国家标准硅抛光片表面颗粒测试方法中国有色金属标准质量信息网

《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》国家标准验证报告一、试验说明在制订该标准时，为核实SEMI MF 1389-0704标准“Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities标准”中的精密度数值做该试验。

二、试验内容选取一片 3英寸非掺、低位错N型硅单晶抛光片，在其中心位置划取一合适尺寸的测量样品做单个实验室精密度试验，重复测量磷和含硼含量十次。

三、验证试验3.1测量仪器3.1.1低温恒温器-采用开式循环液氦浸没方式,保持样品测试温度在4.2K。

3.1.2样品架-用有良好热传导性的金属制成，在不引起样品应力的过度变化基础上，通过适当方法固定样品以避免谱线分裂。

3.1.3激发光源—可以激发硅单晶产生发射光谱。

激光器波长为532nm，为保证精确的测量激光强度必须可控并且稳定。

3.2试剂及试样制备3.2.1 试剂3.2.1.1纯水—电阻率大于18MΩ,以下试剂配制所用水均为ASTM 指南D5127中描述的E1型水。

3.2.1.2 硝酸（HNO3），65%，分析纯。

3.2.1.3 氢氟酸（HF），48%，分析纯。

3.2.1.4双氧水（H2O2），30%，分析纯。

3.2.1.5 混酸，（1：1：1：25）HNO3：HF：H2O2：H2O。

3.2.2 试样制备按3.2.2.1条---3.2.2.2条操作以去除样品上所有工艺过程带来的损伤及表面污染物，经过化学—机械抛光的薄片，不需要做进一步的制备。

3.2.2.1根据样品尺寸大小配制混酸（1：1：1：25）HNO3：HF：H2O2：H2O适当体积，腐蚀样品。

3.2.2.2或者使用一种合适抛光液，对样品表面进行化学—机械抛光。

3.2.2.3 腐蚀以后会造成样品的荧光效率下降，使用适当的化学—机械抛光会相应减少样品腐蚀造成的荧光效率下降，因此推荐在腐蚀后1-2小时之内将样品尽快放入低温恒温器中。

国家标准《硅抛光片表面颗粒测试方法》（讨论稿）编制说明一、工作简况1.标准简况：近年来，随着大规模集成电路使用硅片直径的增大和品质的极大提升，衬底片表面的纳米级颗粒和微小缺陷（像COP）严重影响器件的质量，直接影响着供需双方的成品率。

因此，抛光片、外延片等镜面表面的颗粒要求已成为关键参数，也是出厂和进货检验的主要参数。

由于国内外硅抛光片外延片直径越来越多，而要求的颗粒直径越来越小，一般都要求对0.10到0.5微米直径的颗粒进行探测和计数。

这已经远远超过了人的肉眼可以辨别的极限，因此各企业对抛光片表面颗粒、COP等众多缺陷的检验基本上都依赖硅片表面检查系统（简称SSIS）。

在修订后的标准中体现如何正确使用该方法和设备设置，并正确评价测量结果。

使标准修订后具有更普遍的实用性。

由于颗粒的测量的主要原理是利用SSIS产生的激光束在待测镜面晶片表面进行扫描，并收集和确定来自晶片表面的局部散射光（LLSs）的强度和位置，与事先设置的一组已知尺寸的聚苯乙烯乳胶球等效的散射光（LSE）的强度进行比较，得到晶片表面的一系列不同直径尺寸的LLS的总数和分布，将其作为晶片表面的颗粒尺寸和数量。

