Bi基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究

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量学术工作都集中在拓扑绝缘体的制备和材料表征
上.这一拓扑电子态具有电子耗散极小的特征,有可
能成为未来电子电工特种器件的候选材料之一.
具有大学物理基础的本科生也能理解拓扑绝缘
体,并体会其作为新型材料的优势,从而理解诺贝尔
奖级工作的物理内容.我们知道,拓扑绝缘体的核心
优势表现在这个导电的表面态上,如何理解拓扑绝
图 1 绳结中的拓扑现象
纳米材料的一个典型特征是比表面积很大,所 以制备宏量的拓扑绝缘体纳米材料并测量其电学输 运特征就成为拓扑绝缘体可能实际应用的前提.目 前制备薄层拓扑绝缘体的方法有很多种,例如:机械 剥离法[8]、分子束外延法[9]、化学溶液合成法 、化 [10] 学气相沉 积 法 [11 ]等. 其 中 机 械 剥 离 的 方 法 方 便 快 捷,但效率低且得到的样品形状不规则,而且产量很 低.通过分子束外延的方法虽然可以得到很薄的拓 扑绝缘体薄片,但是该方法要求设备真空条件高,成 本也高.而化学气相沉积法很容易获得纳米带、纳米 线甚 至 纳 米 薄 片 的 形 貌,成 本 可 控,是 优 选 的
2第01387年卷6第月6 期
大 学 物 理
COLLEGE PHYSICS
Vol.37 No.6 June 2018
Bi 基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究
王庆斌1,叶 军1,蔡 日1,陈国辉1,林明伟1,宋翰彪2
(1. 广东电网有限责任公司 云浮供电局,广东 云浮 ; 527300 2. 武汉欣泰宇电力电子科技有限公司,湖北 武汉 ) 430074
; 收稿日期: 修回日期:
2017 - 12 - 04
2017 - 12 - 07
作者简介:王庆斌( — 1967 ),男,吉林吉林人,广东电网有限责任公司云浮供电局高级工程师,主要从事智能电网及特高压的研究.
宋翰彪, : 通讯作者:
E-mail lyshb@ 163.com
第6期
王庆斌,等:Bi 基拓扑绝缘体纳米薄片的制备和输运性质的研究
2016 年的诺贝尔物理学奖颁给了研究拓扑物
理 学 的 科 学 家 [1,2]. 拓 扑 绝 缘 体 是 一 种 体 态 绝 缘 、表
面态导电的特殊凝聚态物质,被称为物质的第四种
形态[1].这一类新颖的导电表面态不因为材料形状
的影响而消 失,而 且 具 有 特 殊 的 自 旋 - 动 量 锁 定 特
们Bi观2 T察e3 纳到
米 了
薄 来
自拓扑表面态的弱反局域化效应.
1 实验部分
1.1 设备和原料
为制备拓扑绝缘体的纳米材料,本实验中使用
的是安徽贝意克设备技术有限公司生产的化学气相
沉积设备,炉管尺寸:内径 2.1 cm,外径 2.5 cm,长度
50

cm;衬底选用硅 选 用 Alfa Aesar
得到表面态电子的退相干长度约为 130 nm.
关 键 词 :拓 扑 绝 缘 体 ;Bi2 Te3 ;化 学 气 相 沉 积 ;弱 反 局 域 化
( ) 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: O 4-34

1000 0712 2018 06 0030 03
【 】 DOI 10.16854 / j.cnki.1000 0712.170667
征,所以成为近年来物理、化学和材料领域研究的热
点 [2,3]. 拓 扑 是 描 述 连 续 性 现 象 的 数 学 概 念 ,一 个 物
体的拓扑数在连续变化中不改变,因此可用拓扑常
数 来 描 述 不 同 的 物 体 [15]. 近 年 来 ,随 着 量 子 反 常 霍
尔效应、自旋轨道转矩、拓扑磁电效应等的出现,大
缘体相比,它们有着不同的拓扑常数.拓扑是能带几
何上一个重要特性,如图 1 所示:左图的绳结有交错
但是没有打结,右图则打了一个ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ,这就是拓扑上的
区别.拓扑绝缘体的能带就类似在能带倒空间中存 在一个如右图所示的结.其能带特征为:在价带和导 带与普通绝缘体一样具有宽的能隙,并存在穿越禁 带的“线”的变化.类似绳结被破坏,拓扑绝缘体的能 隙必须闭合形成穿越能隙的线,而这些“线”表征了 拓扑绝缘体存在着金属狄拉克表面态.因此拓扑绝 缘体就表现出体态绝缘、表面态金属的奇异特性.
摘要:拓扑绝缘体表面态传输耗散少,有可能作为变电站中的电传输新材料.我们采用化学气相沉积法制备了 Bi2Te3拓扑
绝缘体纳米薄片,通过光学显微镜、原子力显微镜和扫描电镜表征,优化了制备参数进而获得 Bi2Te3纳米薄片.采用光刻技术
在 Bi2Te3纳米薄片上制作金属电极,测量其输运性质,观察到了来自拓扑表面态的弱反局域化效应.运用传统的弱局域化理论
单抛氧化片(300 nm 公司生产的纯度为
);原 SiO2 / Si 的 99. 999%
粉末 Bi2 Te3

1.2 纳米薄片制备
在真空下,以氩气 Ar 作为载气,在石英舟中放
入 部
,硅Bi2
片Te放3粉置末在;将沿石着
英 气
舟 流
放在炉管中加热区域 方向的下方处,距离石
的 英
中 舟
15~22 cm.反应过程中的炉管气压优于 2 Pa.打开气
31
方法[11 ,12].
本文将采用无催化剂的气-固生长机制的化学
气 薄
相 片
沉 积 的 方 法 [13]来 制
在气流为 .
100 ~ 150
备 Bi2
sccm
Te

3加拓热扑温绝度缘为体5纳20米~
550℃ 的条件下,可以得到形状规则(多为三角形和
六 片
边形)和厚度均匀(大约 6 nm)的 .之后在基于纳米薄片的器件中,我
缘体具有这样的一个表面态以及如何放大与利用这
个表面态是一个重要问题.
最早发现的三维强拓扑绝缘体是 Bi 基拓扑绝
缘 的
体 层
,其代表材料为 状结构晶体.Bi2
Bi2 Se3
Se

与3
Bi2
Bi Te
2 3
Te

为3,均一是种
各 受
向 时
异 间
性 反
演 对 称 保 护 的 强 自 旋 轨 道 耦 合 材 料 [6,7],与 普 通 绝
源,气体流量的调节范围在 20 ~ 230 ,温 sccm 度变化
范围 500~560℃ .多次调节实验参数待气压稳定后,
在设定的温度开始加热,一般恒定在高温 10 分钟,
之后让样品自然冷却至室温,以退火的方式经历整