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Bi2O3掺杂对 Ag(Nb0.8Ta0.2)O3陶瓷结构和介电性能的影响(英文)

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第３０卷第３期　２０１４年３月　无　机　化　学　学　报　ＣＨＩＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＩＮＯＲＧＡＮＩＣ　ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　Ｖ０ｌ＿３０　Ｎｏ．３　６４９—６５３　

Ｂｉ２Ｏ３掺杂对Ａｇ（Ｎｂ。．８Ｔａ。．２）Ｏ３陶瓷结构和介电性能的影响　

肖　谧　杨　朝　钟小蓉席芳芳　

（天津大学电子信息工程学院，天津３０００７２）　

摘要：本文研究了Ｂｉ２０　掺杂对Ａｇ（Ｎｂｏ．ａＴａｏ．２）Ｏ，陶瓷的结构和介电性能的影响。Ｘ射线衍射（ｘＲＤ）结果表明，Ｂｉ：Ｏ，的掺杂可以使　

陶瓷中Ａｇ　被还原并析出，且银析出的量随Ｂｉ２０３掺杂量的增加而不断增加，这可能源自于Ｂｉ　对Ａｇ　的取代。在一定范围内增大　

Ｂｉ２０　掺杂量可提高Ａｇ（Ｎｂ　ｆｆａｏ．￣）Ｏ，陶瓷的室温介电常数，降低介电损耗，并使温度系数向负值方向移动。当Ｂｉ２０，的掺杂量约为　３．５ｗｔ％￣，样品具有较大的介电常数　＝６７２）和较小的介电损耗（ｔａ　＝７．３ｘ１０－￣）。　

关键词：ＡＮＴ；Ｂｉ２０３；掺杂；Ａｇ析出；高介电常数　中图分类号：ＴＭ２２＋５　文献标识码：Ａ　文章编号：１００１—４８６１（２０１４）０３—０６４９—０５　

ＤｏＩ：１０．１１８６２／ＣＪＩＣ．２０１４．０５４　

Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｂｉ２０３　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ａｇ　

ＸＩＡＯ　Ｍｉ　ｒＡＮＧ　Ｚｈａｏ　ＺＨＯＮＧ　Ｘｉａｏ—Ｒｏｎｇ　ＸＩ　Ｆａｎｇ—Ｆａｎｇ　

（Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔｉ删ｉｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉ吼Ｊｉｎ　３０００７２，Ｃｈｉｎａ）　

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ｂｉ２０３　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ａｇ（Ｎｂ０．ｓＴ　２）０３　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ｗａｓ　

ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ　ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｆ　Ｘ－ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（ＸＲＤ）ｓｈｏｗｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　Ｂｉ２０３　ｃｏｕｌｄ　ｔｅｎｄ　ｔｏ　

ａｃｃｅｌｅｒａｔｅ　ｔｈｅ　ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｇ，ｗｈｉｃｈ　ｍａｙ　ｏｒｉｇｉｎａｔｅ　ｆｒｏｍ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｂｉ　ｆｏｒ　Ａｇ　．Ａ　ｃｅｒｔａｉｎ　ｄｏｐｉｎｇ　ａｍｏｕｎｔ　

０ｆ　Ｂｉ２０３　ｗｏｕｌｄ　ｒｅｓｕｌｔ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏｎｓｔａｎｔ，ａｎｄ　ｔｈｅ　ｄｅｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　１ＯＳＳ　ｏｆ　Ａｇ（Ｎｂｎｆｆａｏ．￣）Ｏ３　

ｃｅｒａｍｉｃｓ　ａｔ　ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ａｎｄ　ｍａｋｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｓｈｉｆｔ　ｆｏｒ　ｎｅｇａｔｉｖｅ　ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ．Ｔｈｅ　ｒｅａｓｏｎ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　

ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｗａｓ　ａｌｓｏ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ａｍｏｕｎｔ　ｏｆ　Ｂｉ２Ｏ３　ｗａｓ　ａｂｏｕｔ　３．５ｗｔ％，ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅ　

ｈａｄ　ｔｈｅ　ｂｅｓｔ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ｌａｒｇｅｒ　ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ（￣＝６７２）ａｎｄ　ｓｍａｌｌｅｒ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌｏｓｓ（ｔａｎ￣＝７．３ｘ１０－￣）．　

Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＡＮＴ；Ｂｉ２Ｏ３；ｄｏｐｉｎｇ；Ａｇ　ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ；ｈｉｇｈ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏｎｓｔａｎｔ　

０　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　

Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｆｏｒ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　

ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ　ｓｈｏｕｌｄ　ｈａｖｅ　ａ　ｈｉｇｈ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ　８，　

ａ　ｌａｒｇｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｆａｃｔｏｒ　Ｑ，ａｎｄ　ａ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｒｅｓｏｎａｎｔ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｆ　ｃ］ｏｓｅ　ｔｏ　ｚｅｒｏ【　．Ｃｏｍｐｒｅｈ—　

ｅｎｓｉｖｅ　ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ，　

ｓｕｂ—ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ　ｔｏ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ翻ｈａｓ　ｐｒｏｖｅｄ　

ｔｈａｔ　ｓｉｌｖｅｒ　ｎｉｏｂａｔｅ－ｔａｎｔａｌａｔｅ　ＡｇＮｂ１＿ｘＴａ￣Ｏ３（ＡＮＴ）ｈａｓ　ａ　

ｈｉｇｈ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｉｎ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　５ｊ．Ｉｎ　ＡＮＴ　

收稿日期：２０１３．０７．０３。收修改稿日期：２０１３—０９—２６。　通讯联系人。Ｅ－ｍａｉｌ：ｘｉａｏｍｉ＠ｔｊｕ．ｅｄｕ．ｃｎ；会员登记号：Ｅ１９０００４９２７Ｓ。　ｔｈｅｒｅ　ｉｓ　ａ　ｎｅｇｌｉｇｉｂｌｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ　ｆｏｒ　ａ　ｖｅｒｙ　

ｂｒｏａｄ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｒａｎｇｅ　ｆｒｏｍ　１　ｋＨｚ　ｕｐ　ｔｏ　ａｐｐｒｏｘｉ—　

ｍａｔｅｌｙ　１００　ＧＨｚｔ６－７￣．Ｔｈｅ　ｔｅｓｔ　ｐｅｒｆｏｒｍｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　１　ＧＨｚ　

ｒｅｇｉｏｎ　ｉｎｄｉｃａｔｅｄ　ａ　ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　４３０，ａ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　

ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ＜５．０ｘｌ０　℃～．ａｎｄ　ａ　Ｑ　ｖａｌｕｅ　

ｏｆ　７００　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ＡｇＮｂ０．６５Ｔａｏ．３５０３－ＡｇＮｂｏ．ｓｓＴａｏ．６５０３　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ．　

Ｓｕｃｈ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｗｉｌｌ　ａｌｌｏｗ　ＵＳ　ｔｏ　ｐｒｏｄｕｃｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　

ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙ　ｒｅｄｕｃｅｄ　ｓｉｚｅ　ａｎｄ／ｏｒ　ａ　

ｍｕｃｈ—ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｃａｐａｃｉｔｙ嘲．　

ＡＮＴ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｈａｓ　ａ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｐｅｒｏｖｓｋｉｔ

ｅ．Ｔｈｅ　６５０　无机化学学报　第３０卷　

ｐｏｌａｒｉｚａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｉｏｎｓ　ｃａｎ　ｂｅ　ｓｔｒｏｎｇｌｙ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｄ　ｂｙ　

ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｉｏｎｓ　ａｔ　Ａ　ｏｒ　Ｂ　ｓｉｔｅｓ　ｉｎ　

ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．Ｉｎ　ｒｅｃｅｎｔ　ｙｅａｒｓ，ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　

ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｉｏｎｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　

ｏｆ　ＡＮＴ　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ｗｅｒｅ　ｕｎｄｅｒｔａｋｅｎ　ａｎｄ　ｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅ　

ｐｒｏｇｒｅｓｓｅｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ　ＡＮＴ　ｃｅｒａｍｉｃ　

ｃａｎ　ｇｅｔ　ａ　ｍｏｒｅ　ｉｄｅａｌ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｂｙ　

ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｎｇ　ａｌｋａｌｉ　ｍｅｔａｌ　ｉｏｎｓ　ｓｕｃｈ　ａｓ　Ｋ　ａｎｄ　Ｎａ　ｆｏｒ　Ａｇ　圳．ａｎｄ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｌｉ　ｆｏｒ　Ａｇ　ｗｉｌｌ　ｂｒｉｎｇ　ａ　