换句话说，从一个未知的LLS收到的信号相当于从一个已知尺寸的聚苯乙烯胶乳（PSL）获得的信号。

除此之外，扫描仪对散射光与反射光的区分收集和处理，也可得到晶片表面的划伤、桔皮、抛光液残留；外延片表面划伤、棱锥、乳突等大面积缺陷。

通过对晶片表面小的凸起和凹陷的辨别及其在片子上位置的分布特征，可以探测分辨出COP。

通过对检测背景信号中低频信号的处理，得到晶片表面微粗糙度的参数Haze(雾)。

因此现在的SSIS已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。

随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。

更多的还是颗粒或者COP。

习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。

在标准名称上我们也沿用了这一习惯。

金属硅产品质量标准金属硅是一种重要的工业原料，广泛应用于冶金、化工、电子等领域。

为确保金属硅产品的质量和使用效果，通常需要满足以下几个质量标准：1.化学成分标准：金属硅产品应符合特定的化学成分要求。

其中，硅含量是关键指标，一般要求在99%以上。

此外，还需控制杂质元素（如铁、铝、钙、镁等）的含量以及其他有害元素（如砷、锑等）的限制值。

2.粒度分布标准：金属硅产品的粒度对其应用性能具有重要影响。

一般会根据不同行业和用户要求设定相应的粒度分布标准。

例如，对于冶金行业来说，常见的粒度范围是10-100mm或更小。

3.电阻率标准：由于金属硅具有良好的导电性能，在一些特殊领域如电子行业中，对其电阻率有严格要求。

电阻率通常以欧姆·厘米（Ω·cm）为单位进行衡量，并根据具体用途制定相应的上下限。

4.化学活性标准：金属硅产品的化学活性主要指其与其他物质的反应性。

根据具体用途和工艺要求，需要控制金属硅的氧化率或还原性等指标，以确保其在特定环境下的稳定性和可靠性。

5.杂质含量标准：金属硅产品中可能存在一些不可避免的杂质，如氧、氮、碳等。

这些杂质的含量需要控制在一定范围内，以保证产品品质和使用效果。

6.纯度要求：金属硅通常需要具备较高的纯度，以确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。

除了控制化学成分外，还需要评估其他纯度指标，如氧含量、碳含量等。

7.物理性能标准：金属硅的物理性能也是一个重要的质量考量因素。

例如，抗压强度、热膨胀系数、导热系数等指标会影响其在高温或特殊环境下的性能表现。

8.表面质量标准：金属硅产品通常需要具备良好的表面状态和光洁度，以满足后续加工或使用时的要求。

表面缺陷、氧化皮、杂质颗粒等问题都可能对产品质量造成不利影响。

9.包装及运输标准：为确保金属硅产品在运输和储存过程中不受损坏或污染，需要制定相应的包装和运输标准，并采取适当的防护措施。

这些标准通常包括包装形式、堆码方式、防潮防尘措施等。

国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》（审定稿）编制说明一、工作简况1、立项目的和意义集成电路和光伏产业是信息技术产业的核心，是国家重要的基础性、先导性和战略性产业，是推动国民经济和信息化发展最主要的高新技术。

近10年来，我国的集成电路和光伏产业发展迅猛，核心工艺技术水平和世界先进水平的差距不断缩小。

硅片是信息技术产业中半导体制造业的基础材料，硅片在制作使用过程中的金属杂质控制与检测是关乎产品性能的重要手段与指标。

在制造工艺生产过程中硅片表面极其少量金属污染的存在都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，有统计表明，在电力电子元器件和光伏产品制造业中50%产品良率的降低都是由于污染造成的，因此在制造生产过程中对硅片表面杂质污染的控制极为重要，检测规范非常严格。

随着ICP-MS（电感耦合等离子体质谱分析法）技术的不断革新，以及其杰出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，现已成为硅片表面污染测试监控中必不可少的手段。

硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段，也是提升后道器件性能的重要方法与依据。

电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新，已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，已被成熟使用多年，亟需制定相关产品标准。

本标准的制定填补了国内半导体材料测试技术领域的标准空白，满足我国当前的半导体硅材料的现状，有利于规范和统一国内硅片表面金属杂质测试操作流程，有助于提升国内半导体硅材料的产品质量，提高国内半导体硅材料在国内和国际市场的竞争力和影响力，促进我国半导体行业与国际标准接轨。

2、任务来源根据《国家标准委关于下达2017年第四批国家标准制修订计划的通知》(国标委综合[2017]128号)的要求，半材标委[2018]1号转发2018年第一批半导体材料国家标准制(修)订项目计划，通知由南京国盛电子有限公司负责牵头编制，北京有研股份有限公司等公司参与，计划号：20141871-T-469，计划于2019年完成3、项目承担单位概况南京国盛电子有限公司，是中国电子科技集团公司第五十五研究所全资子公司,专业从事半导体硅外延材料以及第三代半导体外延材料的研发与生产近30年。

