快速热处理RTP

半导体FAB常用单词◎ A开头的单字◎1. Abort 取消操作2. Abnormal 异常3. Acetic Acid（CH3COOH）醋酸4. Acetone（CH3COCH3）丙酮5. Acid 酸6. Add 增加7. Adjust 调整8. Air Shower 洁净走道9. Alignment 对准10. Alloy 合金11. Aluminum（Al）铝12. Ammonia（NH4OH）氢氧化胺（俗称:氨水）13. Analysis 分析 m~H14. AR 氩气15. Automation 自动化◎ B开头的单字◎1. Bake 烘烤2. Bank 暂存3. Barcode 条形码4. Batch 整批5. BHLD 被工程师或客户Bank Hold短时间内不会Run的货6. Blue Tape 蓝膜7. Boat 石英晶舟8. Bottom 底部9. Breakdown Voltage 击穿电压10. Broken 破片；损坏11. Buffer 生产暂存区12. Buffer Chemical 缓冲液◎ C开头的单字◎1. Calibration 校正；调整2. Camera 照相机；摄影机3. Cancel 清除4. Candela（cd）烛光5. Cart 手推车6. Cassette 晶舟7. Certify 技能认证8. Chamber 反应室9. Charge 电荷10. Chipping 崩裂11. Chip Suction Pen 真空吸笔12. Chip Transfer - m(Machine) 翻转机13. Clean Bench 清洗台14. Clean Room 洁净室15. Cleaning 清洗 IF16. Cleaning Sequence 清洗程序17. Clear 清除18. Coat 涂布19. Coater 上光阻机台20. Coating 上光阻；涂布上整个表面21. Completed 结束；完成22. Confirm 确认23. Contact 接触24. Contamination 污染25. Control Wafer（C/W）控片26. Controller 控制器27. Cooling Water 冷却水28. Crucible，Pot 坩埚29. Curing 烘烤30. Customer 客户31. CVD(Chemical Vapor Deposition) 化学汽相沉积32. Cycle Time 生产周期◎ D开头的单字◎1. Daily Monitor 每日检测2. Data 资料；数据3. Date 日期4. Defect 缺点；缺陷5. Defocus 散焦；无法聚焦6. Del(Delete) 清除；删除7. Delay 延迟8. Department 部门9. Deposition（DEP）沉积10. Develop 显影11. Developer 显影器；显影液12. Die，Chip 晶粒（台）；芯片（陆）13. DI Water 去离子水14. Dicing 切割15. Down 当机16. Drain 泄出17. Dry Etching 干蚀刻18. Dry Pump 干式(无油封)的真空泵19. Dummy Wafer（D/W）挡片◎ E开头的单字◎1. E/R(Etching Rate) 蚀刻率2. Emergency Stop 紧急停止3. EMO 紧急停止按钮4. Endpoint 终点值5. Engineer 工程师6. Epi –wafer 磊晶片（台）；外延片（陆）7. Equipment 机台；设备8. Error Message 错误讯息9. Etching 蚀刻10. Evaporation 蒸镀11. Exhaust 抽出；抽风管；排(废)气12. Expanding Machine 扩张机13. Exposure 曝光；曝光量◎ F开头的单字◎1. FAC 厂务2. Facility 厂务水电气系统3. Film 薄膜4. Focus 聚焦；焦距5. Forward Current 顺向电流6. Forward Voltage（Vf）顺向电压7. FQC 最终检验员8. Furnace 炉管◎ G开头的单字◎1. Gallium（Ga）镓2. GOR(General Operation Rule) 厂区操作规则3. Group 群组◎ H开头的单字◎1. Handle 处理2. High Current 高电流3. Highlight 强调4. High Vacuum 高真空5. High Voltage 高电压6. History 歴史7. HMDS 界面活性剂8. Hold 扣留；暂停9. Hold Date 留置日期10. Hold Reason 留置原因11. Hold User 留置者12. Hot Run 很急件13. Hydrochloric Acid（HCL）盐酸14. Hydrofluoric Acid（HF）氢氟酸15. Hydrogen Peroxide（H2O2）双氧水◎ I开头的单字◎1. Idle 休息2. Initial 初始状态3. Inspection 检验4. IPA(Isopropyl Acetone) 异丙醇5. IPQC 制程检验员6. IQC 进料检验员7. Item 项目8. Iv Test Iv测试◎ J开头的单字◎1. Job 工作2. Job – Name 程序名称代号◎ K开头的单字◎1. Key Lock 功能键；指令键2. Keyboard 键盘◎ L开头的单字◎1. Leak 泄漏2. LHLD 被Hold住的货(Hold在上一站)3. Light Emitting Diode（LED）发光二极体4. Link 连结；线5. Lithography 微影6. Log 记录7. Lost 机台是清空的，无人操作机台或机台没在Run货8. Lot 批货9. Lot History Information 批货历史资料10. Lot -ID 批货编号11. Lot Information 批货信息12. Lot Note 批货批注13. Lot Note Information 批货批注信息14. Lot Owner 货主15. Lot Position 批货位置16. Lot Process Status 批货生产状态17. Lot Status 批货状态18. LPHL 被工程师Hold在当站，请依Lot Note Call工程师或执行Run Card19. Luminous Intensity（Iv）光的强度（单位:cd，mcd）◎ M开头的单字◎1. Maintain 维护2. Maintenance 维修；保护3. Manufacture 制造4. Mark 记号5. Mask 光罩6. Merge 合并7. Metal 金属8. Microscope 显微镜；实体显微镜9. Misalign 对偏10. Missing Lot 失踪批货11. Miss operation（MO）错误操作12. Multi 多重的◎ N开头的单字◎1. Native Oxide Layer 自然氧化层2. NHLD 因下一站机台正在Run货或无法Run货而设的Hold(Hold在下一站)3. Nitric Acid（NHO3）硝酸4. Nitride 氮化物5. Nitrogen（N）氮6. Normal Lot 普通货7. Notavailable 不可用的；无效的8. Notch 缺角9. Nozzle 喷嘴◎ O开头的单字◎1. OCAP (Out Of Control Action 异常状况处理计划Plan)2. Off-line 不与计算机联机；间接参与生产的人员3. OI(Operation Instruction) 操作准则4. On-line 与计算机联机；直接参与生产的人员5. Operation 操作6. Operation Cancel 操作中止；取消操作7. Operation Complete 操作完成8. Operation Number（OP.NO.）操作步骤编号9. Operation Procedure 操作流程10. Operation Start 操作开始11. Operation Start Cancel 取消＂操作开始＂12. OPI(Operator Interface) 操作接口13. Optical Aligner 光对准曝光机14. OQC 出货检验员15. Out Of Control（OOC）超出控制规格16. Out Of Spec（OOS）超出规格17. Outgassing 指附着于固体表面的气体因压力降低或热量而升华18. Oven 烤箱；炉子19. Over Etching 过度蚀刻20. Over Q-Time 超过限制时间21. Owner 负责人22. Oxide 氧化物◎ P开头的单字◎1. Parameter 参数2. Part Number 型号3. Particle 微粒子4. Passivation 护层5. Password 密码6. Pattern 图案7. Pattern Shift 图案偏移8. Peeling 剥皮；剥离9. Phosphorus（P）磷10. Phosphorus Acid（H3PO4）磷酸11. Photo 黄光12. Photolithographic Patterning 微影图案13. Photo Resist（PR）光阻；光阻液14. Photo Resist Stripper 去光阻液15. Physical Vapor Deposition(PVD) 物理汽相沉积16. Piece 片数；张数17. Plasma 电浆18. PM(Preventive Maintenance) 机台定期例行保养19. PN(Production Notice) 制造通报20. PN Junction PN结21. Post Exposure Bake 曝光后烘烤22. POD 晶片专用盒(Run货専用)23. Port 港口；舱门24. Press 压；按下25. Pressure 压力26. Priority 优先次序27. Probe 探针28. Probe Area 探索区29. Probe Card 探针卡30. Process 制程31. Product 产品32. Program 程序33. Pump Down 抽真空34. Pure Water 纯水35. Purge 清除36. Push 推动◎ Q开头的单字◎1. Q-Time 限制的时数2. Quality 品质3. Quaternary Compound 四元化合物；季化合物◎ R开头的单字◎1. Range 范围2. Rapid Thermal Processing(RTP) 快速高温处理3. Rate 速率4. Recipe 处方；程序5. Recipe ID 程序名称6. Reclaim 回收改造；外送研磨7. Record 记录8. Recover 排除；复原9. Recover Runcard 异常流程卡10. Recover Wafers 回收晶片11. Recycle 循环；再制造12. Reject 拒绝13. Release 释放；放行14. Reset 重新启动；重设15. Resistance 电阻16. Reticle 光罩17. Reverse Current（Ir）逆向电流18. Rework 重做；重工19. RHLD 机台Alarm造成货被Hold住20. Robot 机械手臂21. Rough Vacuuming 粗抽22. Route 路径；途程23. Route ID 程序编号24. RS 表面电阻25. RTA 快速热处理26. Rule 规则27. Run 执行28. Runcard（R/C）流程卡29. Rush 急件◎ S开头的单字◎1. Sapphire 蓝宝石2. Scan 扫描3. Scan Fail 扫描失效4. Scan