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半导体的主要特性

半导体的主要特性

半导体的主要特性

一、半导体的概念

自然界中的物质,按导电能力强弱不同,可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。故半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。

纯净的,不含有杂质的半导体叫做本征半导体。

本征半导体有两种导电粒子,一种是带负电荷的自由电

子,一种是带正电荷的空穴。

二、半导体的特性

自由电子和空穴在外电场的作用下都会做定向移动而

形成电流,所以把它们统称为载流子。本征半导体中每产生

一个自由电子必然会有一个空穴出现,自由电子和空穴的数

目相对出现,这种物理现象叫做本征激发。

常温下,本征激发产生的自由电子和空穴数目很少,所

以本征半导体的导电性能比较差。但温度升高或光照增强时,

本征半导体内电子运动加剧,载流子数目增多,导电性提高,这就是半导体的热敏特性和光敏特性。在本征半导体中掺入三价或五价元素后分别形成P型半导体或N半导体,半导体的导电性能大大提高,这就是半导体的掺杂特性。

三、半导体的种类

本征半导体、N型半导体和P型半导体。

四、PN结及其导电特性

1、PN结的形成

采用掺杂工艺是P型半导体

和N型半导体做在一起,在P

型半导体和N型半导体的交界

面会形成一个具有特殊电性能

的薄层,成为PN结。

2、PN 结的单向导通特性。

半导体基础知识

半导体基础知识(详细篇) 2.1.1概念 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。 1. 导体:容易导电的物体。如:铁、铜等 2. 绝缘体:几乎不导电的物体。如:橡胶等 3. 半导体:半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可 导电。 半导体的电阻率为10-3?109 cm 典型的半导体有硅 Si 和锗Ge 以 及砷化傢GaAs 等。 半导体特点: 1) 在外界能源的作用下,导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此 类。 2) 在纯净半导体内掺入杂质,导电性能显著增加。二极管、三极管属于此 类。 2.1.2本征半导体 1. 本征半导体一一化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度 要达到99.9999999%常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子 技术中用的最多的是硅和锗。 硅和锗都是4价元素,它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下 图: 外层电子受原子核的束缚力最 小, 成为价电子。物质的性质是由价 电子决 定的。 2. 本征半导体的共价键结构 本征晶体中各原子之间靠得很近, 相邻原子的吸引,分别与周围的四个原子 的价电子形成共价键。 外层电子受原子核的束缚力最小, 的。 使原分属于各原子的四个价电子同时受到 共价键中的价电

3.共价键 共价键上的两个电子是由相邻原子各用 一个电子组成的,这两个电子被成为束缚电子。 束缚电子同时受两个原子的约束,如果没有足 够的能量,不易脱离轨道。因此,在绝对温度 T=0° K (-273° C )时,由于共价键中的电子 被束缚着,本征半导体中没有自由电子,不导 电。只有在激发下,本征半导体才能导电 4. 电子与空穴 当导体处于热力学温度0°K 时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到 光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电, 成为自由电子。这一现象称为本征激发,也称热激发。 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位, 原子的电中 性被破坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电量相等,人们常称呈现正电性 的这个空位为空穴。 电子与空穴的复合 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的, 称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去, 称为复合,如图所示。本征激发和复 合在一定温并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体。如下图所 硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图 空A * 电 子为这些原子所共有,

半导体物理知识点及重点习题总结

基本概念题: 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础,试简要说明能带论所采用的理论方法。 答: 能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体的势场分布,进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。 单电子近似: 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似: 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案: 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型,如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式,进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数,而且某些能量区间能级是准连续的(被称为允带),另一些区间没有电子能级(被称为禁带)。从而利用量子力学的方法解释了能带现象,因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k 关系决定。 1.4本征半导体 既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。 1.4空穴 空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷,并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量,这样就引进了一个假想的

2020功率半导体行业现状及前景分析

2020年功率半导体行业现状及前景分析 2020年

目录 1.功率半导体行业概况及市场分析 (5) 1.1功率半导体行业定义及现状介绍 (5) 1.2功率半导体市场规模分析 (6) 1.3功率半导体市场运营情况分析 (7) 2.功率半导体行业发展趋势 (10) 2.1产业龙头重点布局汽车高端运用 (10) 2.2国产厂商崛起,资本助力功率半导体国产化 (10) 2.3用户体验提升成为趋势 (10) 2.4行业协同整合成为趋势 (11) 2.5服务模式多元化 (11) 2.6新的价格战将不可避免 (11) 2.7生态化建设进一步开放 (11) 2.8呈现集群化分布 (12) 3.功率半导体行业存在的问题分析 (13) 3.1行业服务无序化 (13) 3.2供应链整合度低 (13) 3.3基础工作薄弱 (14) 3.4产业结构调整进展缓慢 (14) 3.5供给不足,产业化程度较低 (14) 4.功率半导体行业政策环境分析 (16) 4.1功率半导体行业政策环境分析 (16)

