厚度确定时，设：

//HHKRdlned （6）

将式（6）代入式（5）中得：

HHSVKIB （7）

式中：HK称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是mV/mA·T，一般要求HK愈大愈好。

霍尔元件测量磁场的基本电路如图（2），将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感 图（2）

应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流SI，

霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势VH的值。

2、实验系统误差及其消除

测量霍尔电势HV时，不可避免的会产生一些副效应，由此而产生的附加电势叠加在霍尔电势上，形成测量系统误差，这些副效应有：

（1）不等位电势oV

由于制作时，两个霍尔电势既不可能绝对对称的焊在霍尔片两侧；霍尔片电阻率不均匀、控制电流极的端面接触不良都可能造成两极不处在同一等位面上，此时虽未加磁场，但间存在电势差oV， oV与SI的大小成正比，且其正负随SI的方向而改变。

（2）爱廷豪森效应

当元件X方向通以工作电流SI，Z方向加磁场B时，由于霍尔片内的载流子速度服从统计分布，有快有慢。在到达动态平衡时，在磁场的作用下慢速快速的载流子将在洛仑兹力和霍耳电场的共同作用下，沿Y轴分别向相反的两侧偏转，这些载流子的动能将转化为热能，使两侧的温升不同，因而造成Y方向上的两侧的温差。因为霍尔电极和元件两者材料不同，电极和元件之间形成温差电偶，这一温差在间产生温差电动势EV，EV∝SI，B。

这一效应称爱廷豪森效应，EV的大小与正负符号与SI，B的大小和方向有关，跟VH与SI、B的关系相同，所以不能在测量中消除。

（3）伦斯脱效应

由于控制电流的两个电极与霍尔元件的接触电阻不同，控制电流在两电极处将产生不同的焦耳热，引起两电极间的温差电动势，此电动势又产生温差电流（称为热电流）Q，热电流在磁场作用下将发生偏转，结果在Y方向上产生附加的电势差NV，且NV∝Q，B这一效应称为伦斯脱效应，由上式可知NV的符号只与B的方向有关。 （4）里纪－杜勒克效应

如（3）所述霍尔元件在X方向有温度梯度的dT/dX，引起载流子沿梯度方向扩散而有热电流Q通过元件，在此过程中载流子受Z方向的磁场B作用下，在Y方向引起类似爱廷豪森效应的温差，由此产生的电势差RV∝Q，B，其符号与B的方向有关，与SI的方向无关。为了减少和消除以上效应的附加电势差，利用这些附加电势差与霍尔元件工作电流SI，磁场B（即相应的励磁电流MI）的关系，采用对称（交换）测量法进行测量。

当MSII,时 1HOENRVVVVVV

当MSII,时 2HOENRVVVVVV

当MSII,时 3HOENRVVVVVV

当MSII,时 4HOENRVVVVVV

对以上四式作如下运算则得：

12344HEHVVVVVVVV (8)

可见，除爱廷豪森效应以外的其他副效应产生的电势差会全部消除，因爱廷豪森效应所产生的电势差VE的符号和霍尔电势HV的符号，与SI及B的方向关系相同，故无法消除，但在非大电流、非强磁场下，HEVV，因而EV忽略不计。

3、亥姆霍兹线圈

亥姆霍兹线圈是一对匝数和半径相同的共轴平行放置的圆线圈，两线圈间的距离正好等于圆形线圈的半径R。根据毕奥—萨伐尔定律，载流线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上某点的磁应强度为：

20223/22()MRBNIRx (9)

式中MI为通过线圈的电流强度，N为线圈的匝数，R为线圈平均半径，x为圆心到该点的距离，0为真空磁导率。依据上式，当两线圈中通同向励磁电流时能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，故在生产和科研中有较大的实用价值。轴线上两线圈中点处的磁场为： 03285MONIBR (10)

实验步骤

1、 将实验仪上的恒流源输出SI，MI分别对应接到亥姆霍兹线圈测试架上，导线和插孔的颜色不要接错。

2、 将实验仪上的霍尔电压测量电表的输入端短接，进行调零，然后将测试架上的霍尔电压输出接入到测量电表的输入端。

3、 调整SI，MI输出使SI=3.0mA，MI=0.500A.

4、 调整霍尔片的位置使之位于线圈中轴线上，霍尔片垂直于磁场，选择一种SI和MI的极性，测量中轴线上不同位置的霍尔电压，从110xmm到110xmm每间隔5mm测一个数据，然后换一种SI和MI的极性（换极性时先将SI，MI调到零再打换向开关），再回头测量。

5、 数据记录结束后，先将SI，MI调到零，然后关机。

数据记录及处理

1、 计算中轴线上O点磁场的值：03285MONIBR（mT）

2、 利用中轴线上O点处的磁场OB和HV计算元件的灵敏度HHSOVKIB（mV/mA·T）

3、 利用HK和HV计算亥姆霍兹线圈中轴线上各点的磁场分布：HSHVxBxIK

测量点位置

X（mm） HVx

(mV) Bx

(mT) 测量点位置

X（mm） HVx

(mV) Bx

(mT)

-110 5

-105 10

-100 15

-95 20

-90 25

-85 30

-80 35

-75 40

-70 45

-65 50

-60 55

-55 60

-50 65

-45 70

-40 75

-35 80

-30 85

-25 90

-20 95

-15 100

-10 105

-5 110

0

4、在坐标纸上做Bx曲线：