《电子技术基础》复习提纲

《模拟电子技术基础》复习提纲

第一章 常用半导体器件

1． 基本概念:本征半导体，杂质半导体，PN结，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体三极管和场效应管的放大作用及三个工作区域。

2． 二极管电路的分析和计算

3． 稳压管电路的分析和计算

作业：1.1 1.3 1.4 1.5 1.6 1.9

第二章 基本放大电路

1． 基本概念:放大，静态工作点，放大倍数，输入电阻，输出电阻，直流负载线和交流负载线，最大不失真输出电压。

2． 三极管放大电路的计算（共射、共集）:求静态工作点，动态参数Au、Ri、Ro。

3． 场效应管放大电路的计算（共源，共漏）:求静态工作点，动态参数Au、Ri、Ro。

作业：2.1 2.5 2.6 2.7 2.11 2.12 2.13 2.16

第三章 多级放大电路

1． 基本概念:零点漂移，共模信号，差模信号，共模放大倍数，差模放大倍数，共模抑制比。

2． 差分放大电路的计算（四种接法）:求静态工作点，动态参数Au、Ri、Ro。

作业：3.6 3.7

第四章 集成运算放大电路

1． 了解集成运放的组成及各部分的作用，理解主要指标参数的物理意义。

2． 了解电流源电路的工作原理。

作业：4.3

第五章 放大电路的频率响应

1． 基本概念:fL和fH，通频带，波特图。

2． 了解多级放大电路频率响应的计算。

作业：5.2 5.3 5.5 5.6

第六章 放大电路中的反馈

1． 反馈的判断

2． 了解产生自激振荡的原因，能够利用环路增益的波特图判断电路的稳定性。

作业：6.1 6.2 6.4 6.6 6.13

第七章 信号的运算和处理

比例、加减、积分电路的分析和计算。

作业：7.6 7.10 7.11 7.16

第八章 波形的发生和信号的转换

1． RC桥氏正弦波振荡电路的组成、起振条件和振荡频率。

2． 电压比较器电路的分析和求输出波形。

《电子技术基础》第一章 半导体二极管 试卷

一、单项选择题

1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分)

A.R×1

B.R×10

C.R×100或R×1k

D.R×10k

2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分)

A.变大

B.先变大后变小

C.变小

D.不变

3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分)

A.越小越好

B.越大越好

C.无差别最好

D.无要求

4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分)

A.正、反向电阻都为零

B.正、反向电阻都为无穷大

C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧

D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧

5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分)

A.反向电压

B.正向电压

C.正向电压或反向电压

6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管

的负极,则该管( )。(2 分)

A.基本正常

B.击穿

C.烧坏

D.电流为零

7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分)

A.正偏

B.反偏

C.零偏

第 1/4 页8.2AP9表示( )。(2 分)

A.N型材料整流管

B.N型材料稳压管

C.N型材料普通管

D.N型材料开关管

9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分)

A.高频

B.低频

C.直流

10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分)

A.2AP9

B.2CW14C

C.2CZ52B

D.2CK84A

二、判断题

11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分)

12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分)

13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿

电压后,其反向电流迅速增加。(2 分)

14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分)

模拟电子技术基础 复习提纲

第一章 绪论

）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。（放大倍数、输入电阻、输出电阻）

第三章 二极管及其基本电路

）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。N型半导体和P型半导体。在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。PN结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。

）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线）

）二极管的三种模型表示方法。（理想模型、恒压降模型、折线模型）。（VBE=）

第四章 双极结型三极管及放大电路基础

）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。（由三端的直流电压值判断各端的名称。由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数）

）什么是直流负载线什么是直流工作点

）共射极电路中直流工作点的分析与计算。有关公式。(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。

）小信号模型中hie和 hfe含义。

）用h参数分析共射极放大电路。（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。

）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。各种组态的特点及用途。P147。（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。）

光电⼦技术复习提纲（含标准答案）要点

第1章绪论1.半导体光电器件是利⽤什么效应制作的器件？

答：利⽤半导体光电效应制成的器件。2.半导体光电器件是哪两种粒⼦相互作⽤的器件？

答：是⼀种利⽤光⼦与电⼦相互作⽤所具有的特性来实现某种功能的半导体器件。3.半导体发光器件主要包括哪两种？

答：（1）发光⼆极管；（2）半导体激光器。4.光电器件主要有利⽤哪些效应制作的器件？

答：光电器件主要有利⽤半导体光敏特性⼯作的光电导器件，

利⽤半导体光伏打效应⼯作的光电池和半导体发光器件等。5.什么是半导体发光器件？

答：利⽤半导体PN结正向通过电时载流⼦注⼊复合发光的器件称为半导体发光器件。6.光电探测器件是如何转换信号的器件？

答：通过电⼦过程探测光信号的器件，即将射到它表⾯上的光信号转换为电信号。7.光电检测器⼯作在反向偏置状态。

8.光电池是利⽤什么效应制作的？

答：光伏打效应。9. 光纤通信的两个重要窗⼝是哪些？

答：1.55um和1.3um。

第2章1. 光信号的频率在哪个频段？需要⽤什么器件检测？

答：光信号的频率在1014 Hz以上，常⽤的电⼦器件⽆法对这⼀频率段产⽣良好的响应，必须使⽤光电⼦器件。2. 常⽤的光电检测器：PIN、APD

3. 光电检测器的⼯作过程？

答：光电检测器件的⼯作过程：

（1）光吸收——（2）电⼦-空⽳对产⽣——（3）载流⼦扩散和漂移——（4）检测4. 光信号（光束）⼊射到半导体材料后，如何产⽣电⼦空⽳对？

答：光信号（光束）⼊射到半导体材料后，⾸先发⽣的过程就是半导体材料对光⼦的吸收，吸收光⼦以后才能产⽣价带电⼦的跃迁，从⽽产⽣电⼦空⽳对。5. 半导体材料中的吸收过程可以分为哪两⼤类？

答：本征吸收和⾮本征吸收6. 本征吸收⼜包括哪些？

答：（1）直接吸收；（2）间接吸收7. ⾮本征吸收包括哪些？答：（1）激⼦吸收；（2）带内吸收；（3）杂质吸收8．本征吸收的必要条件？

9.直接吸收中参与的粒⼦是什么？遵守哪两种守恒？