4.3功率半导体行业社会环境分析 (16) 4.4功率半导体行业技术环境分析 (17) 5.功率半导体行业竞争分析 (18) 5.1功率半导体行业竞争分析 (18) 5.1.1对上游议价能力分析 (18) 5.1.2对下游议价能力分析 (18) 5.1.3潜在进入者分析 (19) 5.1.4替代品或替代服务分析 (19) 5.2中国功率半导体行业品牌竞争格局分析 (19) 5.3中国功率半导体行业竞争强度分析 (20) 6.功率半导体产业发展前景 (21) 6.1需求开拓 (21) 6.2延伸产业链 (21) 6.3新技术加持 (21) 6.4信息化辅助 (22) 6.5细分化产品将会最具优势 (22) 6.6功率半导体产业与互联网等产业融合发展机遇 (22) 6.7行业发展需突破创新瓶颈 (23) 7.功率半导体产业投资分析 (25) 7.1中国功率半导体技术投资趋势分析 (25) 7.2中国功率半导体行业投资风险 (26)

(整理)半导体基础知识.

1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程:自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子。 绝缘体导电性:极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构:半导体材料为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能:介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点: ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。 本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,

半导体基本知识

一、半导体基本知识 太阳电池是用半导体材料硅做成的。容易导电的是导体,不易导电的是绝缘体,即不像导体那样容易导电又不像绝缘体那样不容易导电的物体叫半导体,譬如:锗、硅、砷化缘等。 世界上的物体都是由原子构成的,从原子排列的形式来看,可以把物体分成2大类,晶体和非晶体。晶体通常都有特殊的外形,它内部的原子按照一定的规律整齐地排列着;非晶体内部原子排列乱七八糟,没有规则;大多数半导体都是晶体。半导体材料硅是原子共价晶体,在晶体中,相邻原子之间是以共用电子结合起来的。硅是第四族元素,硅原子的电子层结构为2、8、4,它的最外层的四个电子是价电子。因此每个硅原子又分别与相邻的四个原子形成四个共价键,每个共价键都是相邻的两个原子分别提供一个价电子所组成的。 如果硅晶体纯度很高,不含别的杂质元素,而且晶体结构很完美,没有缺陷,这种半导体叫本征半导体,而且是单晶体。而多晶体是由许多小晶粒聚合起来组成的,每一晶体又由许多原子构成。原子在每一晶粒中作有规则的整齐排列,各个晶粒中原子的排列方式都是相同的。但在一块晶体中,各个晶粒的取向(方向)彼此不同,晶粒与晶粒之间并没有按照一定的规则排列,所以总的来看,原子的排列是杂乱无章的,这样的晶体,我们叫它多晶体。 半导体有很特别的性质:导电能力在不同的情况下会有非常大的差别。光照、温度变化、适当掺杂都会使半导体的导电能力显著增强,尤其利用掺杂的方法可以制造出五花八门的半导体器件。但掺杂是有选择的,只有加入一定种类和数量的杂质才能符合我们的要求。 我们重点看一下硼和磷这两种杂质元素。硼是第三族主族元素,硼原子的电子层结构为2、3,由于硼原子的最外电子层只有三个电子,比硅原子缺少一个最外层电子,因此当硼原子的三个最外层价电子与周围最邻近的三个硅原子的价电子结合成共价键时,在与第四个最邻近的硅原子方向留下一个空位。这个空位叫空穴,它可以接受从邻近硅原子上跳来的电子,形成电子的流动,参与导电。硼原子在硅晶体中起着接受电子的作用,所以叫硼原子为受主型杂质。掺有受主型杂质的半导体,其导电率主要是由空穴决定的,这种半导体又叫空穴型或P型半导体。 磷是周期表中第五族元素,磷原子的电子层结构为2、8、5,它的最外层的五个电子是价电子。由于磷原子比硅原子多一个最外层电子,因此当磷原子的四个价电子与周围最邻近的四个硅原子的价电子形成共价键后,还剩余一个价电子。这个价电子很容易成为晶体中的自由电子参与导电。磷原子在硅晶体中起施放电子的作用,所以叫磷原子为施主型杂质。掺有施主型杂质的半导体,其导电率主要是由电子决定的,这种半导体又叫电子型半导体或n型半导体。 二、扩散基本知识 我们知道,太阳能电池的心脏是一个PN结。我们需要强调指出,PN结是不能简单地用两

半导体物理重点

半导体重点 第一章 1.能带论:用单电子近似的方法研究晶体中电子状态的理论成为能带论。 2.单电子近似:即假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动的。 3.金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的,所以金属是良好的导体。半导体中,如图所示,下面是被价电子占满的满带,亦称价带,中间为禁带,上面是空带,当温度升高,或者有光照的时候,满带中有少量电子可能被激发到上面的空带中去,此时半导体就能导电了。在半导体中导带的电子和价带的空穴均参与导电,金属中只有电子导电。 4.电子公有化运动:当原子相互接近形成晶体是,不同原子的相似壳层之间就有了一定程度的交叠,电子不再完全局限在一个原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而,电子可以在整个晶体中运动,这种运动就称为电子的共有化运动。 第二章 1.施主杂质:在Si,Ge中电离是能够施放电子而产生导电电子,并形成正电中心的杂质。常见V族杂质有:P,As,Sb

