当前位置：文档之家 › 《模拟电子技术基础》A卷及答案

《模拟电子技术基础》A卷及答案

  • 格式：doc
  • 大小：5.40 MB
  • 文档页数：34

一、选择题 1.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ； A、电流负反馈 B、电压负反馈 C、直流负反馈 D、交流负反馈

2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真，下半周失真时为____ A ____失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率

3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____ A、5v B、9v C、12v D、8v

4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 A、β B、β2 C、2β D、1+β

5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是____C____。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、A、B、C均可

6.集成运放的互补输出级采用 B 。 A、共基接法 B、共集接法 C、共射接法 D、差分接法

7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。 A、正向导通 B、反向截止 C、饱和 D、反向击穿

8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。 A、放射结正偏，集电极正偏 B、放射结正偏，集电极反偏 C、放射结反偏，集电极正偏 D、放射结反偏，集电极反偏

9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为 A 。

A、60 B、61 C、100 D、50

10.射极输出器的特点是 C 。 A、。uA＜1，输入电阻小，输出电阻大 B、。uA＞1，输入电阻大，输出电阻小 C、。uA＜1且 。uA≈1，输入电阻大，输出电阻小 D、。uA＞1，输入电阻小，输出电阻大 11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压稳定

12.对于结型场效应管，当| uGS | ＞ | UGS（off） | 时，管子一定工作在 C 。 A、恒流区 B、可变电阻区 C、截止区 D、击穿区

13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。 A、AF=1 B、1。。FA C、AF＞1 D、以上均可以

14.要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用 B 负反馈 A、电流串联 B、电压串联 C、电流并联 D、电压并联

15．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D．PNP 型锗管

16．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管

17．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大

18.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。 A．减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小 Ri D. 增大C，增大 Ri

19.如图所示复合管，已知V1的1 = 30，V2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A．1500 B.80 C.50 D.30

0 iD/mA -4 uGS/V

5

V2

V1 20.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路

21.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器

22．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真

23．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区

24．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 A 。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零

25．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

26．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响

27．差动放大电路的主要特点是 A 。 A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号； B 既放大差模信号，又放大共模信号

+ uO _ us

RB Rs

+VCC

V C +

RC

Ri O t

uI

t uo

4题图 7题图 C有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

28．互补输出级采用射极输出方式是为了使 D 。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强

29．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻

30．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适

31．当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时，放大倍数的数值将下降到中频时的 B 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍

32．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。 A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小

33．带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。 A、 B、

C、 D、 1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 （ ） 。 A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小

AVMAX

f o AV AV AVMAX AVMAX AVMAX AV AV o o o f f f 2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ ）。 A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v

3. 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是（ ）管，处于（ ）。 （ ） A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区

4. 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的（ ）。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

5. 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ ）。 A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小 B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小 C 共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大 D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大

6. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ ）。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响

7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（ ），而提高共模抑制比。 A 抑制共模信号； B 抑制差模信号； C 放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号；

8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强

9．集成运放电路的实质是一个（ ）的多级放大电路。 A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有

10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适

11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的是负反馈。 A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小

12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其（ ）的特点以获得较高增益。 A 直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大 C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足（ ）才能起振。 A AV = 1 B AV = 3 C AV ＜ 3 D AV ＞3

14、迟滞比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生（ ）次跃变。 A 1 B 2 C 3 D 0

15．当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用（ ）滤波器。 A 低通 B 高通 C 带阻 D 带通

16.串联型稳压电源正常工作的条件是 ：其调整管必须工作于放大状态，即必须满足（ ）。 A VI = VO + VCES B VI ＜ VO + VCES C VI ≠ VO + VCES D VI ＞ VO + VCES

二、填空题 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T接成 共基 组态，

2T接成 共集 组态，1R和2R的作用是 为T1管提供基极偏置 。

合集下载

（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。

A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。

A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

模拟电子技术题库答案

模拟电子技术题库答案

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。

2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。

3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。

6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。

7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。

9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。

11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。

13、结具有单向导电特性。

14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。

16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。

18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。

19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。

22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。

模拟电子技术基础试题A卷

模拟电子技术基础试题A卷

模拟电⼦技术基础试题A卷《模拟电⼦技术基础》复习题⼀、判断题1.在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。

（）2.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（）3.使输⼊量减⼩的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（）4.产⽣零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）5.利⽤两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。

（）6.本征半导体温度升⾼后两种载流⼦浓度仍然相等。

（）7.未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

（）8.集成运放在开环情况下⼀定⼯作在⾮线性区。

（）9.只要引⼊正反馈，电路就会产⽣正弦波振荡。

（） 10.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（） 11.PN 结正向偏置时电阻⼩，反向偏置时截⽌。

（） 12.晶体⼆极管是线性元件。

（） 13.晶体⼆极管具有单向导电性。

（） 14.发射结正向偏置时的晶体三极管⼀定⼯作在放⼤状态。

（） 15.在晶体三极管放⼤电路中，三极管发射结加正向电压，集电结加反向电压（） 16.放⼤器的交流通路是⽤来确定静态⼯作点的。

（） 17.采⽤阻容耦合的前后级放⼤电路的静态⼯作点互相影响。

（） 18.负反馈可以消除放⼤器⾮线性失真。

（） 19.射极输出器具有电流放⼤作⽤。

（） 20.近似估算法同样可以应⽤于功率放⼤器。

（）⼆、选择填空（10分）1.为了减⼩输出电阻，应在放⼤电路中引⼊；为了稳定静态⼯作点，应在放⼤电路中引⼊。

A ．电流负反馈B ．电压负反馈C ．直流负反馈D ．交流负反馈 2.RC 串并联⽹络在RCf f π210==时呈。

A ．感性 B ．阻性 C ．容性3.通⽤型集成运放的输⼊级多采⽤。

A．共基接法 B．共集接法 C．共射接法 D．差分接法4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放⼤系数约为。

A．βB．β 2 C．2βD．1+β5.在A．、B．、C．三种电路中输出电阻最⼩的电路是；既能放⼤电流，⼜能放⼤电压的电路是。

模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)


题图 2.6
解： （1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。 （2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ） ，直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中 点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b） 题图 2.7
（c）
解： 在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图（b） ：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )