同步整流技术目前存在问题
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同步整流防止电流反灌的方法说到同步整流防止电流反灌这个话题,哎呀,别看它名字挺复杂的,实际上说白了就是想让电流走对地方,别再随便乱窜。
我们平常用电器,尤其是一些高效能的电源设备,往往会用到同步整流技术。
其实这玩意儿,就是通过一些智能的小技术,让电流只朝着正确的方向流动,防止它“打了退堂鼓”,绕回去害人。
你要是没听过“电流反灌”这个词,没关系,反正你就理解为电流有时会不听话,往回跑,搞得电路不稳定甚至出现短路的麻烦。
想象一下,电流就像水流一样,一旦它不受控制地往回流,所有的水渠、管道都会出问题,甚至还可能把设备搞坏。
那电流反灌又是怎么来的呢?就是当电源没有完全切断电流的路径,电流还可以沿着之前的通路反向流动,顺便捣乱。
就像你在家里关水龙头的时候没关紧,水就顺着管道反流,搞得地板湿漉漉的。
这就是我们说的电流反灌,特别是在一些高效率电源系统中,若没有良好的同步整流措施,电流反灌可能带来非常大的麻烦。
那么怎么防止电流反灌呢?其实也不难,就像我们修家电一样,得看清楚问题所在。
最重要的一点就是利用同步整流技术来让电流跑得更顺。
简单来说,同步整流就是在电源电路中,找对合适的时机,开关元件(比如MOSFETs)在对的时间导通,这样电流就可以稳定在一个方向上,像老百姓出门走路一样,千万不能掉头,否则会迷路。
通过这种方式,电源不仅效率高,而且能更好地控制电流,避免反灌。
要防止电流反灌,第一步就是要选择一个合适的同步整流器件。
你要选对“开关门”的人,不能让那些不合格的小家伙上场,打乱整个电流的节奏。
要是这些MOSFET等开关元件选择不好,电流反灌的情况就可能比做错了决定还严重。
而且别忘了,这些器件可不是随便能找到的,它们需要精确到毫秒级别的控制,稍微不留神就能出问题。
别小看这一点,反灌可能会导致电路损坏、效率下降,甚至设备报废。
所有的细节都不能马虎,得有技术有手段,才能确保电流听话。
设计电源的时候,也得考虑到电流的实际需求。
同步整流升压电路(实用版)目录一、同步整流升压电路的概念与原理二、同步整流升压电路的结构与组成三、同步整流升压电路的应用领域四、同步整流升压电路的优缺点五、同步整流升压电路的发展趋势正文一、同步整流升压电路的概念与原理同步整流升压电路是一种采用同步整流技术的直流 - 直流(DC-DC)转换电路,主要作用是将输入的低电压转换为较高的输出电压。
该电路广泛应用于电力电子设备、通信设备、计算机、工业控制等领域。
同步整流升压电路的原理基于峰值电流模式控制,其核心部件是同步升压控制器。
该控制器通过多相位控制技术,实现输入电压与输出电压之间的步进升高。
同步整流升压电路的输入电压范围为 9-20V,输出电压固定为 24V(可通过可调电位器调整为 12-24V),输出电流不超过 4.5A,最大总功率不超过 100W。
为了保证电路的稳定运行,需要适当增加散热装置。
二、同步整流升压电路的结构与组成同步整流升压电路主要由以下几个部分组成:1.输入电源:提供电路的输入电压,通常为 9-20V 的直流电压。
2.同步升压控制器:实现峰值电流模式控制,通过多相位控制技术,实现输入电压与输出电压之间的步进升高。
常见的同步升压控制器型号有LM5122MHX 等。
3.整流器:将输入电源的交流电压转换为脉动直流电压。
4.平滑电容:对脉动直流电压进行滤波,得到稳定的直流电压输出。
5.输出负载:接收电路的输出电压,为其他电子设备提供稳定的电源。
三、同步整流升压电路的应用领域同步整流升压电路广泛应用于以下领域:1.电力电子设备:用于实现直流电源的转换与控制,以满足各种电力电子设备的电源需求。
2.通信设备:为通信设备提供稳定的直流电源,以保证其正常运行。
3.计算机:为计算机提供稳定的直流电源,以满足其对电源的需求。
4.工业控制:用于实现工业控制设备的电源转换与控制。
四、同步整流升压电路的优缺点同步整流升压电路的优点:1.转换效率高:采用同步整流技术,电路的转换效率较高。
同步整流专利面临问题1、同步整流MOS晶体管在栅极电荷未被及时泄放情况下可双向导通;2、由于MOSFET晶体管反向导通,滤波电容与滤波电感将谐振,使DC-DC变换器输出产生负压,对输入端的有极性电容和负载造成损伤,甚至使敏感负载发生逻辑错误。
3、死区时间的调整控制。
4、同步整流电路的缺点是,由于功率转换器的次级侧的接地切换操作所导致的切换损失以及电磁波干扰问题。
5、自驱动有源钳位正激变换器,其整流管和续流管在关断的时候,其栅极驱动电压是负值,这可能由于整流管和续流管的反向漏电流而产生额外的损耗,从而造成整体变换器效率的下降;另外整流管和续流管的驱动信号之间同样没有死区时间,整流管及续流管共同导通的现象依然没有解决。
6、因寄生效应而在晶体管开关上所产生的电压尖峰或高频振铃7、由于MOSFET开通后可以双向导电,区别于二极管,因此对电路的工作带来影响。
通常的电压模式的驱动方式由于不检测流过MOSFET的电流,因此,在电路中存在电流反向的可能,其驱动信号也是在电路中变压器、电感或者其他相关点得到的波形,会引起轻载条件下效率低下等其他问题。
8、传统的采用电流互感器的方式,其取样电流消耗的能量在电路中直接消耗,导致驱动电路效率低下。
在实际应用中,通常的电流互感器驱动方案需要每个MOSFET带一个电流互感器检测其电流,导致电路成本上升、体积变大。
9、通常自驱动电路采用一个次级辅助绕组来为同步整流管和续流管提供驱动电压,但是,此种驱动方式由于辅助绕组藕合漏感与MOS管的栅极结电容产生振荡,致使驱动波形上升沿和平顶部分振荡,导致驱动损耗增大。
10、在大电流条件下开关电源同步整流电路结构及连接方式存在的连接、散热困难和额外发热等问题。
11、一般用变压器的副边绕组直接驱动MOS管。
这时在占空比比较小的情况下,会出现续流的同步MOS管导通不足的问题。
负载电流会流过MOS管的体二极管,造成较大的损耗。
12、门极通过辅助MOS管Sa至零电位,而同步整流MOS管的门极导通电压一般比较低(2~3V),所以容易受到外界千扰,也会造成共态导通的问题。
同步整流电路分析作者: 佚名发布日期:2006-02-12 16:50 查看数:51 出自:互联网一、传统二极管整流电路面临的问题近年来,电子技术的发展,使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。
低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗,但也给电源设计提出了新的难题。
开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。
在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出。
快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。
举例说明,目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压,所消耗的电流可达20A。
此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。
即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)P O,占电源总损耗的60%以上。
因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。
二、同步整流的基本电路结构同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。
它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。
用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。
1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路2、单端自激、隔离式降压同步整流电路图1 单端降压式同步整流器的基本原理图基本原理如图1所示,V1及V2为功率MOSFET,在次级电压的正半周,V1导通,V2关断,V1起整流作用;在次级电压的负半周,V1关断,V2导通,V2起到续流作用。
DC/DC技术的现状及发展摘要:从工程实际的角度介绍了DC/DC技术的现状及发展,给出当今国际顶级DC/DC产品的实用技术、专利技术及普遍采用的特有技术。
指出了半导体技术进步给DC/DC技术带来的巨大变化。
并指出了DC/DC 的数字化方向。
关键词:有源箱位软开关同步整流级联拓朴 MCU控制高效率高功率密度DC/DC分布式电源系统应用的普及推广以及电池供电移动式电子设备的飞速发展,其电源系统需用的DC/DC电源模块越来越多。
对其性能要求越来越高。
除去常规电性能指标以外,对其体积要求越来越小,也就是对其功率密度的要求越来越高,对转换效率要求也越来越高,也即发热越来越少。
这样其平均无故障工作时间才越来越长,可靠性越来越好。
因此如何开发设计出更高功率密度、更高转换效率、更低成本更高性能的DC/DC转换器始终是近二十年来电力电子技术工程师追求的目标。
例如:二十年前Lucent公司开发出第一个半砖DC/DC时,其输出功率才30W,效率只有78%。
而如今半砖的DC/DC输出功率已达到300W,转换效率高达93.5%。