2.受主杂质:在Si,Ge中电离是能够接收电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质。 常见的III族杂质:B,Al,Ga,In 3.深能级:非III,V族杂质在Si,Ge的禁带中产生的施主能级距导带底较远,产生的受主能级距价带顶也较远,通常称这种能级为深能级,相应的杂质为深能级杂质。 作用:这些深能级杂质能够产生多次电离,每一次电离相应的有一个能级。因此这些杂质在Si,Ge的禁带中往往引入若干个能级,而且有的杂质既能产生施主能级,又能产生受主能级。对于载流子的复合作用比前能级杂质强,Au是一种很典型的复合中心,在制造高速开关器件是,常有意掺入Au以提高器件的速度。 4.补偿作用:在半导体中,施主和受主杂质之间的相互抵消的作用称为杂质的补偿。 (1)当N >>N :为n型半导体,(2)当N >>N :为P型半导体,(3)N >>N 时,施主电子刚好填充受主能级,虽然杂质很多,但不能向导带和价带提供电子和空穴,这种现象称为杂质的高度补偿。 利用杂质的补偿作用,可以根据需要用扩散或者离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型,以制成各种器件。

面试问题大全及答案

一、自我展示方面 1、怎样做好一分钟自我介绍? 在自我介绍时要简洁,突出你应聘该单位的动机和具备什么样的素质可以满足对方的要求。表述方式上尽量口语化,要切中要害,不谈无关、无用的内容;条理要清晰,层次要分明。 首先必须知道你能带给单位带来什么好处,最理想就是能够“展示”过去的成就,包括工作模式、优点、技能,突出成就、专业知识、学术背景等。 好处众多,但只有短短一分钟,所以一切还是与该工作有关的好。尽量令声音听来流畅自然,充满自信。身体语言也是重要的一环,尤其是眼神接触。单位最希望知道的是求职者能否胜任工作,包括:最强的技能、最深入研究的知识领域、个性中最积极的部分、做过的最成功的事,主要的成就等,这些都可以和学习无关,也可以和学习有关,但要突出积极的个性和做事的能力,说得合情合理企业才会相信 2、请用最简洁的语言描述您从前的工作经历和工作成果。 考察要点:测试应聘者是否能够用几句话概要地介绍其主要的工作信息和重点业绩,而不是以流水帐的形式重复履历表有已经注明的内容。通过回答可以考察应聘者的语言表达能力、仪表神态、目光注视程度、肢体语言等方面。 3、你有什么优缺点 充分介绍你的优点,但最好少用形容词,而用能够反映你的优点的事实说话。乐于助人和关心他人 介绍缺点时可以从大学生普遍存在的弱点方面介绍,例如缺少社会经验。4、你工作经验欠缺,如何能胜任这项工作? 作为应届毕业生,在工作经验方面的确会有所欠缺,但我有较强的责任心、适应能力和学习能力,而且比较勤奋,通过学习和努力,我一定能胜任这个职位。 5、最能概括你自己的三个词是什么? 适应能力强,有责任心和做事有始终,结合具体例子向主考官解释。 6、说你的家庭? 我很爱我的家庭,我的家庭一向很和睦,我就看到我父母每天工作特别勤奋,他们的行动无形中培养了我认真负责的态度和勤劳的精神。我父母为人善良,对

半导体物理知识点总结

半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电子的状态和能带特点,在讲解半导体中电子的运动时,引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构,引入了空穴散射的概念。最后,介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节,半导体的几种常见晶体结构及结合性质。(重点掌握)在1.2节,为了深入理解能带的形成,介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点,并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较,在此基础上引入本征激发的概念。(重点掌握)在1.3节,引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。(重点掌握)在1.4节,阐述本征半导体的导电机构,由此引入了空穴散射的概念,得到空穴的特点。(重点掌握)在1.5节,介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。(理解即可)在1.6节,介绍Si、Ge的能带结构。(掌握能带结构特征)在1.7节,介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构,主要了解GaAs的能带结构。(掌握能带结构特征)本章重难点: 重点: 1、半导体硅、锗的晶体结构(金刚石型结构)及其特点; 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同:孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动,自由电子是在恒定为零的势场中运动,而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动(共有化运动),单电子近似认为,晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动,这个势场也是周期性变化的,而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂,是形成半导体能带的原因,半导体能带的特点: ①存在轨道杂化,失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带,上能带称为导带,下能带称为价带②低温下,价带填满电子,导带全空,高温下价带中的一部分电子跃迁到导带,使晶体呈现弱导电性。

