一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法

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ｗｈｉｃｈｒｅｄｕｃｅｄｈｅｔｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙｏｆｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｍｅｈｏｔｄｏｌｏｙ．Ｃｇｏｍｐａｒｅｄｗｉｈｔｈｅｔａｖａｉｌａｂｌｅ，ｔｈｅｍｅｔｈｏｄｗａｓｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅｌｙｃｌｅａｒａｎｄｃｏｎｃｉｓｅｉｎｐｈｙｓｉｃａｌｓｉｇｎｉｉｆｃａｎｃｅ，ｖｅｒｙｆａｓｔｉｎｅｘｒｔａｃｉｔｏｎｓｐｅｅｄａｎｄｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｙａｐｐｌｉｃｂｌａｅｆｏｒｎｅｗｍａｔｅｉｒａｌａｎｄｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐａｒｍｅａｔｅｒｅｘｒｔａｃｔｉｏｎ；ｈｉｇｈｅｌｅｃｒｔｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＨＥＭＴ）；ｓｍａｌｌ — ｓｉｎａｇｌｍｏｄｅｌ
Ｘｉ ’ ａｎ７１００００，Ｃｈｉｎａ；２．ＣｈｉｎａＩｎｔｎａｍｔｉｏｎａｌＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＣｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎＣｏ．ｏｐｔｉｏｎ，Ｘｉ ’ ａｎ７１００００，１００９— ２５５２（２０１３）０９— ０１３５— ０５中图分类号：ＴＮ９１１．７文献标识码：Ａ
一
种新颖的ＨＥＭＴ小信号模型参数直接提取方法
吕瑛，康星朝
ｓｍａｌｌ — ｓｉｇｎａｌｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｗａｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｐａｒａｓｉｉｔｃｃａｐａｃｉｔｏｒｓｗｅｒｅｅｘｒａｔｃｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇｏｐｅｎｄｅ — ｅｍｂｅｄｄｉｎｇｐａｄｓｔｏａｖｏｉｄｏｂｔａｉｎｉｎｇｉｍｐｒａｃｔｉｃａｌｎｅｇａｔｉｖｅｐａｒａｍｅｔｅｒｉｎｈｅｔＣｏｌｄＦＥＴｐａｒａｍｅｔｅｒ —
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｎｉｍｐｒｏｖｅｄｐａｒａｍｅｔｅｒ — ｅｘｔｒａｃｉｔｏｎｍｅｈｔｏｄｆｏｒｈｉ．ｇｈｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｒｔａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＨＥＭＴ）
Ａｎｏｖｅｌａｎｄｄｉｒｅｃｔｐａｒａｍｅｔｅｒ．ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｆｏｒＨＥＭＴｓｍａｌｌ — ｓｉｇｎａｌｍｏｄｅｌ
ＬＶＹｉｎｇ．ＫＡＮＧＸｉｎｇ — ｅｈａｏ
ｅｘｒｔａｃｔｉｏｎｍｅｈｏｔｄ．Ａｄｄｉｔｉｏｎａｌｌｙ，ｔｈｅｐａｒａｓｉｔｉｃｓｏｕｒｃｅｒｅｓｉｓｔｏｒｗａｓｏｂｔａｉｎｅｄｂｙＹｏｎｇＬｏｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，
（１．西北工业大学明德学院电子信息工程系，西安７１００００；
２．中国通信建设第ｚ．３－程局有限公司，西安７１００００）
摘要：建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件（ＨＥＭＴ）小信号模型等效电路参数的新方法。采用Ｏｐｅｎ去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取，避免了ＣｏｌｄＦＥＴ方法提取的寄生参数为负值的现象；通过ＹｏｎｇＬｏｎｇ方法对寄生源电阻进行提取，减少了模型参数提取复杂度。与其它文献报道的小信号模型参数提取方法相比，该方法物理意义简明清晰，提取速度快，并且对新材料、新器件结构有较强的实用性。关键词：参数提取；高电子迁移率器件（ＨＥＭＴ）；小信号模型
（１．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＭｉｎｇｄｅＣｏｌｌｅｇｅ，ＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎＰｏｌｙｔｅｅｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，

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