(完整版)半导体三极管及其基本电路试题及答案.doc
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第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、 (2-1,中 )当半导体三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即基极电流能控制集电极电流。
2、 (2-1,低 )根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。
3、 (2-1,低 )三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、 (2-1,中 )三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。
5、(2-1,低 )为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外 ,还需输入信号。
6、(2-1 ,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对 NPN 管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B ,这样可克服失真。
7、 (2-1,低 )共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、 (2-1,低 )三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、 (2-1,低 )共射组态既有放大作用,又有放大作用。
10、 (2-1,中 )共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。
11、 (2-1,难 )某三极管 3个电极电位分别为 V =1V,VB =1.7V,V =1.2V 。
可判定该三极管是工E C作于区的型的三极管。
12、 (2-1,难 )已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为① 3.5V ,② 2.8 V ,③ 5V ,试判断:a.①脚是,②脚是,③脚是( e, b, c);b.管型是(NPN , PNP);c.材料是(硅,锗)。
13、(2-1,中 )晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。
14、 (2-1,低 )温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C ,静态工作点。
15、(2-1 ,低 )一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降 V BE则随温度的增加而。
16、 (2-1,低 )画放大器交流通路时,和应作短路处理。
17、 (2-2,低 )在多级放大器里。
前级是后级的,后级是前级的。
18、 (2-2,低 )多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。
常用的耦合方式有:,,。
19、(2-2,中 )输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动,因此要抑制零漂,首先要抑制的零漂。
目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、 (2-2,中 )在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是放大电路,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是放大电路,放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、 (2-3,低 )串联负反馈电路能够输入阻抗,电流负反馈能够使输出阻抗。
22、 (2-4,低 )放大电路中引入电压并联负反馈,可______输入电阻, _______输出电阻。
23、 (2-4,中 )在放大电路中,为了稳定静态工作点,宜引入________反馈;要展宽频、稳定增益,宜引入 _______反馈;为了提高输入阻抗,宜引入_________反馈。
24 、 (2-4 ,难 ) 正弦波振荡器的振幅起振条件是、相位起振条件是。
25、 (2-4,难 )振荡器用来产生低频信号,而振荡器一般用来产生高频信号。
26、 (2-4,低 )要使电路产生稳定的振荡,必须满足和两个条件。
27、(2-4,低 )正弦波振荡电路一般是由和组成,此外电路还应包含有选频网络和稳幅环节。
28、(2-5,低 )常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有___________ ,_______________,____________几种类型。
29、 (2-5,难 )功率放大器的性能指标主要有:,和;低频功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型,最常用的是类功率放大器。
30 、 (2-5 ,中 ) 甲类、乙类和甲乙类放大电路中,_______________ 电路导通角最大;_______________ 电路效率较高; _______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________ 。
二、选择题1、 (2-1,中 )下列数据中,对NPN 型三极管属于放大状态的是。
A 、 V BE >0,V BE <V CE 时B 、 V BE <0,V BE <V CE 时C 、 V BE >0, V BE >V CE 时D 、 V <0 ,VBE >V CE 时BE2、(2-1,中 )工作在放大区域的某三极管,当 I B 从20μA 增大到40μA 时,I C 从1mA变为2mA则它的β值约为。
A 、 10B 、 50C 、 80D 、 1003、 (2-1,低 )NPN型和PNP 型晶体管的区别是。
