电子科技大学832微电子器件20...电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
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电子科技大学二零零八到二零零九学年第二学期期末考试《数学实验》课程考试题A卷(120分钟) 考试形式：闭卷考试日期：2009年7月8日一、单项选择题(20分)1、三阶幻方又称为九宫图，提取三阶幻方矩阵对角元并构造对角阵用( )(A) diag(magic(3)); (B) diag(magic);(C) diag(diag(magic(3))); (D) diag(diag(magic))。
2、MATLAB命令P=pascal(3)将创建三阶帕斯卡矩阵，max(P)的计算结果是( )(A) 1 2 3 (B) 1 2 1 (C) 3 6 10 (D) 1 3 63、命令J=*1;1;1+**1,2,3+;A=j+j’-1将创建矩阵( )(A)123234345⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦; (B)234345456⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦(C)123123123⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦(D)111222333⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦4、data=rand(1000,2);x=data(:,1);y=data(:,2);II=find(y<sqrt(x)&y>x.^2);的功能是( )(A) 统计2000个随机点中落入特殊区域的点的索引值；(B) 统计1000个随机点落入特殊区域的点的索引值；(C) 模拟2000个随机点落入特殊区域的过程；(D) 模拟1000个随机点落入特殊区域的过程。
5、MATLAB计算二项分布随机变量分布律的方法是( )(A) binocdf(x,n,p); (B) normpdf(x,mu,s); (C)binopdf(x,n,p); (D) binornd(x,n,p)。
6、MATLAB命令syms e2;f=sqrt(1-e2*cos(t)^2);S=int(f,t,0,pi/2)功能是()(A) 计算f(x)在[0,pi/2]上的积分；(B) 计算f(t)不定积分符号结果；(C) 计算f(x)积分的数值结果；(D) 计算f(t)定积分的符号结果。
统计与平衡练习答案2008级一、选择题 1. 2 分 (3289) 3289 [答] (A)2. 2 分 (1680) 1680 [答]A(2分)3. 2 分 (3183) 3183 [答] (C)4. 2 分 (1371) 1371 [答] (A)从 6 个可别粒子中拿出 3 个来编为一组，放在 N 0能级，再从(6 - 3) 个可别粒子中拿出 2 个来编为一组，放在 N 1能级上， 最后从 (6 - 3 - 2)个可别粒子中拿出 1，放在 N 2能级上。
此种分布的微态数为：112336CC C = {6!/[3!(6-3)!]}×{3!/[2!(3-2)!]}×{1!/[1!(1-1)!]}= 6!/(3!2!1!) 5. 2 分 (2848) 2848[答] (D) 因为 K p = f (T ) ，且为吸热反应，所以 K p (I) 随温度降低而减小。
6. 2 分 (1476) 1476 [答] (C)Θv = hc v /k = 308.5 K7. 2 分 (1548) 1548 [答] (A) S r,m = R [ln T /σΘ r +1]σ (CO) = 1；σ (N 2) = 2 则S m (CO) > S m (N 2)8. 2 分 (1540) 1540 [答] (D) 9. 2 分 (1304) 1304 [答] (D)*. 2 分 (1369) 1369 [答] (B)11. 2 分 (3286) 3286 [答] (C)12. 2 分 (1541) 1541 [答] (D)13. 2 分 (2988) Kp=exp(-Δr G m /RT ) =0.2988(2分)设N 2O 4的解离度为α, 总压力为p ,N 2O 4(g) = 2NO 2(g)14. 2 分 (1466) 1466 [答] (B)15. 2 分 (3297) 3297 [答] (C)16. 2 分 (1617)1617 [答](D)(5分)17. 1 分 (1461) 1461 [答] (D)18. 2 分 (3186) 3186 [答] (C)19. 2 分 (2864) 2864[答] (1) (B) 向生成 N 2O 4的方向进行(1分)(2) (A) 向生成 NO 2的方向进行(1分)20. 2 分 (1433) 1433 [答] B)/exp()/exp()/exp(0,e 1,e 00,e 11,e 01kT g g kT g kT g N N εεε∆-=--= (1分)=0.184(1分)二、计算题 ( 共 7题 65分 ) 21. 10 分 (1629) 1629 [答] 因为 Θr =h 2/(8π2Ik )(1分)所以 I =h 2/(8π2Θr k ) =13.5×10-40g ·cm -2(3分)则 q r =8π2IkT /(σh 2) =T /(σΘr ) =51.6(3分)故S r,m=R ln q r+R=R(ln q r+1)=(8.314 J·K-1·mol-1)×(ln51.6+1) = 41.10 J·K-1·mol-1(3分)22. 