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电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。
自由电子2、半导体有P型和两种类型。
N型3、PN结具有特性。
单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。
面5、差动放大电路的电路参数。
对称6、差动放大电路的目的是抑制。
共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。
负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。
甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。
第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。
功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。
模拟12、过零电压比较器具有极高的。
电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。
选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。
正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。
开关16、逻辑代数又叫代数。
二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。
逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。
119、数字集成器件民用品标为系列。
7420、集成逻辑门是最基本的。
数字集成器件21、反相器就是实现的器件。
逻辑非22、编码是的逆过程。
译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。
当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。
集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。
N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。
127、多谐振荡器又称。
方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。
单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。
CMOS30、读写存储简称。
RAM31、只读存储器简称。
ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。
BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
电子技术复习题含答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”运算对应的门电路是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A2. 半导体二极管的主要作用是：A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案：B3. 以下哪个元件不是构成放大电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：C4. 在数字电路中，逻辑“或”运算对应的门电路是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：B5. 晶体管放大电路中，若要实现信号的放大，晶体管应工作在：A. 截止区B. 饱和区C. 放大区D. 反向击穿区答案：C6. 以下哪个不是数字电路中的逻辑运算？A. 逻辑与B. 逻辑或C. 逻辑非D. 逻辑乘答案：D7. 在模拟电路中，三极管的主要作用是：A. 整流B. 放大C. 滤波D. 调制答案：B8. 以下哪个元件是构成振荡电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案：D9. 在数字电路中，逻辑“非”运算对应的门电路是：A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：C10. 晶体管放大电路中，若要实现信号的反向放大，晶体管应工作在：A. 截止区B. 饱和区C. 放大区D. 反向击穿区答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”运算的输出只有在所有输入都为1时，输出才为______。
答案：12. 半导体二极管的正向导通电压一般为______伏特。
答案：0.73. 三极管的放大作用是通过改变______极的电流来控制集电极电流的大小。
答案：基4. 在数字电路中，逻辑“或”运算的输出只要有一个输入为1，输出就为______。
答案：15. 晶体管放大电路中的静态工作点是指在没有输入信号时，晶体管的______、集电极电流和集电极-发射极电压。
答案：基极电流6. 数字电路中的触发器可以存储______位二进制信息。
答案：17. 晶体管放大电路的输入阻抗和输出阻抗分别影响电路的______和带负载能力。
"电路与电子技术"复习题答案一、单项选择题1、由叠加定理可求得图〔1〕所示电路中电压U为〔B〕A. 15 VB. -5 VC. 5 VD. -15 V2、图〔2〕所示电路中节点a的电压为〔A〕A. 20 VB. 120 VC. 220 VD. -60 V图〔1〕图〔2〕3、在根本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是〔C〕在根本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的放大电路是〔C〕电压放大倍数总是小于1的放大电路是〔C〕电压放大倍数、电流放大倍数较大，输出信号电压与输入信号电压反相的放大电路是〔A〕电压放大倍数较小而电流放大倍数大于1，输出信号电压与输入信号电压同相的放大电路是〔C〕电压放大倍数较大而电流放大倍数小于1，输出信号电压与输入信号电压同相的放大电路是〔B〕输入电阻最小的放大电路是〔D〕A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定4、整流电路的作用是〔B〕滤波电路的作用是〔A〕A、把交流电变为平滑的直流电。
B、把交流电变为单向脉动的直流电。
C、把直流电变为交流电。
D、把高压交流电变为低压交流电。