国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》（预审稿）编制说明一、工作简况1、立项目的和意义硅片是半导体制造业的基础材料，由于硅片表面极其少量的金属污染都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，硅片在制作使用过程中的金属杂质控制极为重要，硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段，也是提升后道器件性能的重要方法与指标。

电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新，已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力，已被成熟使用多年，亟需制定相关产品标准。

2、任务来源根据《国家标准委关于下达2017年第四批国家标准制修订计划的通知》(国标委综合[2017]128号)的要求，半材标委[2018]1号转发2018年第一批半导体材料国家标准制(修)订项目计划，通知由南京国盛电子有限公司负责牵头编制，北京有研股份有限公司等公司参与，计划号：20141871-T-469，计划于2019年完成3、项目承担单位概况南京国盛电子有限公司，是中国电子科技集团公司第五十五研究所全资子公司,专业从事半导体硅外延材料以及第三代半导体外延材料的研发与生产近30年。

公司拥有世界一流的半导体外延工艺平台，其中硅外延片、碳化硅外延片、氮化镓外延片的销售与产能能力，连续多年国内第一。

公司技术力量雄厚，测试分析手段丰富，拥有多台套、国际先进、全系列的半导体外延材料测试设备。

2013年引进的安捷伦7700S电感耦合等离子体质谱仪，长期被用于4”~8”硅外延片产品、外延炉炉况、硅外延片清洗等重要工艺生产过程的质量监控，以及各个厂家硅抛光单晶片表面金属杂质的来料抽检，具有丰富的使用技术与经验。

并且公司于2012年成立了江苏省半导体硅外延材料工程技术研究中心，致力于半导体外延材料的测试分析与工艺技术创新研发。

因此南京国盛电子有限公司具备该标准起草、制定和相关试验条件与分析能力。

4、主要工作过程2018年初《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》国家标准正式下达计划。

soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。

1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。

1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。

二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。

2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。

2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。

三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。

3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。

3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。

四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。

4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。

4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。

五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。

5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。

5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。

六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。

6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。

6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。

七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。

7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。

7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。

八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。

8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。

YS 中华人民共和国有色金属行业标准YS/T XXX-201X铜及铜合金毛细管涡流探伤方法Capillary tube of copper and copper alloy-eddy current testing method（讨论稿）20XX-XX-XX发布 20XX-XX-XX实施中华人民共和国工业和信息部发布前言本标准按照GB/T1.1-2009给出的规定起章。

本标准参照ASTME243-2004《铜及铜合金管电磁涡流检测》编制。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/Tc243）归口。

本标准负责起草单位：苏州龙骏无损检测设备有限公司，无锡金龙川村精管有限公司。

本标准参加起草单位：芜湖精艺铜业有限公司，上海日光铜业有限公司。

本标准主要起草人：×××，×××，×××。

铜及铜金毛细管涡流检测方法1、范围本标准规定了毛细铜管的穿过式涡流检测方法，内容包括对检测人员、涡流检测仪器、检测线圈、传动装置的一般要求，及其标准人工缺陷的制作和检测结果的评定。

本标准适用于纯铜类、黄铜类和青铜类毛细管，其规格为：外径（φ0.5～6.10）×内径（φ0.3～4.45）。

其他规格的毛细铜管应根据供需双方协商可参照本标准执行。

2、规范性引用文件下列文件对于本标准的应该是必不可少的，凡是注明日期的引用文件，仅注日期版本适用于本文件，凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有修改单）适用于本标准。

GB/T1531 铜及铜合金毛细管GB/T5248 铜及铜合金无缝管涡流探伤方法GB/T9445 无损检测人员资格鉴定认证GB/T12604.6 无损检测术语3、术语和定义下列术语和定义适用于本标准。

3.1涡流探伤法 eddy current testing是指利用电磁感应在导电试件的表面和近表面产生涡流的原理来检测试件中是否存在缺陷的方法。

半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一，因此其检验标准至关重要。

以下是半导体硅片检验标准的详细说明。

1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。

在检查外观时，应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷，同时也应检查硅片的形状是否符合要求。