ｓｔｒｏｎｇ　ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｉｔｙ【ｌ１ｊ．Ｄｏｐｉｎｇ　ｏｆ　Ｓｂ２０５　ｃａｎ　ｄｅｃｒｅａｓｅ　

ｔｈｅ　ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｓｂ　ａｔ　Ｂ　ｓｉｔｅ　ｃａｎ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ【　．Ａ　ｐｒｏｐｅｒ　

ａｍｏｕｎｔ　ｏｆ　Ｂｉ２０３　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎ　ｉｎ　ｔｈｅ　Ａｇ（ＮｂｘＴａ１　Ｏ３　ａｌｓｏ　ｈａｖｅ　ａｃｈｉｅｖｅｄ　ｇｏｏｄ　ｒｅｓｕｌｔｓｌ　３１．Ｈｏｗｅｖｅｒ．ｔｈｅ　ｅｓｓｅｎｃｅ　ｏｆ　

ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ　ｂｒｏｕｇｈｔ　ｂｙ　Ｂｉ２０３　ｉｎ　ｔｈｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　

ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＡＮＴ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｗａｓ　ｎｏｔ　ｓｕｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙ　ｒｅｃｏｇ－　

ｎｉｚｅｄ．Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ，ｔｈｅ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　Ｂｉ２Ｏ３　ｏｎ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　

ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＡＮＴ　ｃｅｒａｍｉｃ　ａｎｄ　ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ　ｒｅａｓｏｎ　

ｗｅｒｅ　ｄｊ　ｓｃｕｓｓｅｄ．　

１　Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　

Ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｏｆ　ＡＮＴ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｂｉ２Ｏ３　

ｗｅｒｅ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｕｓｉｎｇ　ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ｓｏｌｉｄ－ｓｔａｔｅ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　

ｍｅｔｈｏｄ．ＮｂｚＯ５　ａｎｄ　Ｔａ２Ｏ５（９９．９９％）ｗｅｒｅ　ｍｉｘｅｄ　ｏｎ　

ｔｈｅ　ｍｏｌａｒ　ｒａｔｉｏ　ｏｆ　８０：２０．Ｔｈｅ　ｍｉｘｔｕｒｅｓ　ｗｅｒｅ　ｂａｌｌ　

ｍｉｌｌｅｄ．ｄｒｉｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅｎ　ｃａｌｃｉｎｅｄ　ａｔ　ｌ　２００℃．Ａｇ，Ｏ　ｗａｓ　

ａｄｄｅｄ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｃａｌｃｉｎｅｄ（ＮｂｎｓＴａｏ．２）２０５　ａｃｃｏｒｄｉｎｇ　ｔｏ　ｔｈｅ　

ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｆｏｒｍｕｌａ　ｏｆ　Ａｇ（Ｎｂｎｆｆａｏ２）Ｏ３，ａｎｄ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　

ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎｓ　ｏｆ　Ｂｉ２０３（０．５ｗｔ％，１．５ｗｔ％，２．５ｗｔ％，３．５ｗｔ％，　

４．５ｗｔ％，５．５ｗｔ％，７ｗｔ％，１０ｗｔ％）ｗｅｒｅ　ａｄｄｅｄ　ｒｅｓｐｅｃｔｉ－　

ｖｅｌｙ．Ｔｈｅ　ｍｉｘｔｕｒｅｓ　ｗｅｒｅ　ｂａｌｌ　ｍｉｌｌｅｄ，ｄｒｉｅｄ　ａｎｄ　ｃａｌｃｉｎｅｄ　

ａｔ　９５０　ｃＣ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔａｎｔ　ｗａｓ　ｂａｌｌ　ｍｉｌｌｅｄ　ａｇａｉｎ．Ａｆｔｅｒ　

ｄｒｙｉｎｇ，ｔｈｅ　ｆｉｎａｌ　ｐｏｗｄｅｒｓ　ｗｅｒｅ　ｐｒｅｓｓｅｄ　ｉｎｔｏ　ｄｉｓｋｓ　ｏｆ　

１０　ｍｍ　ｉｎ　ｄｉａｍｅｔｅｒ　ａｎｄ　１ｍｍ　ｉｎ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　ｕｎｄｅｒ　ａ　

ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｏｆ　１０　ＭＰａ．ａｎｄ　ｗｅｒｅ　ｔｈｅｎ　ｓｉｎｔｅｒｅｄ　ａｔ　ｌ　０８０—　