5、如图，V2电位为〔C〕A、V2 = 2.5 V B、V2= 5 VC、V2 =7.5 VD、V2= 7 V6、图示电路中, 电流I为〔C〕A、1 AB、0 AC、2 AD、-2 A7、图示电路中, 电流I=0时,US应为〔B〕A、0 VB、6 VC、-6 VD、12 V8、如图，换路前电路处于稳态，t=0时刻开关断开。
则换路后瞬间电容电压uC 〔0+〕为〔D〕A、uC 〔0+〕 = 0 VB、uC 〔0+〕 = 30 VC、uC 〔0+〕 =120 VD、uC 〔0+〕 = 6 V9、以下说法正确的选项是〔C〕A、对于任何复杂的正弦交流电路，电路中的总的有功功率等于各个支路〔或元件〕有功功率之和，总的无功功率等于各个支路〔或元件〕无功功率之和，总的视在功率等于各个支路〔或元件〕视在功率之和。
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1. 在本征半导体中掺入微量三价元素形成 型半导体，掺入微量五价元素形成 型半导体。
2. 晶体管工作在截止区时，发射结 向偏置，集电结 向偏置。
3. 硅稳压管的工作为 _ 区。
4. 为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用 滤波电路。
5. 已知输入信号的频率为 10kHz ～12kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用 滤波电路。
6. 为了获得输入电压中的低频信号，应选用 滤波电路。
7. 为了稳定静态工作点，应引入 负反馈。
8. 为了稳定放大倍数，应引入 负反馈。
9. 为了使放大电路的输出电阻增大应引入 负反馈；深度负反馈的条件是 。
10. 为了减小放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。
11. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。
12. 当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在 状态。
13. 在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在 或 状态。
14. 在图1所示电路中，调整管为 ，采样电路由组成，基准电压电路由组成， 比较放大电路由 组成。
图 115. 在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路。
16. 直流电源由 、 、 和 四部分组成。
17. 串联型稳压电路由 、 、 和 四部分组成。
18. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 运算电路。
19.NPN 型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时， 电路产生的是 失真；乙类功放电路的主要 缺点是输出有 失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于 1，而 比例运算电路的比例系数小于零。
21. 正弦波自激振荡的幅值平衡条件为 ，相位平衡条件为 。
22. 存储器按功能不同可分为 存储器和 存储器；23.RAM 按存储单元结构特点又可分为 和 。
24. 半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是 、 、 。
25. 某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26 . 将Intel2114(1K*4 位)RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114 芯片数是，需要增加的地址线是条。
27.RAM的扩展可分为、扩展两种。
28. 按照逻辑功能，触发器可以分为、、、T和T’触发器。
29. 若将JK触发器转换成T触发器，则令。
30.JK触发器的特性方程为；D触发器的特性方程为。
31 . 触发器按动作特点可分为型、型、型和型。
32.TTL门电路输出高电平为V ，阈值电压为V 。
33.CMOS门电路输出高电平为V ，阈值电压为V 。
34. 某n位D/A转换器的分辨率为。
35.ADC和DAC最重要的两个性能指标是：和。
36.4位DAC的最大输出电压为5V，当输入数据为0101时，它的输出电压为V 。
37. 对8位D/A转换器，若VREF10V ，当输入数字量为10000000时，输出电压为V。
38 . 四选一数据选择器的数据线有根，地址线有根。
39. 若有n个逻辑变量，则可以得出种不同取值的组合。
40 . 若3位二进制减法计数器正常工作时，由000状态开始计，则经过15个输入计数脉冲后，其状态变为。
41.GAL是可编程，EPROM是可编程。
42. 单稳态触发器的主要用途是。
43. 已知YAB CD，其反函数为。
44.3-8译码器的输入线有根，输出线有根。
45. 如图2所示，A=0时，Y= ；A=1，B=0时，Y= ；46.如图3所示为TTL的TSL门电路，EN=0时，Y为，EN=1时，Y= 。
图347.yABAC，Y的最简与或式为；48.单稳态触发器有个稳定状态.，多谐振荡器有个稳定状态。
二、单项选择题：1.N型半导体是在本征半导体中加入以下哪种物质形成的。
[]A.电子B.空穴C.三价硼元素D. 五价磷元素2.晶体管工作于放大状态时，下列哪种说话正确。
[ ]A.发射结正偏、集电结反偏B. 发射结正偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D. 发射结反偏、集电结正偏3.测得工作在放大状态的三极管三个电极电位U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V，则可以断定该管为[]A.PNP型Ge管B.PNP型Si管C.NPN 型Ge管D.NPN型Si管4.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为[]5 .A.83 B.91 C.100[] GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有UA.结型管B. 增强型MOS管C.耗尽型MOS管6 .直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是[ ] A.电阻阻值有误差 B. 晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D. 电源电压不稳定7.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A.减小温漂B.增大放大倍数 C. 