2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）等仪器来完成。

该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。

需要注意的是，有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显，因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。

3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。

在检查过程中，应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确，从而保证检验的可靠性。

4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。

在检测杂质时，可以使用玻璃齐墩试剂等方法，对硅片进行表面浸泡。

此外，还可以使用SIMS（二次离子质谱）等方法，对硅片内部的杂质进行检测。

5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中，电性能的检测是至关重要的。

可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法，对硅片的电性能进行检测。

总之，半导体硅片检验标准非常严格，因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。

只有通过科学的检验方法，才能确保半导体器件的品质和性能。

硅片质量的七大标准硅片是半导体行业中至关重要的材料之一，它被广泛用于制造集成电路和太阳能电池等应用。

为了确保硅片的质量和性能，有七个关键标准需要被考虑。

本文将详细介绍硅片质量的七大标准。

1. 净度和杂质控制硅片的净度和杂质控制是硅片质量的首要标准。

杂质的存在会对硅片的电学和光学性能产生负面影响。

硅片应该具有极高的净度，特别是对于一些高纯度硅片，杂质的控制尤为重要。

常见的杂质包括金属杂质和非金属杂质，如铁、铜、氧和碳等。

通过严格的杂质控制和净化工艺，可以确保硅片的高纯度和杂质含量的极低水平。

2. 厚度均匀性硅片的厚度均匀性是评估硅片质量的重要指标之一。

硅片的厚度在制造过程中需要被精确控制，以确保产品的一致性和可靠性。

任何过大或过小的厚度变化都可能导致硅片的性能降低。

通过使用先进的制造工艺和仪器设备，可以实现硅片的高度均匀性。

3. 表面平整度硅片的表面平整度是衡量硅片质量的重要指标之一。

表面平整度不仅影响硅片的外观，还直接影响到硅片在后续工艺中的加工性能。

高度平整的表面能够提供更好的光学特性和更高的精度加工。

通过表面处理和抛光工艺，可以实现硅片表面的高度平整度。

4. 晶体结构和晶格质量硅片的晶体结构和晶格质量是评估硅片质量的重要指标之一。

硅片应具有高度有序的晶体结构和完整的晶格。

任何晶体结构和晶格缺陷都可能对硅片的性能和可靠性产生负面影响。

通过严格的制造和质量控制工艺，可以实现硅片的高质量晶体结构和晶格。

5. 衬底的平整度和晶向硅片的衬底平整度和晶向也是评估硅片质量的重要指标之一。

衬底平整度是指硅片表面的平整度和平坦度，对于一些高精度的应用尤为重要。

晶向指的是硅片中晶体的方向，它会对硅片的电学性能和加工特性产生影响。

通过精密的加工和晶体生长工艺，可以实现硅片衬底的高平整度和理想的晶向。

6. 绝缘性能硅片的绝缘性能是评估硅片质量的重要指标之一，特别是对于一些应用需要电绝缘的场景。

绝缘性能可以通过测量硅片的绝缘电阻和击穿电压来评估。

硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准主要包括以下七个方面：
1. 物理尺寸：硅片的直径、厚度、晶向位置和尺寸、定位边和硅片形变等都必须符合规定，以满足芯片生产中器件制造的要求以及适合硅片制造自动传送设备的要求。

2. 平整度：硅片表面的平整度是硅片最主要的参数之一，它是指在通过硅片的直线上的厚度变化。

平整度不达标会造成许多工艺问题，如光刻工艺对局部位置的平整度非常敏感。

3. 微粗糙度：指硅片表面的微观粗糙度，它对硅片表面的摩擦和磨损性能有重要影响。

4. 氧含量：指硅片中氧的含量，它对硅片的机械性能和电学性能有重要影响。

5. 晶体缺陷：指硅片中的晶体缺陷，如位错、层错、微裂纹等，这些缺陷会影响硅片的机械性能和电学性能。

6. 颗粒：指硅片表面的颗粒状物质，这些物质会影响硅片的表面质量和光刻工艺。

7. 体电阻率：指硅片的电阻率，它对硅片的导电性能有重要影响。

以上信息仅供参考，如有需要，建议查阅专业书籍或咨询专业人士。

国家标准《硅抛光片表面颗粒测试方法》（讨论稿）编制说明一、工作简况1. 标准简况：近年来，随着大规模集成电路使用硅片直径的增大和品质的极大提升，衬底片表面的纳米级颗粒和微小缺陷（像COP）严重影响器件的质量，直接影响着供需双方的成品率。