Speed 扫描速度5. Scattering 散射6. Scrap 报废7. Scratch 刮伤8. Scrubber 刷洗器；清扫夫9. Search 搜寻10. SEMI 半自动11. Sensor 感应器12. Sequence 顺序13. Service 服务14. Set 设定15. Shift 位移；班别16. Shut Down 停机17. Sign 签名18. Signal 讯号19. Signal Tower 讯号灯20. Silicon（Si）矽(硅)21. Single 单一22. Size 尺寸；型23. Skill 技能24. Skip 跳过；跳站25. Slot ID 晶片摆放位置26. Slurry 研磨液27. Sodium Hydroxide（NaOH）氢氧化钠28. SOLID/Solid 固体29. Solvent 溶剂；缓和剂30. Sort 分类31. Sorter 排序机台32. SPC(Statistical Process Control) 统计制程管制33. Spec(Specification) 规格34. Spin Dryer 旋干机35. Split 分开；部份；分批36. Stage 站别；层次37. Status 状态38. Step 步骤39. Stress 应力40. Strip 去除41. Substrate 基板42. Sulferic Acid（H2SO4）硫酸43. Summary 摘要44. Super Hot Run（SH）超级急件45. Supervisor 督导者(课长)46. Supplier 供货商47. Supply 供给48. Support 支援49. Surface Contamination 表面污染50. Switch 按钮；开关51. System 系统◎ T开头的单字◎1. Tag 显示器2. Tank 槽3. Tape 胶带4. Target 目标5. TC(Thermal Couple) 热电偶(用以量测物体温度)6. TE(Technician) 技术员7. Technology 技术8. TECN(Temporary Engineer) 临时工程变更通知单(Change Notice)9. Telephone 电话10. Temp(Temperature) 温度11. Terminal 终端机12. Terminate 终止13. Ternary Compound 三元化合物14. Testing 测试部门15. Thallium（Tl）鉈16. Thermionic Filament 热电子灯丝17. Thin Film（T/F）薄膜18. Thin Film Deposition 薄膜沉积19. Thickness（THK）厚度20. Thickness Uniformity 厚度的均匀度21. Throttle 节流阀22. Throughput 生产速度23. Tilt 倾斜24. Timeout 时限已到25. Title 标题26. Tool ID 机台编号27. Tool Name 机台名称28. Tools 工具29. Track in/out 入/出帐30. Training 训练31. Transfer 晶片传送；翻转32. Transport 输送33. Tray 指High Current上放Cassette的基座(有三个)34. Trend 趋势35. Trolley 推车36. Trouble 麻烦；异常；问题37. Trouble Over 故障结束38. Tune 调机39. Tuning 调机中40. Turbo Pump 分子涡轮真空泵41. Turn Rate（T/R）晶片周转率42. Twist 晶片旋转角度43. Type 类型；型态◎ U开头的单字◎1. Ultrasonic Cleaner (Supersonic超音波清洗机cleaner)2. Underdeveloped 显影不良3. Under – Etching 蚀刻不足4. Uniformity（U%）均匀度5. Unit 单位6. Unload 收货7. Unlock 开关放松8. Update 更改9. Use 使用10. User ID 使用者编号11. User Name 使用者名称◎ V开头的单字◎1. Vacuum（VAC.）真空2. Vacuum Evaporator 真空蒸镀机3. Vacuum Gauge 真空压力计4. Vacuum Pump 真空泵5. Valve 阀6. Vapor 蒸气7. Vender(Vendor) 厂商8. Vent 泄漏9. Venting 破真空10. Verify 确认11. Vf Test Vf测试12. Vf Tester Vf测试机13. View Angle 视角；发光角度（单位:deg)14. Voltage（V）电压◎ W开头的单字◎1. Wafer 晶片（台）；外延片（陆）2. Wafer Actual Output 实际晶片产3. Wafer ID(#) 刻号(#)4. Wafer Out 晶片产出量5. Wafer Pcs(Pieces) 晶片片数6. Wafer Stage 晶片承载台7. Waste Chemicals Collection 废液回收箱8. WAT(Wafer Accept Test) 晶片接收侦测9. Water Mark 水痕10. Wet Etching 湿蚀刻11. Wet Etching System 湿蚀刻系统12. Wheel High Current上固定晶片旋转植入的轮盘13. White Tape 白膜14. Whole Dicing 全切15. Width 宽度16. WIP Lot List 在制品的批货清单◎ X开头的单字◎1. X-ray X射线◎ Y开头的单字◎1.Yield 良率◎ Z开头的单字◎1. Zero 零层2. Zoom(Zoom In/Zoom Out) 调整自由焦距镜头。