A 、由两种不同的材料硅和锗制成的B 、掺入的杂质元素不同C 、 P 区和N 区的位置不同D 、管脚排列方式不同4、 (2-1,难 )三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是A 、B 、C 、D 、5、 (2-1,低 )当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将A 、增大B 、减少C 、反向D 、几乎为零6、 (2-1,低 )为了使三极管可靠地截止,电路必须满足A 、发射结正偏,集电结反偏B 、发射结反偏,集电结正偏C 、发射结和集电结都正偏D 、发射结和集电结都反偏7、 (2-1,中 )检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态(工作区),最简便的方法是测量 A 、 I BQB 、 U BEC 、 I CQD 、 U CEQ8、(2-1,中 )对放大电路中的三极管进行测量, 各极对地电压分别为 U B =2.7V ,U E =2V ,U C =6V ,则该管工作在 。
A 、放大区B 、饱和区C 、截止区D 、无法确定9、 (2-1,低 )某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极A 、B 、C 对地的电位分别是U A =2.3V ,U B =3V , U C =0V ,则此三极管一定是A 、 PNP 硅管B 、 NPN 硅管C 、 PNP 锗管D 、 NPN 锗管10、 (2-1,难 )电路如图所示,该管工作在。
A 、放大区B 、饱和区C 、截止区D 、无法确定11、 (2-1,中 )测得三极管I B=30 μA时, I C = 2.4mA;I B=40μA时,I C= 1mA,则该管的交流电流放大系数为。
A 、 80B、 60C、 75D、 10012、 (2-1,中 )当温度升高时,半导体三极管的β、穿透电流、U BE的变化为A 、大,大,基本不变B 、小,小,基本不变C、大,小,大D、小,大,大13、 (2-1,低 )三极管的 I CEO大,说明该三极管的。
A 、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长 D 、热稳定性差14、 (2-1,低 )用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、 2、 3 的电位各为V1=2V , V2=6V , V3=2.7V ,则。
A 、 1 为 e 2 为 b 3 为 cB 、 1 为 e 3 为 b 2 为 cC、 2 为 e 1 为 b 3 为 c D 、 3 为 e 1 为 b 2 为 c15、 (2-1,低 )晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的。
A 、 i C B、 u CE C、 iB D、 i E16、(2-1 ,低 )某晶体管的发射极电流等于 1 mA ,基极电流等于 20μA,则它的集电极电流等于A 、 0.98 mAB 、 1.02 mA C、 0.8 mA D、 1.2 Ma17、 (2-1,中 )下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
A 、共射接法B 、共基接法C、共集接法D、任何接法18、 (2-1,中 )下图所示为三极管的输出特性。
该管在U CE=6V , I C=3 mA 处电流放大倍数β为。
A 、 60 B、 80 C、 100 D、 10U CE/V19、 (2-1,低 )放大电路的三种组态。
A 、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用20、(2-1,中 )三极管参数为P CM =800 mW ,I CM =100 mA ,U BR(CEO) =30 V ,在下列几种情况中,属于正常工作。
A 、 U CE =15 V , I C =150 mAB、 U CE =20 V , I C =80 mAC、 U CE =35 V , I C =100 mAD、 U CE =10 V ,I C =50 mA21、 (2-1,低 )晶体管构成的三种放大电路中,没有电压放大作用但有电流放大作用的是A 、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是22、 (2-1,中 )三极管各个极的电位如下,处于放大状态的三极管是。
A 、 VB = 0.7 V , V E = 0 V ,VC = 0.3 VB、 V B = - 6.7 V , V E = - 7.4 V , V C = - 4 VC、 V B = -3 V , V E = 0 V , V C = 6 VD、 V B = 2.7 V , V E = 2 V ,V C = 2 V23、(2-1,中 )在单管共射固定式偏置放大电路中,为了使工作于截止状态的晶体三极管进入放大状态,可采用的办法是A 、增大RcB 、减小Rb C、减小 Rc D 、增大 Rb24、 (2-1,难 )晶体管放大电路如图所示。
若要减小该电路的静态基极电流I BQ,应使A 、 Rb减小B、 Rb 增大C、 Rc减小D、 Rc增大25、(2-1,难 )如图为某放大电路的输入波形与输出波形的对应关系,则该电路发生的失真和解决办法是A 、截止失真,静态工作点下移B、饱和失真,静态工作点下移C、截止失真,静态工作点上移D、饱和失真,静态工作点上移26、 (2-1,低 )放大电路中,微变等效电路分析法。
A 、能分析静态,也能分析动态B 、只能分析静态C、只能分析动态D、只能分析动态小信号27、 (2-1,低 )温度影响了放大电路中的,从而使静态工作点不稳定。
A 、电阻B、电容C、三极管D、电源28、 (2-1,难 )电路如下图所示,其输出波形发生了失真。
A 、饱和B、截止C、交越 D 、线性29、 (2-2,低 )某放大器由三级组成,已知每级电压放大倍数为KV ,则总放大倍数为。
A 、 3KVB 、( KV )3 C、( KV )3/3 D 、KV30、 (2-2,低 )在多级放大电路中,经常采用功率放大电路作为。
A 、输入级B、中间级C、输出级D、输入级和输出级31、 (2-2,低 )一个三级放大器,各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1M Ω, Ri2=100K Ω,Ri3=200K Ω,则此多级放大电路的输入阻抗为。