10 分(3383)3383[答] 依题意，体系中有两个反应同时平衡，设各物质的平衡分压分别为：NH4I(s) ＝NH3(g) + HI(g)x x-2yHI ＝(1/2) H2(g) + (1/2) I2(g) .......(a) (2分)x-2y y yK p(1) = p(NH3)p(HI) = x(x-2y) .......(b) (1分) K p(2) = [p1/2(H2)p1/2(I)]/p(HI) = y/(x-2y) .......(c) (1分)由(b) (c) 式即得：K p(1)K p(2) = xy.......(d) (2分)将(d) 代入(b) 式，则K p(1) = x2- 2xy = x2- 2 K-p(1)K p(2) x = [K p(1) (1+2 K p(2))]1/2 = 2.053×104 Pa (3分)故总压为：p = p(NH3) + p(HI) + p(H2) + p(I2) = 2x= 41 060 Pa (1分)23. 5 分(2956)2956[答] 设单体的物质的量分数为x，则xM+ (1-x)×(2M) = 1.520M (1分)解得x= 0.48(1分)Kp= K p p= [(6.05×104 Pa)×0.52]/[(6.05×104 Pa)×0.48]2p= 3.781(2分)Δr Gm= -RT ln Kp= -4.24J·mol-1(1分)24. 10 分(3315)3315[答] (∂ln K a/∂T)p=Δr H m/RT2(∂K a/∂T)p= K a×Δr H m/RT2(3分)(1) 求K aΔr Gm(B) = -RT ln K a(1分)ln K a= 85.64K a= 1.56×1037(2分)(2) 求Δr H mΔr Hm=νBB∑Δf H m(B) =-2.168×105 J·mol-1(2分)(3) (∂K a/∂T)p= K a×Δr Hm/RT2= -4.56×1036 K-1(2分)25. 10 分(1662)1662[答] (1) S m= S t,m+ S r,m+ S v,m= R ln[(2πmkT)3/2×RT/p]/Lh3]+ (5/2)R+ R ln(1-exp(-x)) +R(x/(e x-1))+ R ln[(8π2IkT)/(σh2)] +R，式中x= Θv/T(4分)(2) S r,m= R[ln(T/K) + ln(I×1047/kg·m2) -lnσ-2.695](3分)(3) S r,m= 8.314J·K-1·mol-1[ln298.2 + ln4.28 - ln1- 2.695]= 37.05 J·K-1·mol-1(3分)26. 10 分(1563)1563[答] (1)C V,t= (3/2)R(1分)C V,,r= R(1分)C V,,v= R×(e x x2)/(e x- 1)2= 0.6138R(2分)[x= 8H v/T= 801.3 K/323 K =2.480]C V,,m=C V,,t+C V,,r+C V,,v=3.114R=25.89 J·K-1·mol-1(1分)(2)C V,m=(3/2)R+(2/2)R+(3n-5)R=3.5R=29.1 J·K-1·mol-1(2分)(3) 323K 时，振动态没有全部开放。
某大学硕士研究生入学考试试题(doc 6页)西北工业大学2008年硕士研究生入学考试试题试题名称：材料科学基础（A卷）试题编号：832说明：所有答题一律写在答题纸上第 1 页共 3 页一、简答题（每题10分，共60分）1.固态下，无相变的金属，如果不重熔，能否细化晶粒？如何实现？2.固体中有哪些常见的相结构？3.何谓平衡结晶？何谓非平衡结晶？4.扩散第一定律的应用条件是什么？对于浓度梯度随时间变化的情况，能否应用扩散第一定律？5.何为织构？包括哪几类？6.什么是成分过冷？如何影响固溶体生长形态？二、作图计算题（每题15分，共60分）1.请分别写出FCC、BCC和HCP晶体的密排面、密排方向，并计算密排面间距和密排方向上原子间距。
2.请绘出面心立方点阵晶胞，并在晶胞中绘出（110）晶面；再以（110）晶面平行于纸面，绘出（110）晶面原子剖面图，并在其上标出[001]，，晶向。
3.已知H70黄铜在400℃时完成再结晶需要1小时，而在390℃下完成再结晶需2小时，请计算在420℃下完成再结晶需要多长时间？4.一个FCC晶体在]231[方向在2MPa正应力下屈服，已测得开动的滑移系是]011)[(，请确定使111该滑移系开动的分切应力τ。
三、综合分析题（30分）1.请根据Fe-Fe3C相图分析回答下列问题：（17分）1)请分析2.0wt.%C合金平衡状态下的结晶过程，并说明室温下的相组成和组织组成。
2)请分析2.0wt.%C合金在较快冷却，即不平衡状态下，可能发生的结晶过程，并说明室温下组织会发生什么变化。
3)假设将一无限长纯铁棒置于930℃渗碳气氛下长期保温，碳原子仅由棒顶端渗入（如图所示），试分析并标出930℃和缓冷至室温时的组织分布情况。
（绘制在答题纸上）防护930℃C原子室温防护2.图示Cu-Cd二元相图全图及其400℃～600℃范围的局部放大：（13分）℃℃℃℃℃℃1）请根据相图写出549℃、547℃、544℃、397℃和314℃五条水平线的三相平衡反应类型及其反应式；2）已知β相成分为w cd=46.5％，400℃时γ相的成分为w cd=57％，请计算400℃时w Cd＝50％合金的相组成。