微电子制造工艺概论第6章离子注入P1Ø非平衡Ø高能离子与原子核及其核外电子碰撞Ø损失能量，停下度。

=S e(E) =S n(E)值电子阻止起主要作用；不同离子对应的As,P,B在硅中核、电子阻止本领与能量关系计算值低能区中能区高能区可以计算浓度分布了。

，ΔR p：投影射程的标准偏差P1*******倾斜旋转硅片后的无序方向1.8Å衬底为单晶材料，当离子束准确的沿着晶格方向注入时，几乎不会受到原子核的碰撞，因此来自靶原子的阻止作用要注入深度大于，其纵向分布峰值与高斯沟道E d 0注入离子引起的晶格损伤有可能使晶。

注入损伤会使载流子迁移率下降，少结反向漏电流增大。

P21（自由低剂量情况电激活比例随着温度高剂量退火特性与温度变化分为以下），点缺陷无序，温度升高，间隙硼和硅原子与空位），点缺陷通过重新组合或结团，凝聚为位错环等中产生自P26实线为非晶层退火，虚线为损伤区还没有变为非晶层的退火；低剂量时，磷的退火与硼相似；高剂量时，形成的无定型层出现不同的退火机理。

对所有高剂量低剂量的注入，基本适合的退火温度仅，此时在单晶层上发生无定型的固相外延，此温度低于非发展趋势：尽可能地降低热处理温度和热处理时间以控制通过原子间的扩散进行的原子运动。

P38磁分析器离子源加速管聚焦扫描系统靶r dt qI A Q 1BF 3：B ++，B +，BF 2+，F +, BF +，BF ++B 10B 11P43G G技术制成的材料 ,厚度均匀，尤其适于制作超薄型。

1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。

未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。

当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。

PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。

未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。

当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。