从八十年代末起,工程师们为了缩小DC/DC变换器的体积,提高功率密度,首先从大幅度提高开关电源的工作频率做起,但这种努力结果是大幅度缩小了体积,却降低了效率。
发热增多,体积缩小,难过高温关。
因为当时MOSFET的开关速度还不够快,大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。
工程师们开始研究各种避开开关损耗的软开关技术。
虽然技术模式百花齐放,然而从工程实用角度仅有两项是开发成功且一直延续到现在。
一项是VICOR公司的有源箝位ZVS软开关技术;另一项就是九十年代初诞生的全桥移相ZVS软开关技术。
有源箝位技术历经三代,且都申报了专利。
第一代系美国VICOR公司的有源箝位ZVS技术,其专利已经于2002年2月到期。
VICOR公司利用该技术,配合磁元件,将DC/DC的工作频率提高到1MHZ,功率密度接近200W/in3,然而其转换效率却始终没有超过90%,主要原因在于MOSFET的损耗不仅有开关损耗,还有导通损耗和驱动损耗。
同步整流mos驱动波形异常概述说明以及解释1. 引言1.1 概述本文旨在探讨同步整流MOS驱动波形异常现象,并通过对其原因、影响以及解决方法的分析,提供读者在遇到类似问题时的指导和帮助。
同步整流技术作为一种高效能转换电路,被广泛应用于各种电子设备中。
然而,在实际应用过程中,我们可能会面临波形异常的情况,这不仅会影响系统性能,还可能导致设备损坏或故障。
1.2 文章结构本文将按照以下结构进行论述:第一部分:引言。
在本节中,我们将介绍文章的背景和目的,并简要说明文章的结构。
第二部分:同步整流MOS驱动波形异常。
我们将首先对该主题进行简要介绍,包括定义和基本概念;然后讨论造成波形异常的原因;最后列举一些常见的波形异常类型。
第三部分:概述说明。
该部分将从宏观角度对同步整流技术和MOS驱动原理进行简要说明,并阐述波形异常对系统性能的影响。
第四部分:解释波形异常发生可能因素和原因分析方法。
这一部分将探讨导致波形异常的可能因素,例如输入电源相关问题、外界干扰和设计上存在的问题,并介绍相应的原因分析方法。
第五部分:解决和预防波形异常的方法和措施具体说明。
我们将提供一些具体的方法和措施来解决和预防波形异常,包括调整电路参数和设计优化建议、降低外界干扰及滤波措施推荐以及故障诊断与排除方法介绍。
1.3 目的本文旨在帮助读者理解同步整流MOS驱动波形异常现象,了解造成该异常的原因,并提供适用的解决方法和措施。
通过深入研究该主题,读者将能够更好地识别和处理类似问题,提升系统性能并避免潜在不良影响。
2. 同步整流mos驱动波形异常:2.1 简介:同步整流MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)驱动器是一种常见的电路模块,用于控制电源中的交流信号,并将其转换为直流信号。
然而,在实际应用中,我们可能会遇到各种波形异常,即输出波形与期望波形不一致的情况。
本节将简要介绍同步整流MOS驱动波形异常的背景和重要性。
2.2 波形异常的原因:波形异常可能由多种因素引起。
同步整流模块常见故障同步整流模块是一种常见的电子元器件,用于将交流电转换为直流电。
它被广泛应用于电源供应、电动机驱动和电子设备等领域。
然而,由于长期使用或其他原因,同步整流模块可能会出现一些故障。
本文将介绍一些常见的同步整流模块故障,并提供相应的解决方法。
故障一:输出电压不稳定当同步整流模块输出的直流电压不稳定时,可能会导致电子设备无法正常工作。
造成这种故障的原因可能有很多,比如输入电压波动、电源线接触不良或输出电流过大等。
解决这个问题的方法有:检查输入电压是否稳定,确保电源线连接良好,调整输出电流等。
故障二:输出电压为零当同步整流模块输出的直流电压为零时,可能会导致电子设备完全无法工作。
这种故障通常是由于整流器管故障或控制电路故障引起的。
解决这个问题的方法有:更换整流器管,修复或更换控制电路。
故障三:过热同步整流模块长时间工作后可能会出现过热问题,这会影响其正常工作并有可能损坏电子设备。
过热问题通常是由于散热不良、负载过重或环境温度过高等原因引起的。
解决这个问题的方法有:改善散热条件,减轻负载,调整工作环境温度等。
故障四:开关频繁同步整流模块在工作过程中开关频繁可能会导致其损坏或电子设备无法正常工作。
开关频繁的原因可能是由于控制信号异常或其他原因引起的。
解决这个问题的方法有:检查控制信号是否正常,修复控制电路等。
故障五:噪声干扰同步整流模块工作时可能会产生噪声干扰,这会影响到其他电子设备的正常工作。
噪声干扰的原因通常是由于电源线接触不良、工作频率不匹配或其他原因引起的。
解决这个问题的方法有:确保电源线连接良好,调整工作频率等。