【发展战略】我国半导体产业的现状和发展前景

五、半导体篇 ——我国半导体产业的现状和发展前景 电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业,微电子技术是其中的核心技术之一(另一个是软件技术)。现代电子信息技术,尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力,来自于半导体元器件的技术突破,每一代更高性能的集成电路的问世,都会驱动各个信息技术向前跃进,其战略地位与近代工业化时代钢铁工业的地位不相上下。 当前,世界半导体产业仍由美国占据绝对优势地位,日本欧洲紧随其后,韩国和我国台湾地区也在迅速发展。台湾地区半导体工业已成为世界最大的集成电路代工中心,逐步形成自己的产业体系。 我国的微电子科技和产业起步在50年代,仅比美国晚几年。计划经济时期,由于体制的缺陷和其间10年“文革”,拉大了和国际水平的差距。进入80年代,我国面对国内外微电子技术的巨大反差和国外对我技术封锁,我们没有能够在体制和政策上及时拿出有效应对措施。国有企业无法适应电子技术的快节奏进步,国家协调组织能力下降,科研体制改革缓慢,以致1980~1990年代我国自主发展半导体产业的努力未获显著效果。 “市场‘开放’后,集成电路商品从合法、不合法渠道源源涌入,集成电路所服务的终端产品,以整机或部件散装的形式,也大量流入,但人家确实考虑到微电子的战略核心性质,死死卡住生产集成电路的先进设备,不让进口,在迫使我们落后一截,缺乏竞争力的同时,又时刻瞄准我们科研与生产升级的潜力,把我们的每一次进步扼杀在萌芽状态,冲垮科技能力,从外部加剧我们生产与科研的脱节,迫使我们不得不深深依赖他们。……我们的产业环境又多多少少带有计划色彩,不能很快与国际接轨,其中特别是对微电子产业发展有重大影响的企业制度、资本市场、税收政策、科研体制等,又不适应市场经济要求,使得我们在国际竞争中缺乏活力”。1 20世纪90年代,我国半导体产业的增长速度达到30%以上,但其规模仅占世界半导体子产业的1%,仅能满足大陆半导体市场的不足10%。即使“十五”期间各地计划的项目都能如期实施,到2005年,我国半导体产业在世界上的份额,顶多占到2%~3%。自己的设计和制造水平和国际先进水平的差距很大,企业规模小、重复分散、缺乏竞争力,基本上是跨国公司全球竞争战略的附庸,自己的产业体系还没有成形。 我国半导体产业如此落后的现状,使得我国的经济、科技、国防现代化的基础“建筑在沙滩上”。在世界微电子技术迅猛发展的情况下,我国如不努力追赶,就会在国际竞争中越来越被动,对我国未来信息产业的升级和市场份额的分配,乃至对整个经济发展,都可能造成十分不利的影响。形势逼迫我国必须加快这一产业的发展。“十五”计划中,加快半导体产业的发展被放在重要地位,这是具有重大意义的。 发展中国家要追赶国际高科技产业的步伐,一般都会面临技术、资金、管理、市场的障碍。高科技的产业化是一个大规模的系统工程,需要科研和产业的紧密结合,以及各部门的有效协调,而这些都不是单个企业所能跨越得过去的。在市场机制尚未成熟到有效调动资源的情况下,高层次的组织协调和扶持是必需的。构建具有较高透明度的政策环境和市场环境。有助于鼓励高科技民营企业进入电路设计业领域,鼓励生产企业走规模化和面向国内市场自主开发的路子,形成产业群体。 1许居衍院士,2000年。

智力问答:趣味的智力题大全及答案

智力问答:趣味的智力题大全及答案 1. 一溜十仨缸,担二八斗糠,缸缸都装满,不许有剩糠。 问:每个缸平均装多少糠? 2. 鸡狗四十九,一百条腿地上走。 问:多少只鸡?多少只狗? 3. 一百和尚一百馍,大和尚一个吃仨,小和尚仨吃一个。 问:几个大和尚?几个小和尚? 4. 黄瓜一担,孩子一院,每人一根黄瓜,一个孩子没有黄瓜,两个孩子一根黄瓜,剩余一根黄瓜。 问:几根黄瓜?几个孩子? 5. 一百牲口一百瓦,骡驮仨,马驮俩,三个毛驴驮一个瓦。 问:骡、马、驴各多少匹? 6. 两个老婆去上坟,同哭一个墓中人,一个哭她女儿的女婿,一个哭她女儿的女婿的老丈人。 问:这两个老婆是什么关系? 7. 他舅你来了,搬个凳子快坐下,咱姐你姐夫,同去看咱妈。你从那路来,为何没见她? 问:主人和来客是什么关系? 8. 一艘小船,只能承载5个人。四个警察带着两个坏蛋上船后,船却没有沉。问:这是什么原因?

9. 一艘轮船停在港口,水面离甲板的高度只有一米,海水第一个 小时上涨0.2米,第二个小时下降0.1米。第三个小时又上涨0.2米,第四个小时再下降0.1米,以此类推。 问:几个小时水面能和甲板涨平? 10. 侦察员要到河对岸执行任务,从桥的一头到另一头需用5分钟。对面桥头敌人的哨兵看的很紧,只要看见桥上有人,就会马上叫 他回去,绝对不会让他继续向前走。侦察员必须利用敌哨兵换岗的间 隙走过河去。而敌哨兵换岗的间隙仅有3分钟。侦察员不但顺利的过 了河,而且圆满完成了任务。 问:侦察员是怎么过去河的? 答案: 每个缸平均装1斗。(一溜理解为:1+6=7,十仨是13,7加上13,是20个缸; 担二是12斗,加上8斗,即20斗。) 48只鸡,1只狗。 25个大和尚,75个小和尚。 3根黄瓜,4个孩子。 骡5,马32,驴63。(5乘以3=15, 32乘以2=64,, 63除以3=21,15+64+21=100, 5+32+63=100)。 母女关系。 小老婆和大老婆的娘家弟弟。 坏蛋不是人,是坏了的蛋。 水涨船高,永远不能。 桥过了二分之一以后掉头向后走,敌人换岗发现后,自然会叫他 返回来的,这样就能顺利过桥了。

