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第四章 场效应管放大电路
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图5 VGS对沟道电阻的控制作用
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上述分析表明: (a)改变栅源电压vGS的大小,可以有效控制沟道电阻的大小. (b)若同时在漏源-极间加上固定的正向电压vDS,则漏极电流 iD将受vGS的控制,|vGS|增大时,沟道电阻增大,iD减小。 (c)上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边 建立了电场,电场强度的大小控制了沟道的宽度,即控制了 沟道电阻的大小,从而控制了漏极电流iD的大小。
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4 场效应管放大电路
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引言: 1.场效应管的特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的
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图6 vDS对iD的影响
在上述两个电源的作用下,iD的大小主要受栅-源电压vGS控 制,同时也受漏-源电压vDS的影响。
因此,讨论场效应管的工作原理就是: a.讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD(或沟道电阻)的控制作用 b.讨论漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。
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(2)vGS对iD的控制作用 图5所示电路说明了vGS对沟道电阻的控制作用。为便于讨 论,先假设漏-源极间所加的电压vDS=0。 a. 当vGS=0时,沟道较宽,其电阻较小,如图5(a)所示。 b. 当VPvGS<0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用 下,两个P+N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+ 区,因此,随着|vGS| 的增加,耗尽层将主要向N沟道中扩 展,使沟道变窄,沟道电阻增大,如图5(b)所示。