总结:同步整流模块常见的故障包括输出电压不稳定、输出电压为零、过热、开关频繁和噪声干扰等。
这些故障可能会导致电子设备无法正常工作或损坏。
解决这些故障的方法包括检查输入电压、更换整流器管、改善散热条件、修复控制电路等。
在使用同步整流模块时,我们应注意定期检查和维护,以确保其正常工作并延长使用寿命。
同步整流专利面临问题
1、同步整流MOS晶体管在栅极电荷未被及时泄放情况下可双向导通;
2、由于MOSFET晶体管反向导通,滤波电容与滤波电感将谐振,使DC-DC变换器输出产生负压,对输入端的有极性电容和负载造成损伤,甚至使敏感负载发生逻辑错误。
3、死区时间的调整控制。
4、同步整流电路的缺点是,由于功率转换器的次级侧的接地切换操作所导致的切换损失以及电磁波干扰问题。
5、自驱动有源钳位正激变换器,其整流管和续流管在关断的时候,其栅极驱动电压是负值,这可能由于整流管和续流管的反向漏电流而产生额外的损耗,从而造成整体变换器效率的下降;另外整流管和续流管的驱动信号之间同样没有死区时间,整流管及续流管共同导通的现象依然没有解决。
6、因寄生效应而在晶体管开关上所产生的电压尖峰或高频振铃
7、由于MOSFET开通后可以双向导电,区别于二极管,因此对电路的工作带来影响。
通常的电压模式的驱动方式由于不检测流过MOSFET的电流,因此,在电路中存在电流反向的可能,其驱动信号也是在电路中变压器、电感或者其他相关点得到的波形,会引起轻载条件下效率低下等其他问题。
8、传统的采用电流互感器的方式,其取样电流消耗的能量在电路中直接消耗,导致驱动电路效率低下。
在实际应用中,通常的电流互感器驱动方案需要每个MOSFET带一个电流互感器检测其电流,导致电路成本上升、体积变大。
9、通常自驱动电路采用一个次级辅助绕组来为同步整流管和续流管提供驱动电压,但是,此种驱动方式由于辅助绕组藕合漏感与MOS管的栅极结电容产生振荡,致使驱动波形上升沿和平顶部分振荡,导致驱动损耗增大。
10、在大电流条件下开关电源同步整流电路结构及连接方式存在的连接、散热困难和额外发热等问题。
11、一般用变压器的副边绕组直接驱动MOS管。
这时在占空比比较小的情况下,会出现续流的同步MOS管导通不足的问题。
负载电流会流过MOS管的体二极管,造成较大的损耗。
12、门极通过辅助MOS管Sa至零电位,而同步整流MOS管的门极导通电压一般比较低(2~3V),所以容易受到外界千扰,也会造成共态导通的问题。
13、由于场效应管导通之后,电流可以通过该场效应管双向流动如流过负向电流。
因负向电流的存在,当空载时开关信号占空比不变,使得空载时损耗增大、效率降低;另外当多个电源并联对负载进行供电时,电源的热拔插或是输出电流的瞬变容易导致电流从一个电源倒灌
进另一电源,从而损坏同步续流管。
14、现有的自驱动同步整流电路在轻载下会进入CCM电流连续模式)模式,转换效率低。
15、当输入电压较高时,整个电源的占空比较小,将导致复位电压出现断续状态,进而使得续流管上的驱动电压在一个周期的后部分接近零,导致续流管的驱动不足,此时的电感的续流电流将通过续流管的体二极管,这是电源电路转换效率过低、续流管损坏的主要原因。
16、对于反激变换器,已有的自驱动电路要么不能很好地控制共同导通,要么就不适合多路同步整流输出的应用场合。
17、为满足大功率和大电流的应用场景,并减小损耗出现了同步整流管多管并联的应用。
实际应用中同步整流管一般工作在全通状态。
因而,开关电源在负载很小的应用场景中驱动损耗大,效率低,不能针对负载状况实现效率优化。
18、由于电流互感器与同步整流管串接,互感器本身存在一些漏感,与MOSFET的漏源之间的结电容产生谐振,造成电压尖峰,增加了线上损耗,降低了效率。
19、现有技术中的同步整流控制通过采样MOSFET两端的电压来实现,而MOSFET本身具有等效电感、结电容等很多寄生参数,从而对MOSFET的开通或关断的控制的准确性造成影响,很难保证电路工作在最佳状态;且通过大信号采样小信号容易产生失真,使得控制效率降低。
20、输入电压范围窄
21、无法准确检测出场效应管的漏极与场效应管的源极之间电压的电压值以及流过场效应管漏极和场效应管的源级的电流的电流值
22、输出电流增加时会产生在高频、高输出电流时产生的两个问题,其一为两整流回路的同步控制器将变得过于敏感而容易误动作,交流阻抗以及整流回路形成的回路电感会大幅上升而降低效率
23、检测和关断之间存在延迟时间。
24、续流管驱动电压上升缓慢
25、LLC谐振电路饱和电感。
26、应用同步整流电路到自激励型回扫变换器上的困难是,除了开关频率随连接的负荷发生很大的变化外,检测整流二极管的关断时间也是困难的。
27、输出端预偏置
28、并联反馈偏压
29、关机自激振荡
30、习知的自激技术容易在轻载关机或空载时造成整流单元的自激频率失控。