半导体基础知识学习

我们知道,电子电路是由晶体管组成,而晶体管是由半导体制成的。所以我们在学习电子电路之前, 一定要了解半导体的一些基本知识。 这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识,它是本课程的基础,我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节,它们分别是: 1、1 半导体的基础知识 1、2 PN结 1、3 半导体三极管 1、1 半导体的基础知识 我们这一章要了解的概念有:本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。一:本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有:硅和锗。它们都是四价元素,原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴,它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下;如图(1)所示:图中的虚线代表共价键。 在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流; 同时价电子也按一定的方向一次填补空穴,从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。 因此,在晶体中存在两种载流子,即带负电自由电子和带正电空穴,它们是成对出现的。二:杂质半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性,这种半导体被称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中,掺入5价元素,使晶体中某些原子被杂质原子所代替,因为杂质原子最外层有5各价电子,它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是,电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数,与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 2.P型半导体 在本征半导体中,掺入3价元素,晶体中的某些原子被杂质原子代替,但是杂质原子的最外层只有3个价电子,它与周围的原子形成共价键后,还多余一个空穴,因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中,自由电子是少数载流子,空穴使多数载流子。 1、2 P—N结

半导体行业发展趋势分析

半导体行业发展趋势分析 新型计算架构浪潮推动,中国半导体产业弯道超车机会来临

核心观点: ●2018,半导体市场供需两旺,中国市场迎弯道超车机遇 需求端新市场新应用推动行业成长:1)比特币市场的火爆带动矿机需求快速增加,ASIC 芯片矿机凭借设计简单,成本低,算力强大等优势被大量采用。国内ASIC 矿机芯片厂商比特大陆、嘉楠耘智、亿邦股份自身业绩高增长的同时,其制造与封测环节供应商订单快速增长。2)汽车电子、人工智能、物联网渐行渐近,带动行业成长。供给端国内建厂潮加剧全球半导体行业资本开支增长,上游确定性受益。 ● 1 月半导体行情冰火两重天 A 股市场:18 年1 月以来(至1 月26 日)申万半导体指数下跌9.03%,半导体板块跑输电子行业5.9 个百分点,跑输上证综指16.59 个百分点,跑 输沪深300 指数17.72 个百分点;其中制造(-5.59%)>封装(-5.64%)> 分立器件(-5.66%)>存储器(-5.85%)>设计(-7.34%)>设备(-9.57%)> 材料(-11.17%);估值大幅回落。海外市场:费城半导体指数上涨6.79%,创历史新高,首次超过2001 年最高值;矿机及人工智能带动GPU 需求量增长,英伟达作为全球GPU 龙头深度受益,1 月以来(至1 月26 日)股价上涨22.14%;设备龙头整体上涨。 ●12 月北美半导体设备销售额创历史新高,存储芯片价格平稳波动 根据WSTS 统计,11 月全球半导体销售额达376.9 亿美金,同比增长21.5%,环比增长1.6%,创历史新高。其中北美地区半导体11 月销售额87.7 亿美金,同比增长40.2%,环比增长2.6%,是全球半导体销售额增长最快区域。分版块看,12 月北美半导体设备销售额23.88 亿美金,同比增长27.7%,环比增长16.35%,创历史新高;存储芯片价格1 月以来(至1 月26 日)价格 波动。 ●投资建议 我们认为国内IC 产业进入加速发展时期,由市场到核“芯”突破这一准则不断延续,从智能手机领域起步,未来有望在人工智能、汽车电子、5G、物联网等新兴市场实现加速追赶。本月重点推荐卡位新兴应用市场,业绩快速成长的华天科技、长电科技,建议关注通富微电;同时下游资本开支扩张带给上游设备领域的投资机会,建议关注北方华创、长川科技。

面试问题大全及答案大全

面试问题大全及答案大全 1、你担任过什么职务或参加过什么活动 可以介绍一下你的实习、社会调查、社团活动、勤工俭学等方面的情况以及取得的成绩。最好还能介绍你在这些活动中取得的实际工作经验对你今后工作的重要性,它能说明你是一个善于学习的人。 2、请用最简洁的语言描述您从前的工作经历和工作成果。 考察要点:测试应聘者是否能够用几句话概要地介绍其主要的工作信息和重点业绩,而不是以流水帐的形式重复履历表有已经注明的内容。通过回答可以考察应聘者的语言表达能力、仪表神态、目光注视程度、肢体语言等方面。 3、你有什么优缺点 充分介绍你的优点,但最好少用形容词,而用能够反映你的优点的事实说话。 乐于助人和关心他人 介绍缺点时可以从大学生普遍存在的弱点方面介绍,例如缺少社会经验。 4、你工作经验欠缺,如何能胜任这项工作? 作为应届毕业生,在工作经验方面的确会有所欠缺,但我有较强的责任心、适应能力和学习能力,而且比较勤奋,通过学习和努力,我一

定能胜任这个职位。 5、最能概括你自己的三个词是什么? 适应能力强,有责任心和做事有始终,结合具体例子向主考官解释。 6、说你的家庭? 我很爱我的家庭,我的家庭一向很和睦,我就看到我父母每天工作特别勤奋,他们的行动无形中培养了我认真负责的态度和勤劳的精神。我父母为人善良,对人热情,特别乐于助人,他们的一言一行也一直在教导我做人的道理。 7、认为你在学校属于好学生吗? 是的,我的成绩很好、思想道德、实践经验、团队精神、沟通能力都是不错的,并且我还参加了许多科研活动、发表了论文。我在学生会组织过××活动,锻炼了我的团队合作精神和组织能力。 8、你对薪资的要求? 我对工资没有硬性要求,按照单位的标准安排就可以了。我更注重单位的学术氛围。 9、你如何评价你的大学生活 大学是由孩子到成人的过渡,也是对社会的提前适应,大学不单纯是学习的地方,从一定程度来说,是自身多种能力的准备与锻炼阶段,除了学习,还学会了做人做事,讲话,为自己的未来搭建桥梁。

第一章半导体基础知识(精)

第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管(BJT和FET)的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲,每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同,电工材料可分为三类:导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料,半导体的电阻率为10-3~10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化;往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时,会使它的导电能力具有可控性;这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”,它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发(也称热激发)。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡,此时,载流子浓度一定,且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可形成空穴电流,因此,在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子(即载流子),这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电,而电子的运动与空穴的运动方向相反,因此认为空穴带正电。

半导体物理知识点梳理

半导体物理考点归纳 一· 1.金刚石 1) 结构特点: a. 由同类原子组成的复式晶格。其复式晶格是由两个面心立方的子晶格彼此沿其空间对角线位移1/4的长度形成 b. 属面心晶系,具立方对称性,共价键结合四面体。 c. 配位数为4,较低,较稳定。(配位数:最近邻原子数) d. 一个晶体学晶胞内有4+8*1/8+6*1/2=8个原子。 2) 代表性半导体:IV 族的C ,Si ,Ge 等元素半导体大多属于这种结构。 2.闪锌矿 1) 结构特点: a. 共价性占优势,立方对称性; b. 晶胞结构类似于金刚石结构,但为双原子复式晶格; c. 属共价键晶体,但有不同的离子性。 2) 代表性半导体:GaAs 等三五族元素化合物均属于此种结构。 3.电子共有化运动: 原子结合为晶体时,轨道交叠。外层轨道交叠程度较大,电子可从一个原子运动到另一原子中,因而电子可在整个晶体中运动,称为电子的共有化运动。 4.布洛赫波: 晶体中电子运动的基本方程为: ,K 为波矢,uk(x)为一个与晶格同周期的周期性函数, 5.布里渊区: 禁带出现在k=n/2a 处,即在布里渊区边界上; 允带出现在以下几个区: 第一布里渊区:-1/2a

功率半导体行业格局和产业趋势(深度)

功率半导体行业格局和产业趋势(深度) 功率半导体是大国重器,战略地位突出 在半导体产业中,功率半导体产值在 180-200 亿美金。功率半导体是我国汽车工业、高铁、空调洗衣机、电网输电等系统应用的上游核心零部件,战略地位突出。 功率半导体产品形态多种多样,几乎所有与电力能源相关的产品都需要用到功率半导体器件。按照年产值贡献口径,IGBT、MOSFET、二极管及整流桥是功率半导体最主要的三个产品类别,占据功率半导体八成左右市场。 国家大基金秉承支持半导体产业战略使命,功率半导体领域必将鼎力支持集成电路国家大基金承担着支持半导体产业发展的历史使命。 功率半导体是半导体产业中产值高达 200 亿美金的大板块,是关系着高铁动力系统、汽车动力系统、消费

及通讯电子系统等领域能否实现自主可控的核心零部件。功率半导体战略地位突出,国家大基金必将全力支持。 回顾过去 3 年国家大基金的投资历史,集中投资行业细分龙头企业是大基金一贯始终的投资策略。 我们认为在资本助力下,我国功率半导体龙头企业将加速整合海外优质资源,加速向中高端市场迈进的进程。 行业格局解析:高端市场欧美日把控,中低端市场大陆厂商站稳脚跟

IGBT 产业格局 全球功率半导体巨头主要集中美国、欧洲、日本三个地区。大陆、台湾地区厂商主要集中在二极管、晶闸管、低压 MOSFET 等低端功率器件领域,IGBT、中高压MOSFET等高端器件主要由欧美日厂商占据。 全球 IGBT 器件及模块 2015 年销售额 39.44 亿美金,德国英飞凌及赛米控(semikron),日本三菱及富士电机,美国仙童半导体基本把控了全球 IGBT 市场,前五大厂商占据了 73.2%的市场份额。 MOSFET 产业格局 2015 年功率 MOSFET 市场产值达到 54.84 亿美金,英飞凌、仙童半导体、日本瑞萨电子、欧洲意法半导体、日本东芝等厂商占据了绝大部分市场份额,前五大厂商的市场占有率合计达到了 60.1%。 二极管产业格局 据世界半导体贸易组织数据,全球功率二极管及整流桥市场容量约为 368 亿元人民币。IGBT 及 MOSFET 市