提高输入电阻[ ]8. Z ABCAC BC 的最简与或式为[ ] A.Z C B. Z BC ACBCC.Z ABC ACBCD.Z19. 与Z AB C 相等的表达式为 [ ] A.ZABCB.ZABCC.ZABC D. Z A BC10.一个 TTL 同或门（输入端为 A 、B ）当作反相器使用，则 A 、B 端应 [ ] ①A 或 B 中有一个接 1 ②A 或B 中有一个接 0③A 和B 并联使用 11.直流稳压电源中整流电路的目的是 []A.将交流变为直流B.将高频变为低频C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉12. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是[] A.便于设计 B. 放大交流信号 C. 不易制作大容量电容 13. 对于放大电路，所谓开环是指 [ ] A.无信号源B.无反馈通路 C. 无电源D.无负载 14. 对于放大电路，所谓闭环是指[ ]A.考虑信号源内阻B.存在反馈通路C.接入电源D.接入负载15. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负 载上可能获得的最大 [ ]A.交流功率 B ．直流功率C ．平均功率16.Z A B C的反函数为 [ ]A.Z A B CB.Z A B C C.Z A B CD.Z A B C 17.图4电路中能够实现Y AB 的电路为 []①② ③④图418.逻辑符号如图A.“1”5所示，当输入B. “0”A=0，输入BC.方波为方波时，则输出F 应为[ ]A≥1"0"FB图519.逻辑图和输入A ，B 的波形如图 6所示，分析在t 1 时刻输出F 为 []A.“1”B.“0”C.任意A =1 AFBBt 1图6三、判断题：1. 在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N 型半导体。
[] 2. 阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。
[ ] 3. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。
[ ] 4. 只要是共射放大电路，输出电压的顶部失真都是截止失真。
[ ] 5. 连续异或2009个“1”的结果仍然是“1”； [] 6. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用； [ ] 7. 互补输出级应采用共集或共漏接法。
[] 8. 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
[ ] 9.EPROM 是与阵列可编程。
[ ] 10. 时序逻辑电路的输出只与当时的输入状态有关。
[ ] 11. 电路中各电量的直流成份是直流电源提供的。
[ ] 12. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－ 100，将它们连成两级放大电路，其电压 放大倍数等于10000。
[ ] 13. 凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
[ ] 14.GAL 是与阵列可编程。
[ ] 15. 时序逻辑电路的输出只与当时的输入状态有关。
[ ] 16. 由于放大的对象是变化量， 所以当输入信号为直流信号时， 任何放大电路的输出都毫无变化。
[ ]17. 若放大电路的放大倍数为正， 则引入的反馈一定是正反馈。
[ ] 18. 组合逻辑电路的输出只与当时的输入状态有关。
[ ]四、简答题：1. 判断图7所示电路的反馈极性与反馈组态。
图72．（1）为使电路产生正弦波振荡，标出图8所示集成运放的“＋”和“－”；并说明电路是哪种正弦波振荡电路；（2）若R1断路，则电路将产生什么现象？图图83.求解图9所示电路RW的下限值及振荡频率的调节范围。
图94.试分析图10示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由(设图中所有电容对交流信号均可视为短路）图105.测得放大电路中两只晶体管的直流电位如图11示。
在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
图116.知电路如图12，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V，RL＝8Ω。
最大输出功率POM，并指出D1和D2管的作用。
图127.电路如图13，变压器副边电压有效值为2U2。
画出u2、uO的波形，求出UO（AV）。
图138.分别判断图14所示各电路是否满足正弦波振荡的相位条件，不能的进行改进。
图149.指出图15所示电路的名称，画出电压传输特性。
图1510.用卡诺图化简逻辑函数Y ABC ABCD ABCD ABC 给定约束条件为 A B 011.写出图16所示TTL电路输出逻辑表达式。
图1612.写出图17所示的CMOS电路输出信号的逻辑表达式。
图1713.图18CMOS门电路中，写出Q的表达式，并画出对应A、B、C的Q波形。
图1814.分析图19电路，写出输出Z的逻辑函数式。
74LS151为8选1数据选择器。
图1915.试分析图20的计数器在M=1和M=0时各为几进制。
图2016.已知JK触发器输入端J、K和CP的电压波形如图21所示画出 Q端对应的电压波形（ Q的初态为 0）。
图21五、综合题：1.已知图22所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；（2）若测得U i和U o的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？（3）若用万用表测量UCE=11V，问输出波形将产生什么失真？图222.电路如图23所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点；（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的A u和ri；（3）求出ro。
图233.在图24所示电路中，已知uI1＝4V，uI2＝1V。
回答下列问题：（1）当开关 S闭合时，分别求解A、B、C、D和uO的电位；uO＝0？（2）设t＝0时S打开，问经过多长时间图244.试求图25所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
图255.电路如图27所示。
（1）分别说明A1和A2各构成哪种基本电路；（2）求出uO1与uO的关系曲线uO1＝f（uO）；（3）求出uO与uO1的运算关系式uO＝f（uO1）；（4）定性画出uO1与uO的波形；（5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
