模拟电子技术-康华光--华中科大版-上课课件第7讲 (4)

西南科技大学信息工程学院王军半导体三极管电路的
优化设计基础（二）
—BJT的频率特性
C j R C j j V j V ωωωω+=/1/1)()(i o f
2π且令
RC
f π21
H =
)/j(11o f f V V +=
=&&
随着频率提高，低频假设
频率响应曲线
2
H )
f )
H f f <<f H
f >>f H
幅频响应
2
L L )/(11f f A V +=
相频响应
)
/(arctan L L f f =ϕ
思路2：BJT频率特性分析的核心
—β参数的频率特性
高频小信号等效电路模型
发射结电阻r e归算
---集电结电阻r b′c
---集电结电容C b′c
基区的体电阻，b‘是假想的基区内的一个点
ce c b r r 和忽略′（2）BJT 的高频小信号简化模型
—混合Π
型高频小信号模型
（3）BJT β参数的频率特性
由H 参数可知
CE
B
C
fe V i i h ∂∂=
即0b
c ce
==V I I &&&&β 根据混合Π模型得
c
b e b e b m
c 1/j ′′′−
=C V V g I ω&&&)]///()///([c
b e b e b b e b j 1j 1′′′′=C C r I V ωω&& 低频时
e
b m 0′=r g β所以)
(j 1/j c b e b e b c b m b c ′′′′++−=
=C C r C g I I ωωβ&&& 当c b m ′>>C g ω时，
e b c b e b 0)(j 1′′′++≈r C C ωββ&
e
b ′r e
b c ′r )2
β0)
/f f β—共发射极截止频率
β
f 的频率参数
β
f f
-特征频率
T f
分析方法：利用低频时，混合Π模型与简化的H参数模型等价V
T m e b π2f g C =′—查手册 T c b f C 和′。