智力问答:智力题大全及答案

智力问答:智力题大全及答案 1、发散思维训练题出售水果和图书 有个国家的法律规定,星期天只能够出售水果这种有时间性、易 变质的商品,而出售像图书这种短期内不会失去效用性的商品是违反的。那么应该怎么做才能在星期天把两种商品都合法的卖出去呢? 答案:商店能够把水果价钱提升,每次购买就赠送一些图书。 2、30秒内通过峡谷 如果你闯到这关我不得不承认你很聪明,一条河分隔出一个峡谷,峡谷上有一根圆木(可承重2人)可通过峡谷。一群朋友在峡谷的左边,还有另外一个难题,火把只能坚持30秒,你必须让所有人穿过峡谷, 需要注意的是如果火把到达峡谷的另一边,必须有人把火把送回来, 人物头顶上的数字就是他们穿越峡谷需要的时间。如下图。 答案:不对~应该是1和12先过去,然后8上来~考虑到不能反超 ~共用时12秒。然后1去接6,此时用时13秒。14秒时,3再上去~和 6一起到达~用时共19秒 3、猫抓老鼠数学智力题 一只猫发现离它10步远的前方有一只老鼠在奔跑,猫便紧追。猫 的步子大,它跑5步的路程,老鼠要跑9步。但是老鼠的动作频率快,猫跑2步的时间,老鼠能跑3步。 请问:按照这种速度,猫能追得上老鼠吗?如果能,它要跑多少步 才能追到。 答案:能,要跑60步才能追上老鼠。 4、把蛋糕切成相等的两块

有一个长方形蛋糕,切掉了长方形的一块(大小和位置随意),你 怎样才能直直的一刀下去,将剩下的蛋糕切成大小相等的两块? 答案:将完整的蛋糕的中心与被切掉的那块蛋糕的中心连成一条线。这个方法也适用于立方体。请注意,切掉的那块蛋糕的大小和位 置是随意的,不要一心想着自己切生日蛋糕的方式,要跳出这个圈子。 5、扔鸡蛋计算不会碎的楼层 鸡蛋可能非常易碎,也可能异常坚韧。这意味着,如果在第1层 扔下鸡蛋,鸡蛋或许会碎裂,从第100层扔下鸡蛋,鸡蛋或许安然无恙。这两只鸡蛋一模一样。 你需要计算出,从哪层楼扔下时,鸡蛋不会碎?问题是,最少扔几 次能保证找出那个楼层?(整个过程中,最多只允许你打碎两个鸡蛋, 如果你打碎三个鸡蛋就算任务失败) 答案:其实这个问题有好多策略能够解。 1. 一个鸡蛋就够了, 从一楼开始试,平均次数50.5。 2. 二分查找,然后从一楼开始试, 平均次数26.49 非解。但是鸡蛋充足多时有解。 3. 还有其他策略。

半导体物理学第七章知识点

第7章 金属-半导体接触 本章讨论与pn 结特性有很多相似之处的金-半肖特基势垒接触。金-半肖特基势垒接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一: §7.1金属半导体接触及其能级图 一、金属和半导体的功函数 1、金属的功函数 在绝对零度,金属中的电子填满了费米能级E F 以下的所有能级,而高于E F 的能级则全部是空着的。在一定温度下,只有E F 附近的少数电子受到热激发,由低于E F 的能级跃迁到高于E F 的能级上去,但仍不能脱离金属而逸出体外。要使电子从金属中逸出,必须由外界给它以足够的能量。所以,金属中的电子是在一个势阱中运动,如图7-1所示。若用E 0表示真空静 止电子的能量,金属的功函数定义为E 0与E F 能量之差,用W m 表示: FM M E E W -=0 它表示从金属向真空发射一个电子所需要的最小能量。W M 越大,电子越不容易离开金属。 金属的功函数一般为几个电子伏特,其中,铯的最低,为1.93eV ;铂的最高,为5.36 eV 。图7-2给出了表面清洁的金属的功函数。图中可见,功函数随着原子序数的递增而周期性变化。 2、半导体的功函数 和金属类似,也把E 0与费米能级之差称为半导体的功函数,用W S 表示,即 FS S E E W -=0 因为E FS 随杂质浓度变化,所以W S 是杂质浓度的函数。 与金属不同,半导体中费米能级一般并不是电子的最高能量状态。如图7-3所示,非简并半导体中电子的最高能级是导带底E C 。E C 与E 0之间的能量间隔 C E E -=0χ 被称为电子亲合能。它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 利用电子亲合能,半导体的功函数又可表示为 )(FS C S E E W -+=χ 式中,E n =E C -E FS 是费米能级与导带底的能量差。 图7-1 金属中的电子势阱 图7-2 一些元素的功函数及其原子序数 图7-3 半导体功函数和电子亲合能

