西安电子科技大学2020年硕士研究生招生考试初试试题考试科目代码及名称801半导体物理考试时间2019年12月22日下午(3小时)答题要求：所有答案(填空题按照标号写)必须写在答题纸上，写在试题上一律作废，准考证号写在指定位置!一、填空题(30分，每空1分)1、根据晶体对称性， Si的导带底在(1) 晶向上共有(2)个等价的能谷， Si的导带极小值位于(3) , Si 的导带电子有效质量是(4) 的。
2、有效质量各向异性时电导有效质量(me)l=(5) ,半导体Si的mi=0.98ma,m,=0.19ma 它的电导有效质量是(6) 。
3、半导体的导电能力会受到外界的(7) 、(8) 、(9) 和电场强度、磁场强度的影响而发生显著变化，半导体的电阻率通常在(10) 2 cm 范围内，4、室温下Si 的Nc=2.8×10/⁹cm³,如果Ep=Ec 为简并化条件，则发生简并时Si的导带电子浓度为. (11)c m³ (费米积分Fiz(O)=0.6); 室温下Ge 中掺P(4Ep=0.012eV), 若选取Ep=EckoT 为简并化条件，发生简并时电离杂质浓度占总杂质浓度的比例为(12) %。
5、根据杂质在半导体中所处位置，可将杂质分为. (13) 式杂质和(14) 式杂质；根据杂质在半导体中得失电子或空穴情况，可将杂质分为. (15) 和(16) 杂质；若将Au 掺入Ge 中可以引入(17) 个杂质能级，存在着(18) 种荷电状态；若将Au掺入Si中可以引入(19) 个杂质能级，这些能级都是有效的(20)6、一维情况下的空穴连续性方程是(21) ,其中方程等号左边项表示(22) ,方程等号右边第一项表示(23) ,等号右边第二和第三项表示(24), 等号右边第四项表示 (25) ,等号右边第五项表示(26) 。
稳态扩散方程只是连续性方程的一个特例，当连续性方程中的(27)= 0、(28)= 0、(29)= 0、(30)= 0时，就由连续性方程得到了稳态扩散方程。
西安电子科技大学2018考研大纲：半导体物理与器件物出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新!西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础“半导体物理与器件物理”(801)一、总体要求“半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。
“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。
重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。
“器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。
要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。
“半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。
二、各部分复习要点●“半导体物理”部分各章复习要点(一)半导体中的电子状态1.复习内容半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
2.具体要求半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念回旋共振及其实验结果Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构(二)半导体中杂志和缺陷能级1.复习内容元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
西安电子科技大学考研真题当谈及电子科技行业时，西安电子科技大学立即浮现在人们的脑海中。
作为中国电子科技的瑰宝，西安电子科技大学吸引了无数考生的目光。
那么，接下来我将为大家介绍一道西安电子科技大学考研真题，帮助大家更好地了解考试内容和复习方法。
本次考题涉及到通信工程专业的基础知识，让我们一起来看一下吧：【题目】某数字信号的功率谱密度函数为：S(f) = |F(f)|^2其中，F(f)是信号的频谱，f为频率。
1. 试求该信号的自相关函数R(t)。
2. 若该信号通过理想低通滤波器，滤波频率为B，求输出信号的功率谱密度S1(f)。
【解答】1. 该信号的自相关函数R(t)定义为：R(t) = ∫[-∞,∞] S(tau) e^(-j2πfτ) dτ其中，S(tau)是信号的双边功率谱密度。
代入题目给定的功率谱密度函数，可以得到：R(t) = ∫[-∞,∞] |F(f)|^2 e^(-j2πfτ) dτ为了简化计算，我们使用傅里叶反变换的性质：傅里叶变换对应的反变换结果是该信号的共轭函数。
因此有：R(t) = F^*(f)2. 若该信号通过理想低通滤波器，滤波频率为B，求输出信号的功率谱密度S1(f)。
理想低通滤波器可以通过将信号通过一个矩形函数的乘积来实现。
矩形函数的频域表达式为：H(f) = rect(f / 2B)通过傅里叶变换的卷积定理，可以得到输出信号的频谱表达式： F1(f) = F(f) * H(f)将结果代入到功率谱密度计算公式中：S1(f) = |F1(f)|^2带入已知条件，可以得到结果为：S1(f) = |F(f) * H(f)|^2至此，我们已经完成了本次考题的解答。
希望以上内容能够对大家对于西安电子科技大学考研题型的理解提供一些帮助。
总结：本文以西安电子科技大学考研真题为例，详细解答了与通信工程领域相关的问题。
通过这道题目的分析，我们加深了对于功率谱密度函数、自相关函数、滤波器的理解。
陕西省考研电子科学与技术复习资料半导体器件原理解析陕西省考研电子科学与技术复习资料：半导体器件原理解析在电子科学与技术领域，半导体器件是一种关键的元件，广泛应用于各种电子设备中。
为了帮助考生顺利复习陕西省考研电子科学与技术专业的知识点，本文将对半导体器件的原理进行解析。
一、半导体器件的基础概念半导体器件是指由半导体材料制成的电子器件，其特性介于导体和绝缘体之间。
半导体器件中最常见的就是二极管和晶体管。
二极管是一种具有两个电极，能够实现电流单向导通的器件；晶体管是一种三层或四层半导体材料制成的放大、开关和稳压等功能的器件。
二、半导体材料的特性半导体材料的特性主要来源于其原子结构。
晶体结构中的半导体原子通过共价键相连，带有共用外层电子。
当半导体材料中存在掺杂时，即向其添加杂质，可以使半导体的电子状态发生变化，形成导电性。
半导体材料根据主要掺杂元素的不同，可以分为n型半导体和p型半导体。
n型半导体中，主要掺杂元素是电子供体，能够提供自由电子；p型半导体中，主要掺杂元素是电子受体，能够提供正空穴。
三、二极管的原理与应用二极管是一种最简单、最基础的半导体器件，其工作原理基于PN 结的电特性。
PN结由n型半导体与p型半导体的结合所组成，其中n 型半导体为n端，p型半导体为p端。
当二极管处于正向偏置时，即正电压施加在P端，负电压施加在N 端时，由于PN结内部的电场，自由电子从N端向P端流动，形成电流。
而在反向偏置下，即正电压施加在N端，负电压施加在P端时，PN结内部的电场会阻止电流通过。
基于二极管的特性，它常被用作整流器、变频器、瞬时电压保护器等电路中。
通过合理利用二极管的工作原理，可以实现电能的有效转换和保护。
四、晶体管的原理与应用晶体管是一种基于半导体材料的放大器件，可用于放大微弱信号和实现开关电路。
晶体管主要由三层或四层半导体构成，其中常见的有双极性晶体管和场效应晶体管。
双极性晶体管由两个PN结构成，分为NPN型和PNP型。