１　１　３０℃．Ａｆｔｅｒ　ｓｉｌｖｅｒ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ　ｗａｓ　ｆｏｒｍｅｄ．ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　

ｌＯＳＳ　ｔａｎ８　ａｎｄ　ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ　Ｃ　ｏｆ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｗｅｒｅ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　

ａｔ　１　ＭＨｚ　ｕｓｉｎｇ　ＨＰ４２７８Ａ　ＲＬＣ　ｔｅｓｔｅｒ．Ｔｈｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　

ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ　（ＴＣＣ）ｗａｓ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　

ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ａｎ　ｏｖｅｎ　（ＧＺ—ＥＳＰＥＣ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ，　

Ｃｈｉｎａ）ａｎｄ　ａｎ　ＨＭ　２７００１　Ｃａｐａｃｉｔｏｒ　Ｃ—Ｔ　Ｍｅｔｅｒ　Ｍｏｄｅ１．　

Ｔｈｅ　ＴＣＣ　ｗａｓ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｒａｎｇｅ　ｏｆ　

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Bi2O3-ZnO-Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

Bi2O3-ZnO-Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

Bi2O3-ZnO-Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

任庆利

【期刊名称】《西安交通大学学报》

【年(卷),期】2000(034)008

【摘 要】研究了Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化.讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响.结果表明,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响,锐钛型TiO2的掺杂可优化温度系数,得到介电性能优异的脚陶瓷.

【总页数】5页(P65-69)

【作 者】任庆利

【作者单位】西安交通大学,710049,西安

【正文语种】中 文

【中图分类】TM28

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4.添加表面活性剂对Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系陶瓷温度系数的影响 [J], 任庆利;罗强;陈寿田;吴洪才

5.BaO-Ln_2O_3-TiO_2系高介电常数微波介质陶瓷的研究进展 [J], 高旭芳;丘泰 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买

掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响

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掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响

司文捷;刘人淼

【期刊名称】《稀有金属材料与工程》

【年(卷),期】2007(36)A01

【摘 要】综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展。原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗,但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗。MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗;但在微波频段,当MgO的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时,通过优化烧结工艺,可以得到1×10-5量级的介电损耗。加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗,但其作用机理还有待进一步研究。

【总页数】4页(P445-448)

【关键词】氧化铝陶瓷;介电损耗;杂质;掺杂

【作 者】司文捷;刘人淼

【作者单位】清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室

【正文语种】中 文

【中图分类】TG146.4

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4.低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究 [J], 董桂霞;王磊;刘伟;杜军;毛昌辉;崔建东

5.低介电损耗微晶氧化铝陶瓷研究 [J], 张巨先

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Ag_掺杂钛酸锶钡基玻璃陶瓷的显微结构和介电性能

Ag_掺杂钛酸锶钡基玻璃陶瓷的显微结构和介电性能

牛同健 等：聚空心球对氧化铝陶瓷性能的影响

・ 513 ・第40卷第4期

Ag+掺杂钛酸锶钡基玻璃陶瓷的显微结构和介电性能

徐 超，沈 波，翟继卫

(同济大学功能材料研究所，上海 200092) 摘 要：采用熔融法制备了钛酸锶钡(barium strontium titanate，BST)基玻璃，然后将此玻璃样品在不同的温度下进行热处理得到BST基玻璃陶瓷，采用差热分析研究了BST基玻璃陶瓷析晶过程中的热力学特征，用扫描电子显微镜和X射线衍射分别分析了玻璃陶瓷的显微结构和相结构，并且系统研究了该玻璃陶瓷的介电特性以及耐击穿电场强度。结果表明：0.3% (质量分数)Ag+掺杂时，BST基玻璃中BST相的析晶温度从885 ℃下降到840 ℃，有利于玻璃体中BST晶体的析出。另外，Ag+的掺杂有利于提高BST基玻璃陶瓷的介电常数，同时能维持较低的介电损耗。此外，Ag+掺杂能够提高BST基玻璃的耐击穿电场强度，其在800 ℃热处理后，可达96.3 kV/mm，高于未掺杂Ag+的BST基玻璃的52.5 kV/mm。 关键词：钛酸锶钡基玻璃陶瓷；微观结构；介电性能； 中图分类号：TM128 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2012)04–0513–05 网络出版时间： DOI： 网络出版地址： Microstructure and Dielectric Properties of Silver Ions Doped BST Glass Ceramic