2021年半导体产业发展十大趋势

2021年半导体产业发展十大趋势 每年年末的预测已经越来越难写,尤其是回望2020年所发生的一切,再对比2019年底的一些预测分析,发现全球半导体产业发展受国际宏观政经形势影响越来越大,导致频频出现无法预见的“黑天鹅”现象,这给每年的展望和预判带来了极大的难度。2020年新冠肺炎导致许多国家陷入深度衰退,上半年由于市场需求和供应、以及国际物流和贸易基本中断,给全球半导体产业带来不小打击,增长规模持续收缩。而下半年随着经济复苏的步伐逐渐加快,加之华为在被切断全球合作网络之前的囤货因素,为全球半导体的恢复性增长提供了强大动力。 预计2020全年半导体产业依旧能维系1%-5%的正增长,而由于对未来一年国际政经环境、供应链合作以及新冠疫情的更为正面的预期,业界普遍也对2021年的全球半导体产业发展前景更为乐观。 (一)全球半导体产业预期增长,但新冠疫情和中美关系走向仍使行业增长面临变数 IMF世界经济展望给出的最新预测是2021年全球经济增长5.2%,这对全球半导体行业而言无疑是一个乐观的指向,毕竟这个行业与全球经济增长息息相关。Gartner 对于2021年的半导体行业给出了接近10%的增长预期,WSTS给出了6.2%的增速判断,还有两家市场机构更为乐观,预测2021年的行业增速会达到12%-14%。

图源:WSTS 从目前来看,2021年全球半导体行业是否如这些机构预测一般进入快速增长轨道,依然面临着如下变数:第一是美国大选之后的中美关系走向和国际经贸政策是否会发生变化。第二是新冠疫情的演进方向。目前来看,全球的疫情演进仍不乐观。当然从2020年三、四季度全球前10大半导体企业的业绩指引来看,目前全行业开始

问答题及答案

问答题及答案

问答题: 1. 简述候选码和主码的定义及二者的联系。 答案:{ a)候选键(candidate key):不含有多余属性的超键称为候选键。 b)候选键可以有多个; c)主键(primary key):用户选作元组标识的一个候选键称为主键。 d)主键是候选键中一个. } 2. 简述数据库系统如何实现应用程序与数据之间物理独立性和逻辑独立性。 a)数据库系统内部采用三级模式、两级映像的结构来实现数据与应用之间的独立性。 b)当数据的物理结构改变时,通过修改模式/内模式的映像关系,可以使外模式不变,从而实现应用与数据的物理独立性。 c)当数据的逻辑结构改变时,通过修改外模式/模式的映像关系,可以保证外模式不便,实现应用与数据的逻辑独立性。 } 3. 简述索引的优点?(至少3种) 答案:{ a)有了索引,可以极大提高系统的检索性能,可以大大加快数据的检索速度,这也是创建索引的最主要原因; b)通过创建唯一性索引,可以确保表中每一行数据的唯一性; c)可以加速表与表之间的连接,特别有利于实现数据的参照完整性; d)在使用分组子句和排序子句进行数据检索时,可以显著提高查询中分组和排序的效率。 } 5. 试述SQL语言的功能分类? 答案:{ SQL语言的功能可分为四部分: a)数据定义功能; b)数据控制功能; c)数据查询功能; d)数据操纵功能。 }

6. 简述关系模型的三类完整性约束及其实现? 答案:{ a)实体完整性约束;primary key b)参照完整性约束;foreign key c)用户自定义的完整性约。Not null, check, unique, default } 8. 基本的封锁类型有几种?试叙述它们的含义。 答案:{ a)两种:共享锁和排它锁; b)共享锁指若事务T给数据对象A加了S锁,则事务T可以读A,但不能修改A,其他事务只能再给A加S锁,而不能加X锁,直到T释放了A上的S锁为止。 c)排它锁指若事务T给数据对象A加了X锁,则T可以读取和修改A,但其它事务不能给A加任何类型的锁和进行任何操作。 } 9. 简述数据库设计的基本步骤? 答案:{ a)需求分析:需求收集和分析,给出数据字典和数据流图; b)概念结构设计:设计概念结构,给出基本E-R图; c)逻辑结构设计:设计逻辑结构,给出与具体DBMS所支持的逻辑模型相符合的逻辑结构; d)物理结构设计:为给定的逻辑数据模型选取一个最适合应用要求的物理结构,进行评价; e)数据库实施:数据的载入和应用程序的调试; f)数据库的运行和维护:数据库试运行、运行之后,要对数据库进行各种维护。 } 10. 试述数据库系统的三级模式结构及二级映象功能?答案:{ a)模式也称逻辑模式,是数据库中全体数据的逻辑结构和特征的描述; b)外模式也称子模式,是数据库用户能够看见和使用的数据的逻辑结构和特征的描述; c)内模式也称存储模式,是数据物理结构和存储方式的描述; d)三级模式之间提供了两层映象:外模式/模式映象、模式/内模式映象,这两层映象保证了数据库系统中的数据能够具有较高的逻辑独立性和物理独立性。

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