因此，抛光片、外延片等镜面表面的颗粒要求已成为关键参数，也是出厂和进货检验的主要参数。

由于国内外硅抛光片外延片直径越来越多，而要求的颗粒直径越来越小，一般都要求对0.10 到0.5 微米直径的颗粒进行探测和计数。

这已经远远超过了人的肉眼可以辨别的极限，因此各企业对抛光片表面颗粒、COP等众多缺陷的检验基本上都依赖硅片表面检查系统（简称SSIS）。

在修订后的标准中体现如何正确使用该方法和设备设置，并正确评价测量结果。

使标准修订后具有更普遍的实用性。

由于颗粒的测量的主要原理是利用SSIS 产生的激光束在待测镜面晶片表面进行扫描，并收集和确定来自晶片表面的局部散射光（LLSs）的强度和位置，与事先设置的一组已知尺寸的聚苯乙烯乳胶球等效的散射光（LSE）的强度进行比较，得到晶片表面的一系列不同直径尺寸的LLS 的总数和分布，将其作为晶片表面的颗粒尺寸和数量。

换句话说，从一个未知的LLS 收到的信号相当于从一个已知尺寸的聚苯乙烯胶乳（PSL）获得的信号。

除此之外，扫描仪对散射光与反射光的区分收集和处理，也可得到晶片表面的划伤、桔皮、抛光液残留；外延片表面划伤、棱锥、乳突等大面积缺陷。

通过对晶片表面小的凸起和凹陷的辨别及其在片子上位置的分布特征，可以探测分辨出COP。

通过对检测背景信号中低频信号的处理，得到晶片表面微粗糙度的参数Haze（雾）。

因此现在的SSIS 已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。

随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。

更多的还是颗粒或者COP。

习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。

抛光产品通用检验标准编号：HYL/QMS-03-05 1范围本标准规定了产品的表面分区、抛光后的表面质量要求、降级接收要求和检验方法。

本标准适用于锌合金,铁,不锈钢抛光产品表面质量检验。

2表面分区产品在安装之后，按照人们观察产品的习惯，是否容易观察到产品的表面来区分产品的主要外露面、次要外露面和不易看见的面。

见表1注:可接收的A级面、B级面、C级面、缺陷不能影响装配和功能，否则仍判不合格。

3表面质量要求。

注：1、缺陷点所在的表面积是指A面、B面和C面的表面积。

2、当表面出现2个缺陷点以上时，两个缺陷点的距离应大于20毫米。

3、表中限定了A面和B面缺陷点的总个数，A面和B面缺陷点的总个数之和，为产品表面缺陷点的总个数。

4检验方法4.1.1目力测试，视力大于1.2，在220V50HZ18/40W萤光灯和220V50HZ40W的日光灯下，目测距离为25±5cm。

4.1.2双手带作业手套握持抛光件。

产品水平放置，目测该面，检查完后，以两手为轴旋转到相邻的一面，的角度目测，逐步检查每一面。

上一方向目测完工后，旋转90度，变为南北方向,先上下旋转一定的角度目测，逐步检查每一面。

5.1锌合金压铸，不锈钢精铸抛光产品5.1.1锌合金压铸，不锈钢精铸镜光产品按磨光抛光工艺磨抛完工后，合格的镜光产品表面质量按表25.1.2锌合金压铸，不锈钢精铸拉丝产品按磨光抛光工艺磨抛完工后，锌合金拉丝产品表面质量按表3执行。

5.2.1金属冲压件镜光产品按磨光抛光工艺抛磨完工后，金属冲压件合格的表面质量按表4执行；5.2.2金属冲压件拉丝产品按磨光抛光工艺抛磨完工后，金属冲压件拉丝产品表面质量按表5执行。