建平县职业教育中心备课教案课题模块（单元）项目（课）多级放大电路授课班级11电子授课教师安森授课类型新授授课时数 2教学目标知识目标多级放大电路的耦合方式及其特点、直接耦合放大电路静态工作点的设置能力目标两级阻容耦合电路的动态分析；情感态度目标培养学生的学习兴趣，培养学生的爱岗敬业精神教学核心教学重点1、多级放大电路的耦合方式及其特点、直接耦合放大电路静态工作点的设置；2、两级阻容耦合电路的动态分析；教学难点直接耦合放大电路静态工作点的设置；多级放大电路的动态分析方法；思路概述本讲以教师讲授为主。
用多媒体演示直接耦合放大电路静态工作点的设置、两级阻容耦合电路的动态分析方法等，便于学生理解和掌握。
启发讨论多级放大电路的耦合方式及其特点。
教学方法读书指导法、演示法。
教学工具电脑，投影仪教学过程一、组织教学：师生互相问候，安全教育，上实训课时一定要听从老师的指挥，在实训室不要乱动电源。
二、复习提问：三、导入新课：1、单管放大电路的局限性和多级放大电路的提出在实际应用中，一般对放大电路的性能有多方面的要求：如输入电阻大于2MΩ、电压放大倍数大于2000、输出电阻小于100Ω等，依靠单管放大电路的任何一种，都不可能同时满足要求。
这时，就可以选择多个基本放大电路，并将它们合理连接，从而构成多级放大电路。
组成多级放大电路的每一个基本单管放大电路称为一级，级与级之间的连接称为级间耦合。
2、多级放大电路的基本耦合方式及其特点1）直接耦合：耦合电路采用直接连接或电阻连接，不采用电抗性元件。
直接耦合放大电路存在温度漂移问题，但因其低频特性好，能够放大变化缓慢的信号且便于集成，而得到越来越广泛的应用。
但直接耦合电路各级静态工作点之间会相互影响，应注意静态工作点的稳定问题。
2）阻容耦合：将放大电路前一级的输出端通过电容接到后一级的输入端。
阻容耦合放大电路利用耦合电容隔离直流，较好地解决了温漂问题，但其低频特性差，不便于集成，因此仅在分立元件电路中采用。
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
