习题(10-16章)
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1 练习一 电子电路中的常用元件
第一部分 半导体基础知识 二极管
一、填空
1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。
2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。
3、如图，这是 材料的二极管的____
曲线，在正向电压超过 V
后，二极管开始导通，这个电压称为
电压。正常导通后，此管的正向压降约
为 V。当反向电压增大到 V时，
即称为 电压时，反向电流会急剧
增大，该现象为 。若反向电压
继续增大，容易发生 现象。其中
稳压管一般工作在 区。
4、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过
_____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。
5、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。
6、PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到
时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。
7、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。
9、稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻rZ越大，说明稳压性能越 。
10、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。
11、如图，V1、V2为理想二极管。
I(mA)
V(v) 0
0.5 -50 2
V1状态 ，V2状态 。
VAB= V
12、如图，V为理想二极管。
V状态 ，
VAB= V
13、图中，V为硅二极管。
1)S与A接通时，
V的状态 ，VMN= V
2)S与B接通时，
V的状态 ，VMN= V
14、如图，V1、V2为硅稳压二极管，若Vi足够大，则输出电压
VO= V
二、判断题
1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（ ）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（ ）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
4、（ ）硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。
5、（ ）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。
6、（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
7、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。
8、（ ）二极管正向使用时不能稳压。 A
B V1
V2 1K 12V
6V
R V
12V A
B 6V
R
7V
7V VI Vo + +
- - R
10V 10V
A B M
N V
S 3 12、（ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。
13、（ ）稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。
14、（ ）稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。
15、（ ）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。
三、单项选择题
1、（ ）关于晶体二极管的正确叙述是：
A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
2、（ ）如图，电源接通后，正确说法为
A H1、H2、H可能亮。
B H1、H2、H都不亮。
C H1可能亮，H2、H不亮。
D H1不亮，H2、H可能亮。
3、（ ）如图，V为理想二极管
A V导通，VAB=0V。
B V导通，VAB=15V。
C V截止，VAB=12V。
D V截止，VAB=3V。
4、（ ）如图，V为理想二极管
A V截止，VAB=12V。
B V导通，VAB=6V。
C V导通，VAB=18V。
D V截止，VAB=0V。
5、（ ）二极管两端加上正向电压时
A 一定导通 B 超过死区电压才能导通
B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通
6、（ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会：
A 变大 B 变小 C 不变化 D 不能确定
四、分析判断题
1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当VI足够大时，计算各VO值。
3K
12V V
A
B 15V
3K V
12V A
B 6V 4
VO=________________ VO=__________
VO=________________ VO=_______________
2、如图，V1、V2为理想二极管。
VAB= S合上时，VP=
S断开时，VP=
3V R V1
12V A
B Vo R
8V
7.5V VI + +
- - Vo R
8V
7.5V VI + +
- -
Vo R
8V
7.5V VI + +
- - Vo R
8V
7.5V VI + +
- -
+12V +3V
R V2
S P 5 练习二 电子电路中的常用元件
第二部分 晶体三极管
一、填空
1、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 ；另一个叫做 。
2、晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是 。IC/IB的比值是 ，∆IC/IB的比值叫 。
3、硅晶体三极管的饱和压降约为 V，锗晶体三极管的饱和压降约为 V。
4、硅晶体三极管发射结的导通电压约为 V，锗晶体三极管发射结的导通电压约为 V。
5、NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。
6、若晶体三极管集电极输出电流IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则其输入电流IB= mA。
7、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管 ，所以热稳定性 三极管较好。
8、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。
9、三极管的三个主要极限参数是 、 和 。它们在输出特性曲线上围成的能正常工作的区域称为 区。
10、三极管在电路中的基本连接方式有 、 和 。
11、ICEO成为三极管的 ，它反映了三极管的 ；饱和压降记为 。
12、三极管的输出特性曲线可分成三个区域，即 区、 区和 区。当三极管工作在 区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在 区时，IC≈0；当三极管工作在 区时，VCE≈0。
13、晶体三极管是利用输入电流控制输出电流的器件，称为 控制型器件，而场效应管是 器件，它有 和 场效应管两种。
14、PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中 极电位最高， 极电位最低。
二、判断题
1、（ ）硅材料和锗材料都可以用来制造NPN型或PNP型三极管。
2、（ ）同一个三极管，在同等条件下，β和 相差较大。 β 6 3、（ ）β越大的三极管，放大电流的能力越强，管子的性能越好。
4、（ ）ICBO成为三极管的穿透电流，选管时要求ICBO越小越好。
5、（ ）严格的讲，三极管当IB=0时，IC也为0。
6、（ ）三极管的β值与IC的大小有关，IC越大β值也越大，β值越大越好。
7、（ ）ICEO受温度影响较大，ICEO大的三极管工作性能不够稳定。
8、（ ）场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻。