XU Chao，SHEN Bo，ZHAI Jiwei (Functional Materials Research Laboratory, Tongji University, Shanghai 200092, China) Abstract: Barium strontium titanate (BST) based glass was prepared by a melting method, and then the glass samples were heat treated under different process conditions to obtain the BST based glass ceramics. The thermodynamic characteristics during the process of crystallization were investigated by differential scanning calorimeter. The microstructure and phase structure of glass ce-ramics were analyzed by scanning electron microscopy and X-ray diffraction, respectively. Moreover, the dielectric properties of glass ceramics and the breakdown strength were determined. The results show that the doping of a certain amount (i.e., 0.3% in mass) of Ag+ ion can reduce the crystallization temperature from 885 to 840 ℃, which is conducive to the precipitation of the BST. Also, the doping of Ag+ ion enhanced the dielectric constant of the BST based glass ceramics and maintained a low level of dielectric loss. In addition, the doping of Ag+ ion improved the breakdown strength, i.e., the samples heated at 800 had the breakdown strength of ℃96.3 kV/mm, which was higher than that of the undoped BST based glass (52.5 kV/mm). Key word: barium strontium titanate based glass ceramic; dielectric storage materials; breakdown strength

A位掺杂Bi2(Zn1／3Nb2／3)O7陶瓷结构与介电性能

A位掺杂Bi2(Zn1／3Nb2／3)O7陶瓷结构与介电性能

第２７卷第２期　

Ｖｏ１．２７．Ｎｏ．２　西华大学学报（自然科学版）　

Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｘｉｈｕａ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ・Ｎａｔｕｒａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　２００８年３月　

Ｍａｒ．２Ｏ０８　

文章编号：１６７３—１５９Ｘ（２００８）０２－００８３—８５　

Ａ位掺杂Ｂｉ２（Ｚｎ　／３　Ｎｂ２／３）Ｏ７陶瓷结构与介电性能　

丁士华，张红霞，陈　涛，宋天秀，张　东，杨秀玲　

（西华大学材料科学与工程学院，四川成都６１００３９）　

摘　要：采用固相反应制备Ｂｉ　（ｚｎ。　Ｎｂ　）ｏ，基陶瓷，并借助ｘ射线、扫描电镜和Ａｇｉｌｅｎｔ４２８４测试仪研究Ａ　

位　、Ｅｒ“、ｓｂ“替代对Ｂｉ：（ｚｎ。　Ｎｂ　。）Ｏ　陶瓷结构、烧结温度和性能的影响。研究结果表明：当替代量ｘ≤０．４　

时，样品均保持单一的单斜焦绿石相结构；Ｙ　离子替代的样品在９６０　ｏＣ致密成瓷，Ｓｂ“离子替代的样品在１０００　ｏＣ　

致密成瓷，Ｅｒ　离子替代的样品在１０５０℃可以致密成瓷；Ｙ¨、Ｅｒ　替代样品的介电常数温度系数先增大后减小；　

ｓｂ“替代样品的介电常数温度系数由２８６．８４２１×１０　急剧减小到一１７１×１０一。因此，选择合适的离子替代可以获　

得性能很好的ＮＰＯ介质材料。　

关键词：铋基陶瓷；替代；烧结温度；介电性能　

中图分类号：ＴＭ２８　文献标识码：Ａ　

为满足移动通信终端日益小型化的需要，在微　

波电路中使用以低温共烧技术制得的片式多层微波　

器件成为当前发展的主要趋势。在片式多层微波器　

件的制造过程中，具有高的介电常数、低的介电损耗　

和近零的谐振频率温度系数的微波介质材料，需要　

同低熔点的贱金属如Ａｇ或ｃｕ等共烧。Ｂｉ　Ｏ　．ＺｎＯ．　

Ｎｂ　Ｏ　陶瓷通过适当的掺杂改性，可以在很低的烧　

结温度下获得优异的微波介电性能，是一种很有应　

用前景的低温烧结微波介质材料¨引。　

ＢＺＮ（Ｂｉ２Ｏ　．ＺｎＯ—Ｎｂ２Ｏ５）作为一类制作ＭＬＣＣ　

的介质陶瓷材料，由我国材料工作者在７０年代独立